ウェーハボンディング装置は、先端半導体パッケージング、MEMS製造、第3世代半導体集積のために設計された高性能システムです。2インチから12インチのウェーハに対応し、室温でのダイレクトボンディングと親水性ボンディングが可能で、特にSi-Si、SiC-SiC、異種材料（Si-SiC、GaN、サファイアなど）のボンディングに適しています。.

研究開発環境と大量生産の両方に対応するよう設計されたこのシステムは、超精密アライメント、閉ループ圧力・温度制御、超高真空接合条件を統合し、高い接合強度、優れた界面均一性、低欠陥密度を保証する。.

主な特徴

1.先進の常温接合技術

• 熱応力とウェハ反りを排除
• 温度に敏感な異種材料の接着が可能
• 親水性接着とプラズマ活性化接着に対応

2.超高精度アライメント

• マークアライメント精度：≦±2μm
• エッジアライメント精度：≦±50μm
• オプションでサブミクロンアライメントシステムにアップグレード可能

3.高い接着強度と界面品質

• ≥ 2.0 J/m²（室温でのSi-Si直接接合）
• プラズマ表面活性化で最大5 J/m² 以上
• 超高真空条件下での優れた界面清浄性

4.幅広い素材適合性

のボンディングをサポートする：

• 半導体Si、SiC、GaN、GaAs、InP
• 光学材料サファイア、ガラス
• 機能性材料LiNbO₃、ダイヤモンド

5.柔軟なプロセス能力

• ウエハーサイズ：2″～12
• 不定形サンプルに対応
• オプションモジュール：予熱/アニール（RT-500）

技術仕様

インテリジェント・コントロール・システム

• 工業用タッチスクリーンHMI
• 50以上のプロセスレシピ保存をサポート
• リアルタイム圧力温度クローズドループ制御
• 安定した再現性のあるプロセス性能

安全性と信頼性

• トリプルインターロック保護（圧力/温度/真空）
• 緊急停止システム
• クラス100クリーンルーム対応設計

オプション構成

• ロボットウエハーハンドリングシステム
• SECS/GEM通信インターフェース（ファブ統合対応）
• インライン検査モジュール
• プラズマ表面活性化ユニット

代表的なアプリケーション

1.MEMSパッケージング

加速度計やジャイロスコープなどのセンサー用密閉シール

2.3D ICインテグレーション

TSVおよび先端パッケージング用ウェハ積層

3.化合物半導体デバイス

GaN / SiCパワーデバイスのボンディングとレイヤートランスファー

4.CMOSイメージセンサー（CIS）

CMOSウェハーと光学基板の低温接合

5.バイオチップとマイクロ流体

ラボオンチップ・デバイスのための信頼性の高いボンディング

プロセス例

LiNbO₃ - SiCウェハボンディング（室温）

• 強固で均一な接着界面を実現
• 断面TEMイメージングによる検証
• 高周波およびオプトエレクトロニクス用途に最適

Q&A

Q1: なぜ熱接合ではなく常温接合を選ぶのですか？

常温接合は熱ミスマッチやストレスを回避するため、異種材料に最適で、先端パッケージングの歩留まりを向上させる。.

Q2: 接合が可能な素材は何ですか？

このシステムは、以下のような幅広い素材に対応している：

• 半導体Si、SiC、GaN
• 酸化物SiO₂、LiNbO₃
• 金属：銅、金

このシステムを選ぶ理由

• SiCパワーデバイス製造における実績
• ラボ試験とTEM分析により接合強度を検証
• 研究機関および産業用ファブの両方向けに設計
• モジュール式アーキテクチャにより、長期的なスケーラビリティとアップグレードが可能