Forno de crescimento de SiC (Método PVT) para produção de cristais de carboneto de silício de 6-12 polegadas

O forno de crescimento de SiC (método PVT) é um sistema de alto desempenho concebido para a produção de monocristais de carboneto de silício (SiC) de 6 polegadas, 8 polegadas e 12 polegadas.

Utilizando uma tecnologia avançada de aquecimento por indução, o forno proporciona um aquecimento rápido, um controlo preciso da temperatura e um baixo consumo de energia, o que o torna uma solução ideal para o crescimento de cristais de SiC à escala industrial.

É amplamente utilizado no fabrico de substratos de SiC para eletrónica de potência, dispositivos de RF e aplicações de semicondutores da próxima geração.

Caraterísticas principais

• Sistema de aquecimento por indução
  O aquecimento eletromagnético direto do cadinho de grafite garante uma elevada eficiência e uma resposta térmica rápida

• Controlo de temperatura ultra-preciso
  Precisão até ±1°C, assegurando condições estáveis de crescimento de cristais

• Baixo consumo de energia
  O design térmico optimizado reduz significativamente o custo operacional

• Alta estabilidade e baixa contaminação
  Aquecimento sem contacto + ambiente de gás inerte minimiza as impurezas

• Escalável para cristais de grande diâmetro
  Suporta o crescimento de cristais de SiC de 6″, 8″ e 12″

Especificações técnicas

Vantagens da conceção

• Compatível com crescimento de cristais de SiC semi-isolantes e condutores

• O sistema de rotação do cadinho melhora a uniformidade da temperatura

• A elevação ajustável da bobina de indução reduz as perturbações térmicas

• A câmara de quartzo arrefecida a água de camada dupla aumenta a vida útil do equipamento

• Monitorização da temperatura de ponto duplo em tempo real

• Múltiplos modos de controlo: potência constante / corrente / temperatura

• Arranque inteligente com um clique para um funcionamento automático

• Estrutura compacta para uma disposição eficiente da fábrica

• Controlo de pressão de alta precisão (até ±1 Pa)

Desempenho e aplicações

O forno permite o crescimento de monocristais de SiC de elevada pureza (≥99,999%) e com poucos defeitos, que são fundamentais para..:

• MOSFETs de SiC

• Díodos Schottky

• Dispositivos RF

• Veículos eléctricos (módulos de potência EV)

• Inversores solares

• Sistemas de comunicação 5G

Com um controlo térmico estável e condições de crescimento optimizadas, o sistema garante um elevado rendimento, consistência e escalabilidade para a produção industrial.

As nossas capacidades (ZMSH)

1. Fabrico de equipamento

• Conceção personalizada do forno de crescimento de SiC

• Suporte para diferentes tamanhos de cristais e requisitos de processo

2. Otimização do processo

• Afinação do parâmetro de crescimento PVT

• Melhoria do rendimento e da densidade de defeitos

3. Instalação e formação

• Colocação em funcionamento no local

• Formação em operação e manutenção

4. Apoio pós-venda

• Assistência técnica 24 horas por dia, 7 dias por semana

• Suporte de engenharia de resposta rápida

FAQ

Q1: O que é o método PVT no crescimento de cristais de SiC?
R: O Transporte Físico de Vapor (PVT) é um processo em que o pó de SiC é sublimado a alta temperatura e recristalizado num cristal de semente para formar cristais únicos a granel.

Q2: Porquê escolher o aquecimento por indução para o crescimento de SiC?
R: O aquecimento por indução proporciona uma resposta rápida, uma elevada eficiência e um controlo preciso, que são essenciais para o crescimento estável de cristais de SiC com poucos defeitos.

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