O equipamento de colagem de bolachas é um sistema de elevado desempenho concebido para o embalamento avançado de semicondutores, o fabrico de MEMS e a integração de semicondutores de terceira geração. Suporta wafers de 2 a 12 polegadas e permite a colagem direta à temperatura ambiente e a colagem hidrofílica, o que o torna particularmente adequado para a colagem de materiais Si-Si, SiC-SiC e heterogéneos (Si-SiC, GaN, safira, etc.).

Concebido tanto para ambientes de I&D como para produção em massa, o sistema integra alinhamento de ultra-precisão, controlo de pressão e temperatura em circuito fechado e condições de colagem em vácuo ultra-elevado, garantindo uma elevada resistência de colagem, excelente uniformidade de interface e baixa densidade de defeitos.
Caraterísticas principais
1. Tecnologia avançada de ligação à temperatura ambiente
- Elimina o stress térmico e o empeno da bolacha
- Permite a colagem de materiais sensíveis à temperatura e dissimilares
- Suporta a ligação hidrofílica e a ligação activada por plasma
2. Alinhamento de precisão ultra-elevada
- Precisão do alinhamento da marca: ≤ ±2 μm
- Precisão do alinhamento dos bordos: ≤ ±50 μm
- Atualização opcional para o sistema de alinhamento submicrónico
3. Elevada força de ligação e qualidade de interface
- ≥ 2,0 J/m² (ligação direta Si-Si à temperatura ambiente)
- Até ≥5 J/m² com ativação da superfície do plasma
- Excelente limpeza da interface em condições UHV
4. Ampla compatibilidade de materiais
Suporta a ligação de:
- Semicondutores: Si, SiC, GaN, GaAs, InP
- Materiais ópticos: Safira, vidro
- Materiais funcionais: LiNbO₃, Diamante
5. Capacidade de processo flexível
- Tamanho da pastilha: 2″ - 12″
- Compatível com amostras de formato irregular
- Módulos opcionais: pré-aquecimento / recozimento (RT-500°C)
Especificações técnicas
| Parâmetro | Especificação |
|---|---|
| Métodos de ligação | Colagem direta / Colagem activada por plasma |
| Tamanho da pastilha | 2″ - 12″ |
| Gama de pressão | 0 - 10 MPa |
| Força máxima | 100 kN |
| Gama de temperaturas | Temperatura ambiente - 500°C (opcional) |
| Nível de vácuo | ≤ 5 × 10-⁶ Torr |
| Precisão do alinhamento | ≤ ±2 μm (Marca), ≤ ±50 μm (Borda) |
| Força de ligação | ≥ 2,0 J/m² (RT Si-Si) |
Sistema de controlo inteligente
- HMI com ecrã tátil de nível industrial
- Suporta o armazenamento de mais de 50 receitas de processo
- Controlo em tempo real da pressão-temperatura em circuito fechado
- Desempenho estável e repetível do processo
Segurança e fiabilidade
- Proteção tripla de interbloqueio (pressão / temperatura / vácuo)
- Sistema de paragem de emergência
- Concebido para compatibilidade com salas limpas de classe 100
Configurações opcionais
- Sistema robótico de manuseamento de bolachas
- Interface de comunicação SCEE/GEM (pronta para integração na fábrica)
- Módulo de inspeção em linha
- Unidade de ativação de superfície por plasma
Aplicações típicas
1. Embalagem MEMS
Vedação hermética para sensores como acelerómetros e giroscópios
2. Integração de CI 3D
Empilhamento de bolachas para TSV e embalagem avançada
3. Dispositivos semicondutores compostos
Ligação de dispositivos de potência GaN / SiC e transferência de camadas
4. Sensores de imagem CMOS (CIS)
Colagem a baixa temperatura de bolachas CMOS e substratos ópticos
5. Biochips e microfluídica
Ligação fiável para dispositivos lab-on-chip
Exemplo de processo
Ligação de pastilha LiNbO₃ - SiC (temperatura ambiente)
- Obtém-se uma interface de ligação forte e uniforme
- Verificado por imagem TEM em secção transversal
- Adequado para aplicações de alta frequência e optoelectrónicas
PERGUNTAS E RESPOSTAS
P1: Porquê escolher a colagem de bolachas à temperatura ambiente em vez da colagem térmica?
A colagem à temperatura ambiente evita a incompatibilidade térmica e o stress, tornando-a ideal para materiais heterogéneos e melhorando o rendimento em embalagens avançadas.
Q2: Que materiais podem ser colados?
O sistema suporta uma vasta gama de materiais, incluindo:
- Semicondutores: Si, SiC, GaN
- Óxidos: SiO₂, LiNbO₃
- Metais: Cu, Au
Porquê escolher este sistema
- Desempenho comprovado no fabrico de dispositivos de potência SiC
- Força de ligação verificada através de testes laboratoriais e análise TEM
- Concebida para institutos de investigação e fábricas industriais
- A arquitetura modular garante escalabilidade e capacidade de atualização a longo prazo






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