用於生產 6-12 英寸碳化矽晶體的碳化矽生長爐 (PVT 法)

SiC 生長爐（PVT 法）是專為生產 6 英寸、8 英寸和 12 英寸碳化矽 (SiC) 單晶體而設計的高性能系統。.

本爐採用先進的感應加熱技術，加熱速度快、溫度控制精準、能耗低，是工業規模 SiC 晶體生長的理想解決方案。.

它被廣泛用於製造電力電子、RF 裝置和下一代半導體應用的 SiC 基板。.

主要功能

• 感應加熱系統
  石墨坩堝的直接電磁加熱可確保高效率和快速熱反應

• 超精確溫度控制
  精確度高達 ±1°C，確保穩定的晶體生長條件

• 低能源消耗
  最佳化的散熱設計可大幅降低運作成本

• 高穩定性與低污染
  非接觸式加熱 + 惰性氣體環境可將雜質降至最低

• 可擴充的大直徑晶體
  支援 6″、8″ 及 12″ SiC 晶體生長

技術規格

設計優勢

• 與半絕緣和導電 SiC 晶體生長相容

• 坩鍋旋轉系統可改善溫度均勻性

• 可調式感應線圈提升可降低熱干擾

• 雙層水冷式石英室可延長設備壽命

• 即時雙點溫度監控

• 多種控制模式：恒定功率/電流/溫度

• 單鍵智慧啟動，自動操作

• 緊湊型結構可實現高效的工廠佈局

• 高精度壓力控制（高達 ±1 Pa）

效能與應用

該熔爐可生長高純度 (≥99.999%) 和低缺陷的 SiC 單晶體，這對於：

• SiC MOSFET

• 肖特基二極體

• 射頻裝置

• 電動車 (EV 電源模組)

• 太陽能逆變器

• 5G 通訊系統

透過穩定的熱能控制及最佳化的生長條件，系統可確保高產量、一致性及工業生產的可擴充性。.

我們的能力 (ZMSH)

1.設備製造

• 客製化 SiC 生長爐設計

• 支援不同的晶體尺寸與製程需求

2.製程最佳化

• PVT 成長參數調整

• 良率與缺陷密度改善

3.安裝與訓練

• 現場調試

• 操作與維護訓練

4.售後服務支援

• 全天候技術支援

• 快速回應工程支援

常見問題

Q1: 什麼是 SiC 晶體生長中的 PVT 方法？
答：物理氣相輸送 (PVT) 是一種製程，SiC 粉末在高溫下昇華，並在種子晶體上重新結晶，形成大體單晶。.

Q2: 為何選擇感應加熱來進行 SiC 生長？
答：感應加熱提供快速反應、高效率和精確控制，這些都是穩定生長低缺陷 SiC 晶體的必要條件。.

GET A QUOTE

Request a Quote for SiC Growth Furnace (PVT Method) for 6–12 Inch Silicon Carbide Crystal Production

Tell us your required specifications, dimensions, quantity, application and technical requirements. You can also provide drawings or additional project information. Our technical team will review your requirements and reply as soon as possible.

名稱 *

電子郵件 *

Phone *

意見或訊息 *

傳送訊息