L'équipement de collage de plaquettes est un système haute performance conçu pour l'emballage de semi-conducteurs avancés, la fabrication de MEMS et l'intégration de semi-conducteurs de troisième génération. Il prend en charge les plaquettes de 2 à 12 pouces et permet le collage direct à température ambiante et le collage hydrophile, ce qui le rend particulièrement adapté au collage des matériaux Si-Si, SiC-SiC et hétérogènes (Si-SiC, GaN, Sapphire, etc.).

Conçu pour les environnements de R&D et la production de masse, le système intègre un alignement ultra-précis, un contrôle de la pression et de la température en boucle fermée et des conditions de collage sous ultra-vide, ce qui garantit une grande force de collage, une excellente uniformité de l'interface et une faible densité de défauts.

Caractéristiques principales

1. Technologie avancée de collage à température ambiante

  • Élimine les contraintes thermiques et le gauchissement des plaquettes de silicium
  • Permet de coller des matériaux thermosensibles et dissemblables
  • Favorise la liaison hydrophile et la liaison activée par plasma

2. Alignement de très haute précision

  • Précision de l'alignement des marques : ≤ ±2 μm
  • Précision de l'alignement des bords : ≤ ±50 μm
  • Mise à niveau optionnelle vers un système d'alignement submicronique

3. Résistance élevée de l'adhérence et qualité de l'interface

  • ≥ 2,0 J/m² (liaison directe Si-Si à température ambiante)
  • Jusqu'à ≥5 J/m² avec l'activation de la surface du plasma
  • Excellente propreté de l'interface dans des conditions UHV

4. Large compatibilité avec les matériaux

Soutient le collage de :

  • Semi-conducteurs : Si, SiC, GaN, GaAs, InP
  • Matériaux optiques : Saphir, verre
  • Matériaux fonctionnels : LiNbO₃, Diamant

5. Capacité de traitement flexible

  • Taille de la plaquette : 2″ - 12″
  • Compatible avec les échantillons de forme irrégulière
  • Modules optionnels : préchauffage / recuit (RT-500°C)

Spécifications techniques

Paramètres Spécifications
Méthodes de collage Collage direct / Collage activé par plasma
Taille de la plaquette 2″ - 12″
Gamme de pression 0 - 10 MPa
Force maximale 100 kN
Plage de température Température ambiante - 500°C (en option)
Niveau de vide ≤ 5 × 10-⁶ Torr
Précision de l'alignement ≤ ±2 μm (marque), ≤ ±50 μm (bord)
Force d'adhérence ≥ 2,0 J/m² (RT Si-Si)

Système de contrôle intelligent

  • IHM à écran tactile de qualité industrielle
  • Prise en charge du stockage de plus de 50 recettes de processus
  • Contrôle en temps réel de la pression et de la température en boucle fermée
  • Performances stables et reproductibles

Sécurité et fiabilité

  • Triple protection de verrouillage (pression / température / vide)
  • Système d'arrêt d'urgence
  • Conçu pour être compatible avec les salles blanches de classe 100

Configurations optionnelles

  • Système de manutention robotisée des plaquettes de silicium
  • Interface de communication SECS/GEM (prêt pour l'intégration en usine)
  • Module d'inspection en ligne
  • Unité d'activation de la surface du plasma

Applications typiques

1. Emballage MEMS

Scellage hermétique pour les capteurs tels que les accéléromètres et les gyroscopes

2. Intégration 3D des circuits intégrés

Empilage de wafers pour TSV et emballages avancés

3. Dispositifs à semi-conducteurs composés

Collage et transfert de couches de dispositifs de puissance GaN / SiC

4. Capteurs d'image CMOS (CIS)

Collage à basse température de plaquettes CMOS et de substrats optiques

5. Biopuces et microfluidique

Collage fiable pour les laboratoires sur puce

Exemple de processus

LiNbO₃ - SiC Wafer Bonding (température ambiante)

  • Permet d'obtenir une interface de collage solide et uniforme
  • Vérification par imagerie TEM transversale
  • Convient aux applications haute fréquence et optoélectroniques

Q&R

Q1 : Pourquoi choisir le collage de plaquettes à température ambiante plutôt que le collage thermique ?

Le collage à température ambiante évite les décalages thermiques et les contraintes, ce qui le rend idéal pour les matériaux hétérogènes et améliore le rendement des emballages avancés.

Q2 : Quels sont les matériaux qui peuvent être collés ?

Le système prend en charge une large gamme de matériaux, notamment :

  • Semi-conducteurs : Si, SiC, GaN
  • Oxydes : SiO₂, LiNbO₃
  • Métaux : Cu, Au

Pourquoi choisir ce système ?

  • Des performances éprouvées dans la fabrication de dispositifs de puissance SiC
  • La force d'adhérence a été vérifiée par des tests en laboratoire et des analyses TEM.
  • Conçu pour les instituts de recherche et les fabs industriels
  • L'architecture modulaire garantit l'évolutivité et la mise à jour à long terme.

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