O forno de oxidação LPCVD de 6/8/12 polegadas é uma ferramenta de fabrico de semicondutores de última geração, concebida para uma deposição precisa e uniforme de película fina. É amplamente aplicado no crescimento de camadas de polissilício, nitreto de silício e óxido de silício de alta qualidade em bolachas, garantindo um desempenho consistente para semicondutores de potência, substratos avançados e outras aplicações de alta precisão.
Este equipamento combina tecnologia avançada de deposição a baixa pressão, controlo inteligente da temperatura e design de processo ultra-limpo para obter uma uniformidade excecional de película fina e um elevado rendimento. A sua configuração de reator vertical permite um processamento eficiente por lotes, enquanto o seu processo de deposição térmica evita danos induzidos por plasma, tornando-o ideal para processos críticos como a formação de dieléctricos de porta, camadas de amortecimento de tensões e óxidos protectores.
Principais vantagens
- Deposição de película fina de alta uniformidade: O ambiente de baixa pressão (0,1-10 Torr) garante uma uniformidade wafer-to-wafer e intra-wafer de ±1,5%, essencial para o fabrico de dispositivos de elevado desempenho.
- Conceção do Reator Vertical: Processa 150-200 bolachas por lote, melhorando o rendimento e a eficiência da produção para o fabrico de semicondutores à escala industrial.
- Processo de deposição térmica (500-900°C): Proporciona uma deposição suave e sem plasma para proteger substratos sensíveis e manter uma elevada qualidade da película.
- Controlo inteligente da temperatura: Monitorização e ajuste em tempo real com precisão de ±1°C para resultados estáveis e repetíveis.
- Câmara de processo ultra-limpa: Minimiza a contaminação por partículas, suportando SiC e outros materiais de bolacha avançados.
- Configuração personalizável: O design flexível acomoda vários requisitos de processo, incluindo oxidação a seco ou húmida e diferentes tamanhos de bolacha.
Especificações técnicas
| Caraterística | Especificação |
|---|---|
| Tamanho da pastilha | 6/8/12 Polegadas |
| Materiais compatíveis | Polissilício, Nitreto de silício, Óxido de silício |
| Tipo de oxidação | Oxigénio seco / Oxigénio húmido (DCE, HCL) |
| Gama de temperaturas do processo | 500°C-900°C |
| Zona de temperatura constante | ≥800 mm |
| Precisão do controlo da temperatura | ±1°C |
| Controlo de partículas | 0,32μm), 0,32μm), 0,226μm) |
| Espessura da película | NIT1500 ±50 Å |
| Uniformidade | Dentro da bolacha <2,5%, bolacha a bolacha <2,5%, lote a lote <2% |
Caraterísticas do produto
- O manuseamento automatizado de bolachas garante uma elevada segurança e eficiência operacional.
- A câmara de processamento ultra-limpa reduz o risco de contaminação e mantém a qualidade consistente da película.
- A uniformidade superior da espessura da película suporta o fabrico avançado de nós.
- O controlo inteligente da temperatura e da pressão em tempo real permite ajustes precisos do processo.
- O suporte de pastilha de SiC reduz a fricção e a geração de partículas, aumentando a vida útil da pastilha.
- O design modular permite a personalização para diversas aplicações e necessidades de processo.
Princípio do processo de deposição
- Introdução ao gás: Os gases reagentes são introduzidos no tubo em condições de baixa pressão (0,25-1 Torr).
- Difusão de superfície: As moléculas difundem-se livremente pela superfície da bolacha, assegurando uma cobertura uniforme.
- Adsorção: Os reagentes aderem à superfície da bolacha antes da reação química.
- Reação química: A decomposição térmica forma a película fina desejada diretamente sobre o substrato.
- Remoção de subprodutos: Os gases não reactivos são evacuados para manter a pureza e evitar interferências.
- Formação de filmes: Os produtos da reação acumulam-se gradualmente, formando uma camada de película fina uniforme e estável.
Aplicações
- Camada de óxido de proteção: Protege as bolachas de silício da contaminação e reduz a canalização de iões durante os processos de dopagem.
- Camada de óxido de almofada: Actua como um amortecedor de tensões entre as camadas de silício e de nitreto de silício, evitando a fissuração da bolacha e melhorando o rendimento.
- Camada de óxido de porta: Fornece a camada dieléctrica em estruturas MOS, assegurando uma condução precisa da corrente e o controlo do efeito de campo.
Configurações do sistema
- LPCVD vertical: Os gases do processo fluem de cima para baixo, conseguindo uma deposição uniforme em todos os wafers de um lote.
- LPCVD horizontal: Os gases fluem ao longo do comprimento dos substratos, adequados para uma produção contínua e de grande volume, embora a espessura da deposição possa variar ligeiramente perto do lado da entrada.
Perguntas mais frequentes
Q1: Para que é que o LPCVD é utilizado principalmente?
R: O LPCVD é um processo de deposição de película fina a baixa pressão, amplamente utilizado no fabrico de semicondutores para a deposição de polissilício, nitreto de silício e óxido de silício, permitindo películas uniformes e de alta qualidade para o fabrico de dispositivos avançados.
Q2: Em que é que o LPCVD difere do PECVD?
R: A LPCVD baseia-se na ativação térmica a baixa pressão para produzir películas de elevada pureza, enquanto a PECVD utiliza plasma a temperaturas mais baixas para uma deposição mais rápida, muitas vezes com uma qualidade de película ligeiramente inferior.
Q3: Que tamanhos de bolacha e materiais são compatíveis com este forno de oxidação LPCVD?
R: Este forno suporta wafers de 6 polegadas, 8 polegadas e 12 polegadas e é compatível com wafers de polissilício, nitreto de silício, óxido de silício e SiC, proporcionando flexibilidade para várias aplicações de semicondutores.
Q4: O forno de oxidação LPCVD pode ser personalizado para processos específicos?
R: Sim, o sistema oferece configurações modulares, incluindo zonas de temperatura ajustáveis, controlo do fluxo de gás e modos de oxidação (seco ou húmido), permitindo-lhe satisfazer diversos requisitos de processo, tanto para investigação como para produção à escala industrial.
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