O equipamento de colagem de bolachas é um sistema de elevado desempenho concebido para o embalamento avançado de semicondutores, o fabrico de MEMS e a integração de semicondutores de terceira geração. Suporta wafers de 2 a 12 polegadas e permite a colagem direta à temperatura ambiente e a colagem hidrofílica, o que o torna particularmente adequado para a colagem de materiais Si-Si, SiC-SiC e heterogéneos (Si-SiC, GaN, safira, etc.).

Concebido tanto para ambientes de I&D como para produção em massa, o sistema integra alinhamento de ultra-precisão, controlo de pressão e temperatura em circuito fechado e condições de colagem em vácuo ultra-elevado, garantindo uma elevada resistência de colagem, excelente uniformidade de interface e baixa densidade de defeitos.

Caraterísticas principais

1. Tecnologia avançada de ligação à temperatura ambiente

  • Elimina o stress térmico e o empeno da bolacha
  • Permite a colagem de materiais sensíveis à temperatura e dissimilares
  • Suporta a ligação hidrofílica e a ligação activada por plasma

2. Alinhamento de precisão ultra-elevada

  • Precisão do alinhamento da marca: ≤ ±2 μm
  • Precisão do alinhamento dos bordos: ≤ ±50 μm
  • Atualização opcional para o sistema de alinhamento submicrónico

3. Elevada força de ligação e qualidade de interface

  • ≥ 2,0 J/m² (ligação direta Si-Si à temperatura ambiente)
  • Até ≥5 J/m² com ativação da superfície do plasma
  • Excelente limpeza da interface em condições UHV

4. Ampla compatibilidade de materiais

Suporta a ligação de:

  • Semicondutores: Si, SiC, GaN, GaAs, InP
  • Materiais ópticos: Safira, vidro
  • Materiais funcionais: LiNbO₃, Diamante

5. Capacidade de processo flexível

  • Tamanho da pastilha: 2″ - 12″
  • Compatível com amostras de formato irregular
  • Módulos opcionais: pré-aquecimento / recozimento (RT-500°C)

Especificações técnicas

Parâmetro Especificação
Métodos de ligação Colagem direta / Colagem activada por plasma
Tamanho da pastilha 2″ - 12″
Gama de pressão 0 - 10 MPa
Força máxima 100 kN
Gama de temperaturas Temperatura ambiente - 500°C (opcional)
Nível de vácuo ≤ 5 × 10-⁶ Torr
Precisão do alinhamento ≤ ±2 μm (Marca), ≤ ±50 μm (Borda)
Força de ligação ≥ 2,0 J/m² (RT Si-Si)

Sistema de controlo inteligente

  • HMI com ecrã tátil de nível industrial
  • Suporta o armazenamento de mais de 50 receitas de processo
  • Controlo em tempo real da pressão-temperatura em circuito fechado
  • Desempenho estável e repetível do processo

Segurança e fiabilidade

  • Proteção tripla de interbloqueio (pressão / temperatura / vácuo)
  • Sistema de paragem de emergência
  • Concebido para compatibilidade com salas limpas de classe 100

Configurações opcionais

  • Sistema robótico de manuseamento de bolachas
  • Interface de comunicação SCEE/GEM (pronta para integração na fábrica)
  • Módulo de inspeção em linha
  • Unidade de ativação de superfície por plasma

Aplicações típicas

1. Embalagem MEMS

Vedação hermética para sensores como acelerómetros e giroscópios

2. Integração de CI 3D

Empilhamento de bolachas para TSV e embalagem avançada

3. Dispositivos semicondutores compostos

Ligação de dispositivos de potência GaN / SiC e transferência de camadas

4. Sensores de imagem CMOS (CIS)

Colagem a baixa temperatura de bolachas CMOS e substratos ópticos

5. Biochips e microfluídica

Ligação fiável para dispositivos lab-on-chip

Exemplo de processo

Ligação de pastilha LiNbO₃ - SiC (temperatura ambiente)

  • Obtém-se uma interface de ligação forte e uniforme
  • Verificado por imagem TEM em secção transversal
  • Adequado para aplicações de alta frequência e optoelectrónicas

PERGUNTAS E RESPOSTAS

P1: Porquê escolher a colagem de bolachas à temperatura ambiente em vez da colagem térmica?

A colagem à temperatura ambiente evita a incompatibilidade térmica e o stress, tornando-a ideal para materiais heterogéneos e melhorando o rendimento em embalagens avançadas.

Q2: Que materiais podem ser colados?

O sistema suporta uma vasta gama de materiais, incluindo:

  • Semicondutores: Si, SiC, GaN
  • Óxidos: SiO₂, LiNbO₃
  • Metais: Cu, Au

Porquê escolher este sistema

  • Desempenho comprovado no fabrico de dispositivos de potência SiC
  • Força de ligação verificada através de testes laboratoriais e análise TEM
  • Concebida para institutos de investigação e fábricas industriais
  • A arquitetura modular garante escalabilidade e capacidade de atualização a longo prazo

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