Categoria: Crystal Growth Furnace
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Forno de crescimento de cristais
Forno de síntese de matéria-prima de SiC de 50 kg Preparação de cristais de carboneto de silício de alta pureza
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Forno de crescimento de cristais
Linha de automação de polimento quádruplo de wafer de silício e SiC de 6-8 polegadas com loop de limpeza e remontagem
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Forno de crescimento de cristais
Forno de oxidação LPCVD de 6/8/12 polegadas Deposição de película fina de alta uniformidade para fabrico avançado de semicondutores
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Forno de crescimento de cristais
Forno de crescimento de cristais de safira para cristais de 80-400 kg utilizando o método Kyropoulos (KY)
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Forno de crescimento de cristais
Forno de crescimento de SiC (Método PVT) para produção de cristais de carboneto de silício de 6-12 polegadas
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Forno de crescimento de cristais
Forno de crescimento de cristal único de SiC para cristais de 6 e 8 polegadas utilizando os métodos PVT, Lely e TSSG
