Máy làm sạch và đánh bóng đĩa gốm tích hợp dành cho quá trình lắp ráp và tiền xử lý tấm bán dẫn

Máy làm sạch và phủ sáp đĩa gốm tích hợp là một hệ thống tự động hiệu suất cao được thiết kế để xử lý sơ bộ tấm wafer bán dẫn, tích hợp các công đoạn làm sạch chính xác, sấy khô và phủ sáp (gắn) tấm wafer vào một nền tảng duy nhất. Thiết bị này được sử dụng rộng rãi trong quá trình xử lý SiC, Si, GaN, sapphire và gốm cao cấp, đảm bảo sự gắn kết ổn định của tấm wafer với đĩa mang trước khi tiến hành các công đoạn mài, làm mỏng hoặc đánh bóng.

Máy làm sạch và đánh bóng đĩa gốm tích hợp dành cho quá trình lắp ráp và tiền xử lý tấm bán dẫnMáy làm sạch và phủ sáp tích hợp bằng đĩa gốm là một hệ thống tự động hiệu suất cao được thiết kế để xử lý sơ bộ tấm wafer bán dẫn, tích hợp các công đoạn làm sạch chính xác, sấy khô và phủ sáp (gắn) tấm wafer vào một nền tảng duy nhất.

Thiết bị này được sử dụng rộng rãi trong các quy trình gia công SiC, Si, GaN, sapphire và gốm sứ cao cấp, đảm bảo việc dán wafer ổn định lên đĩa mang trước khi tiến hành các công đoạn mài, làm mỏng hoặc đánh bóng. Nhờ kết hợp công nghệ làm sạch bằng sóng siêu âm với hệ thống điều khiển bôi sáp thông minh, hệ thống đạt được tỷ lệ thu hồi cao lên đến 99,91%, khiến nó trở thành giải pháp lý tưởng cho cả sản xuất hàng loạt lẫn các ứng dụng bán dẫn cao cấp.

Với khả năng vận hành hoàn toàn tự động và kết nối với hệ thống MES, máy này giúp nâng cao đáng kể hiệu quả sản xuất, tính nhất quán của quy trình và khả năng truy xuất nguồn gốc.


Các tính năng kỹ thuật chính

Hệ thống làm sạch và đánh bóng tích hợp

  • Kết hợp chức năng làm sạch đĩa gốm + hai trạm đánh bóng
  • Quy trình một bước: làm sạch → sấy khô → đánh bóng
  • Hoạt động song song giúp tăng năng suất

Căn chỉnh độ chính xác cực cao

  • Hệ thống định vị bằng hình ảnh CCD
  • Độ chính xác căn chỉnh: ±0,02 mm
  • Đảm bảo việc đặt tấm wafer chính xác và chất lượng hàn

Quá trình lắng đọng sáp có kiểm soát

  • Lượng sáp: 0,8 g ±0,05 g mỗi miếng
  • Phân bố đồng đều đảm bảo sự ổn định khi lắp đặt trong quá trình mài

Kiểm soát áp suất ổn định

  • Hệ thống khí nén duy trì áp suất đồng đều ở mức 5–10 N/cm²
  • Ngăn ngừa hiện tượng cong vênh của tấm wafer và các khuyết tật trong quá trình hàn

Năng suất cao và tính ổn định của quy trình

  • Hiệu suất lên đến 99,91%
  • Giám sát thời gian thực với tính năng điều chỉnh thông số tự động (dải dung sai ±3%)

Thông số kỹ thuật

Tham số Giá trị
Kích thước 7740 × 3390 × 2300 mm
Nguồn điện Điện xoay chiều 380 V, 50 Hz, 90 kW
Cung cấp khí nén 2 m³/h, 0,4–0,5 MPa (khí khô không chứa dầu)
Cấp nước 2 tấn/giờ ở áp suất 0,3 MPa, nước khử ion có điện trở suất ≥12 MΩ·cm

Nguyên lý hoạt động

1. Giai đoạn làm sạch bằng đĩa gốm

  • Hệ thống làm sạch bằng sóng siêu âm loại bỏ các hạt và tạp chất có kích thước ở mức micromet
  • Sử dụng nước DI có độ tinh khiết cao (≥12 MΩ·cm)
  • Kết hợp với dao khí + sấy chân không, đảm bảo không để lại cặn

2. Quy trình tẩy lông tự động

  • Hệ thống thị giác phát hiện tọa độ đĩa
  • Đầu phun có thể lập trình giúp tạo ra lớp sáp đồng đều
  • Tấm wafer được lắp đặt trong điều kiện áp suất được kiểm soát

3. Điều khiển quy trình thông minh

  • Hệ thống PLC đồng bộ hóa các mô-đun làm sạch và đánh bóng
  • Hỗ trợ xử lý song song lên đến 30 đĩa mỗi giờ
  • Cảm biến độ dày theo dõi độ đồng đều của sáp theo thời gian thực

Năng lực sản xuất

Kích thước tấm wafer Đường kính đĩa Số lượng Thời gian chu kỳ
4 inch Φ485 mm 11 chiếc 5 phút/đĩa
4 inch Φ576 mm 13 chiếc 6 phút/đĩa
6 inch Φ485 mm 6 chiếc 3 phút/đĩa
6 inch Φ576 mm 8 chiếc 4 phút/đĩa
8 inch Φ485 mm 3 chiếc 2 phút/đĩa
8 inch Φ576 mm 5 chiếc 3 phút/đĩa

Ứng dụng

Xử lý sơ bộ tấm bán dẫn

  • Gắn tấm wafer trước khi mài / làm mỏng / đánh bóng
  • Phù hợp với:
    • Silic (Si)
    • Cacbua silic (SiC)
    • Nitrua gali (GaN)

Sản xuất chất bán dẫn hợp chất

  • Thiết bị công suất GaN, SiC
  • Công nghệ xử lý vật liệu nền tiên tiến

Vật liệu quang học và thủy tinh

  • Chất nền sapphire
  • Gốm sứ chính xác
  • Các bộ phận quang học

MEMS và Vật liệu tiên tiến

  • Chuẩn bị tấm wafer trong công nghệ chế tạo vi mô
  • Chế biến vật liệu chuyên dụng

Những ưu điểm nổi bật

  • Tích hợp cao: Làm sạch + sấy khô + đánh bóng trong cùng một hệ thống
  • Hiệu quả năng lượng: Tỷ lệ tái sử dụng nước >80%, giảm mức tiêu thụ
  • Công suất cao: Lên đến 30 đĩa/giờ
  • Sẵn sàng cho sản xuất thông minh: Hỗ trợ tích hợp MES/ERP
  • Tùy chỉnh linh hoạt: Hỗ trợ đĩa không tiêu chuẩn có đường kính từ 300–650 mm
  • Thay đổi nhanh: Thời gian thay khuôn <3 phút

Những điểm nổi bật về hiệu suất

  • Độ lệch về độ đồng đều của sáp: ≤±3%
  • Lượng nước tiêu thụ: ≤0,5 lít/đĩa
  • Hoạt động tự động với khả năng truy xuất nguồn gốc đầy đủ
  • Kiểm soát quy trình ổn định và có thể lặp lại

Câu hỏi thường gặp

Câu hỏi 1: Làm thế nào để đảm bảo lợi suất cao?

Hệ thống căn chỉnh hình ảnh CCD chuyên dụng mang lại độ chính xác định vị ±0,02 mm, đảm bảo chất lượng lắp đặt tấm wafer luôn ổn định.

Câu hỏi 2: Mức tiêu thụ nước là bao nhiêu?

Hệ thống đạt hiệu suất tái chế nước >80%, với mức tiêu thụ chỉ ≤0,5 lít cho mỗi đĩa.

Câu hỏi 3: Thiết bị có hỗ trợ chuyển đổi kích thước tấm wafer nhanh không?

Đúng vậy, thư viện thiết bị thông minh cho phép tự động chuyển đổi dụng cụ trong vòng 3 phút thông qua giao diện người dùng (HMI).

Đánh giá

Chưa có đánh giá nào.

Hãy là người đầu tiên nhận xét “Ceramic Disc Cleaning and Waxing Integrated Machine for Semiconductor Wafer Mounting and Pre-Processing”

Email của bạn sẽ không được hiển thị công khai. Các trường bắt buộc được đánh dấu *