Il forno per la crescita del SiC (metodo PVT) è un sistema ad alte prestazioni progettato per la produzione di cristalli singoli di carburo di silicio (SiC) da 6, 8 e 12 pollici.
Grazie all'avanzata tecnologia di riscaldamento a induzione, il forno offre un riscaldamento rapido, un controllo preciso della temperatura e un basso consumo energetico, rappresentando la soluzione ideale per la crescita di cristalli di SiC su scala industriale.
È ampiamente utilizzato nella produzione di substrati di SiC per l'elettronica di potenza, i dispositivi RF e le applicazioni di semiconduttori di nuova generazione.
Caratteristiche principali
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Sistema di riscaldamento a induzione
Il riscaldamento elettromagnetico diretto del crogiolo di grafite garantisce un'elevata efficienza e una rapida risposta termica -
Controllo della temperatura ultrapreciso
Precisione fino a ±1°C, per garantire condizioni stabili di crescita dei cristalli -
Basso consumo energetico
Il design termico ottimizzato riduce significativamente i costi operativi -
Alta stabilità e bassa contaminazione
Riscaldamento senza contatto + ambiente con gas inerte che riduce al minimo le impurità -
Scalabile per cristalli di grande diametro
Supporta la crescita di cristalli SiC da 6″, 8″ e 12″.
Specifiche tecniche
| Parametro | Specifiche |
|---|---|
| Dimensioni (L×L×H) | 3200 × 1150 × 3600 mm (personalizzabile) |
| Diametro della camera del forno | 400 mm |
| Temperatura massima | 2400°C |
| Intervallo di temperatura | 900-3000°C |
| Precisione della temperatura | ±1°C |
| Metodo di riscaldamento | Riscaldamento a induzione |
| Alimentazione | 40 kW, 8-12 kHz |
| Livello di vuoto | 5 × 10-⁴ Pa |
| Intervallo di pressione | 1-700 mbar |
| Misura della temperatura | Infrarossi a doppio colore |
| Metodo di caricamento | Caricamento dal basso |
Vantaggi del design
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Compatibile con la crescita di cristalli di SiC semi-isolanti e conduttivi
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Il sistema di rotazione del crogiolo migliora l'uniformità della temperatura
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Il sollevamento regolabile della bobina di induzione riduce i disturbi termici
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La camera al quarzo a doppio strato raffreddata ad acqua prolunga la durata dell'apparecchiatura
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Monitoraggio della temperatura a doppio punto in tempo reale
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Modalità di controllo multiple: potenza costante / corrente / temperatura
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Avvio intelligente con un solo clic per un funzionamento automatico
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Struttura compatta per un layout di fabbrica efficiente
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Controllo della pressione ad alta precisione (fino a ±1 Pa)
Prestazioni e applicazioni
Il forno consente la crescita di cristalli singoli di SiC di elevata purezza (≥99,999%) e a basso contenuto di difetti, che sono fondamentali per la produzione di prodotti di alta qualità:
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MOSFET SiC
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Diodi Schottky
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Dispositivi RF
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Veicoli elettrici (moduli di potenza EV)
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Inverter solari
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Sistemi di comunicazione 5G
Grazie al controllo termico stabile e alle condizioni di crescita ottimizzate, il sistema garantisce un'elevata resa, coerenza e scalabilità per la produzione industriale.
Le nostre capacità (ZMSH)
1. Produzione di apparecchiature
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Progettazione di un forno di crescita SiC personalizzato
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Supporto per diverse dimensioni di cristallo e requisiti di processo
2. Ottimizzazione del processo
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Regolazione dei parametri di crescita PVT
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Miglioramento della resa e della densità dei difetti
3. Installazione e formazione
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Messa in servizio in loco
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Formazione sul funzionamento e la manutenzione
4. Assistenza post-vendita
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Assistenza tecnica 24/7
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Supporto tecnico a risposta rapida
FAQ
D1: Che cos'è il metodo PVT nella crescita dei cristalli di SiC?
R: Il trasporto fisico del vapore (PVT) è un processo in cui la polvere di SiC viene sublimata ad alta temperatura e ricristallizzata su un cristallo seme per formare cristalli singoli sfusi.
D2: Perché scegliere il riscaldamento a induzione per la crescita di SiC?
R: Il riscaldamento a induzione offre una risposta rapida, un'elevata efficienza e un controllo preciso, essenziali per una crescita stabile dei cristalli di SiC a basso difetto.
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