Thiết bị hàn wafer là một hệ thống hiệu suất cao được thiết kế dành cho các ứng dụng đóng gói bán dẫn tiên tiến, sản xuất MEMS và tích hợp bán dẫn thế hệ thứ ba. Thiết bị này hỗ trợ các tấm wafer có kích thước từ 2 inch đến 12 inch và cho phép thực hiện hàn trực tiếp ở nhiệt độ phòng cũng như hàn ưa nước, nhờ đó đặc biệt phù hợp cho việc hàn các vật liệu Si-Si, SiC-SiC và các vật liệu dị chất (Si-SiC, GaN, Sapphire, v.v.).
Được thiết kế dành cho cả môi trường nghiên cứu và phát triển (R&D) lẫn sản xuất hàng loạt, hệ thống này tích hợp các tính năng căn chỉnh siêu chính xác, điều khiển áp suất và nhiệt độ theo vòng kín, cùng điều kiện hàn chân không cực cao, đảm bảo độ bền liên kết cao, độ đồng đều bề mặt tiếp xúc tuyệt vời và tỷ lệ khuyết tật thấp.
Các tính năng chính
1. Công nghệ liên kết ở nhiệt độ phòng tiên tiến
- Loại bỏ ứng suất nhiệt và hiện tượng cong vênh của tấm wafer
- Cho phép kết dính các vật liệu nhạy cảm với nhiệt độ và các vật liệu khác nhau
- Hỗ trợ liên kết ưa nước và liên kết kích hoạt bằng plasma
2. Căn chỉnh độ chính xác cực cao
- Độ chính xác căn chỉnh dấu: ≤ ±2 μm
- Độ chính xác căn chỉnh mép: ≤ ±50 μm
- Tùy chọn nâng cấp lên hệ thống căn chỉnh dưới micromet
3. Độ bám dính cao và chất lượng bề mặt tiếp xúc
- ≥ 2,0 J/m² (liên kết trực tiếp Si-Si ở nhiệt độ phòng)
- Lên đến ≥5 J/m² khi sử dụng phương pháp kích hoạt bề mặt bằng plasma
- Độ sạch giao diện tuyệt vời trong điều kiện chân không cực cao (UHV)
4. Khả năng tương thích với nhiều loại vật liệu
Hỗ trợ kết dính cho:
- Chất bán dẫn: Si, SiC, GaN, GaAs, InP
- Vật liệu quang học: Sapphire, Thủy tinh
- Vật liệu chức năng: LiNbO₃, Kim cương
5. Khả năng linh hoạt trong quy trình
- Kích thước tấm wafer: 2″ – 12″
- Tương thích với các mẫu có hình dạng không đều
- Các mô-đun tùy chọn: sấy sơ bộ / ủ (nhiệt độ phòng – 500°C)
Thông số kỹ thuật
| Tham số | Thông số kỹ thuật |
|---|---|
| Các phương pháp liên kết | Liên kết trực tiếp / Liên kết kích hoạt bằng plasma |
| Kích thước tấm wafer | 2″ – 12″ |
| Dải áp suất | 0 – 10 MPa |
| Max Force | 100 kN |
| Phạm vi nhiệt độ | Nhiệt độ phòng – 500°C (Tùy chọn) |
| Mức chân không | ≤ 5 × 10⁻⁶ Torr |
| Độ chính xác của việc căn chỉnh | ≤ ±2 μm (Điểm đánh dấu), ≤ ±50 μm (Cạnh) |
| Độ bám dính | ≥ 2,0 J/m² (RT Si-Si) |
Hệ thống điều khiển thông minh
- Màn hình cảm ứng HMI cấp công nghiệp
- Hỗ trợ lưu trữ hơn 50 công thức quy trình
- Điều khiển vòng kín áp suất-nhiệt độ theo thời gian thực
- Hiệu suất quy trình ổn định và có thể lặp lại
An toàn & Độ tin cậy
- Hệ thống bảo vệ ba lớp (áp suất / nhiệt độ / chân không)
- Hệ thống dừng khẩn cấp
- Được thiết kế để tương thích với phòng sạch loại 100
Các tùy chọn cấu hình
- Hệ thống xử lý tấm wafer bằng robot
- Giao diện truyền thông SECS/GEM (sẵn sàng tích hợp vào nhà máy sản xuất)
- Mô-đun kiểm tra tại chỗ
- Thiết bị kích hoạt bề mặt bằng plasma
Ứng dụng điển hình
1. Đóng gói MEMS
Niêm phong kín khí cho các cảm biến như cảm biến gia tốc và cảm biến con quay hồi chuyển
2. Tích hợp mạch tích hợp 3D
Xếp chồng wafer cho TSV và đóng gói tiên tiến
3. Thiết bị bán dẫn hợp chất
Kết dính và chuyển lớp cho các thiết bị công suất GaN / SiC
4. Cảm biến hình ảnh CMOS (CIS)
Quá trình hàn ở nhiệt độ thấp giữa các tấm wafer CMOS và các chất nền quang học
5. Vi mạch sinh học & Công nghệ vi lưu chất
Kết nối đáng tin cậy cho các thiết bị phòng thí nghiệm trên chip
Ví dụ về quy trình
Gắn kết tấm wafer LiNbO₃ – SiC (ở nhiệt độ phòng)
- Đảm bảo bề mặt kết dính chắc chắn và đồng đều
- Được xác nhận bằng hình ảnh TEM cắt ngang
- Phù hợp cho các ứng dụng tần số cao và quang điện tử
Hỏi & Đáp
Câu hỏi 1: Tại sao nên chọn phương pháp hàn wafer ở nhiệt độ phòng thay vì phương pháp hàn nhiệt?
Việc kết dính ở nhiệt độ phòng giúp tránh sự chênh lệch nhiệt độ và ứng suất, do đó rất lý tưởng cho các vật liệu không đồng nhất và giúp nâng cao hiệu suất trong lĩnh vực đóng gói tiên tiến.
Câu hỏi 2: Những vật liệu nào có thể được dán lại với nhau?
Hệ thống hỗ trợ nhiều loại vật liệu khác nhau, bao gồm:
- Chất bán dẫn: Si, SiC, GaN
- Các oxit: SiO₂, LiNbO₃
- Kim loại: Cu, Au
Tại sao nên chọn hệ thống này?
- Hiệu suất đã được chứng minh trong sản xuất thiết bị điện SiC
- Độ bám dính đã được xác nhận thông qua thử nghiệm trong phòng thí nghiệm và phân tích TEM
- Được thiết kế dành cho cả các viện nghiên cứu và các nhà máy sản xuất công nghiệp
- Kiến trúc mô-đun đảm bảo khả năng mở rộng và nâng cấp lâu dài
Request a Quote for High-Precision Wafer Bonding Equipment for Si-Si, SiC-SiC & Heterogeneous Integration
Tell us your required specifications, dimensions, quantity, application and technical requirements. You can also provide drawings or additional project information. Our technical team will review your requirements and reply as soon as possible.
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.