Оборудование для склеивания пластин - это высокопроизводительная система, разработанная для передовой упаковки полупроводников, производства МЭМС и интеграции полупроводников третьего поколения. Оно поддерживает пластины размером от 2 до 12 дюймов и позволяет осуществлять прямое склеивание при комнатной температуре и гидрофильное склеивание, что делает его особенно подходящим для склеивания Si-Si, SiC-SiC и гетерогенных материалов (Si-SiC, GaN, сапфир и т. д.).

Система, предназначенная как для научно-исследовательских работ, так и для массового производства, объединяет в себе сверхточное выравнивание, замкнутый цикл контроля давления и температуры, а также условия склеивания в сверхвысоком вакууме, обеспечивая высокую прочность склеивания, отличную однородность интерфейса и низкую плотность дефектов.
Основные характеристики
1. Передовая технология склеивания при комнатной температуре
- Устранение теплового напряжения и коробления пластин
- Обеспечивает склеивание термочувствительных и разнородных материалов
- Поддерживает гидрофильное соединение и плазменно-активированное соединение
2. Сверхвысокая точность выравнивания
- Точность выравнивания маркировки: ≤ ±2 мкм
- Точность выравнивания краев: ≤ ±50 мкм
- Опциональная модернизация системы субмикронного выравнивания
3. Высокая прочность сцепления и качество интерфейса
- ≥ 2,0 Дж/м² (прямое соединение Si-Si при комнатной температуре)
- До ≥5 Дж/м² при плазменной активации поверхности
- Превосходная чистота интерфейса в условиях сверхвысокого напряжения
4. Широкая совместимость с материалами
Поддерживает соединение:
- Полупроводники: Si, SiC, GaN, GaAs, InP
- Оптические материалы: Сапфир, стекло
- Функциональные материалы: LiNbO₃, алмаз
5. Гибкость технологических возможностей
- Размер пластин: 2″ - 12″
- Совместимость с образцами неправильной формы
- Дополнительные модули: предварительный нагрев / отжиг (RT-500°C)
Технические характеристики
| Параметр | Технические характеристики |
|---|---|
| Методы скрепления | Прямое скрепление / плазменно-активированное скрепление |
| Размер пластины | 2″ - 12″ |
| Диапазон давления | 0 - 10 МПа |
| Максимальная сила | 100 кН |
| Диапазон температур | Комнатная температура - 500°C (опция) |
| Уровень вакуума | ≤ 5 × 10-⁶ Торр |
| Точность выравнивания | ≤ ±2 мкм (метка), ≤ ±50 мкм (кромка) |
| Прочность сцепления | ≥ 2,0 Дж/м² (RT Si-Si) |
Интеллектуальная система управления
- Сенсорный экран промышленного класса HMI
- Поддерживает хранение 50+ рецептов процессов
- Замкнутый контур управления давлением и температурой в реальном времени
- Стабильные и повторяющиеся характеристики процесса
Безопасность и надежность
- Тройная защита от блокировки (давление / температура / вакуум)
- Система аварийного отключения
- Разработан для совместимости с чистыми помещениями класса 100
Дополнительные конфигурации
- Роботизированная система обработки пластин
- Интерфейс связи SECS/GEM (готовность к интеграции в фабрику)
- Модуль последовательного контроля
- Установка для активации плазменной поверхности
Типовые применения
1. Упаковка МЭМС
Герметичное уплотнение для датчиков, таких как акселерометры и гироскопы
2. Интеграция 3D ИС
Штабелирование пластин для TSV и усовершенствованной упаковки
3. Составные полупроводниковые приборы
Склеивание и перенос слоев в силовых устройствах GaN / SiC
4. КМОП-датчики изображения (CIS)
Низкотемпературное склеивание КМОП-подложек и оптических субстратов
5. Биочипы и микрофлюидика
Надежное соединение для устройств "лаборатория-на-чипе
Пример процесса
Соединение LiNbO₃ - SiC пластин (комнатная температура)
- Обеспечивает прочное и равномерное склеивание поверхностей
- Проверено с помощью поперечного ТЕМ-изображения
- Подходит для высокочастотных и оптоэлектронных приложений
ВОПРОСЫ И ОТВЕТЫ
Q1: Почему стоит выбрать склеивание пластин при комнатной температуре вместо термического склеивания?
Склеивание при комнатной температуре позволяет избежать термического несоответствия и напряжения, что делает его идеальным для гетерогенных материалов и повышает выход продукции в современной упаковке.
Вопрос 2: Какие материалы можно склеивать?
Система поддерживает широкий спектр материалов, включая:
- Полупроводники: Si, SiC, GaN
- Оксиды: SiO₂, LiNbO₃
- Металлы: Cu, Au
Почему стоит выбрать эту систему
- Проверенная эффективность при производстве силовых устройств SiC
- Прочность соединения подтверждена лабораторными испытаниями и анализом TEM
- Предназначен как для исследовательских институтов, так и для промышленных заводов
- Модульная архитектура обеспечивает долгосрочную масштабируемость и возможность модернизации
Request a Quote for High-Precision Wafer Bonding Equipment for Si-Si, SiC-SiC & Heterogeneous Integration
Tell us your required specifications, dimensions, quantity, application and technical requirements. You can also provide drawings or additional project information. Our technical team will review your requirements and reply as soon as possible.





Отзывы
Отзывов пока нет.