WGP-1271 全自動晶片薄化拋光一體機

WGP-1271 全自動晶圓研磨拋光一體機是專為先進半導體封裝中的超薄晶圓加工而設計的新一代解決方案。透過將研磨、拋光、清洗和帶子處理整合到單一自動化平台，該系統可大幅縮短製程時間，同時提高一致性和良率。.

WGP-1271 專為最大 300 mm (12 英寸) 的晶圓而設計，可將晶圓穩定地減薄至 50 μm 以下，滿足 3D IC、晶圓級封裝 (WLP) 和功率元件整合等先進封裝技術的嚴格要求。.

與傳統的多步驟系統不同，本機器將背磨和去應力拋光結合為一個統一的流程，最大限度地減少了晶圓處理，降低了損壞的風險。其結果是改善晶圓完整性、提高產量和降低總擁有成本 (TCO)。.

主要功能

1.整合式減薄與拋光製程

WGP-1271 將粗磨、精磨和拋光結合為單一工作流程。這種整合式設計省去了中間的傳送步驟，大幅減少非加工時間，提高整體生產效率。.

2.超薄晶圓能力 (<50 μm)

該系統專為超薄晶圓應用而設計。它能確保 50 微米以下晶圓的穩定加工和安全處理，這些晶圓通常較脆弱，容易翹曲或破裂。.

3.三主軸四工作站架構

有了 三主軸、四卡盤配置, WGP-1271可實現平行加工和高產量。每個主軸都針對製程的不同階段進行最佳化：

• 主軸 1：粗研磨
• 主軸 2：精磨
• 主軸 3：拋光/超精密薄化（可選乾式拋光）

這種模組化方法可確保靈活性和精確度。.

4.進階線上厚度量測 (NCG + Auto TTV)

系統整合了 旋轉式 NCG（非接觸式真空計） 具有自動 TTV 控制功能，可實時、非接觸式測量晶圓厚度。這可在整個製程中持續監控並自動調整厚度均勻性。.

5.完全自動化的端對端處理

WGP-1271 支援完整的自動化工作流程，包括

• 研磨
• 拋光
• 晶圓轉移
• 清潔
• 膠帶安裝與移除

這可減少人工干擾、提高可重複性，並確保與現代智慧型製造環境相容。.

6.可選擇乾式拋光與超精密研磨

第三主軸 (Z3 軸) 支援 X 軸移動，可設定為 乾式拋光或超精密研磨, 可依據客戶需求進行各種製程應用。.

應用

WGP-1271 是先進半導體製程的理想選擇，包括

• 超薄晶圓處理 (≤ 12 吋)
• 先進封裝 (WLP、Fan-out、3D IC)
• IGBT 和功率半導體裝置
• 矽 (Si) 晶圓減薄
• 碳化矽 (SiC) 晶圓加工
• 高密度積體電路製造

其處理超薄晶圓的能力使其特別適合需要小尺寸和高性能的下一代電子設備。.

技術規格

性能優勢

更高的效率

整合式設計可減少製程步驟和處理時間，相較於傳統的獨立系統，可大幅提升產能。.

提高產量

非接觸式量測與低應力製程可將晶圓損壞減至最低，從而提高良率與裝置可靠性。.

優異的厚度控制

即時 TTV 調整可確保極佳的厚度均勻性，這對於先進的包裝應用而言至關重要。.

降低污染風險

較少的傳送步驟和受控的製程環境有助於維持晶圓潔淨度和降低瑕疵率。.

增強製程彈性

選購的乾式拋光和超精密研磨可針對不同材料和應用進行客製化。.

工程價值與產業意義

隨著半導體裝置持續朝向更高效能與更小尺寸的方向發展，超薄晶圓已成為一項重要的需求。然而，薄化至 50 μm 以下的晶圓在處理、應力控制和缺陷預防方面帶來了重大挑戰。.

WGP-1271 透過整合式工程設計，將多個製程步驟結合為單一自動化系統，以解決這些挑戰。這不僅提高了生產效率，也增強了製程可靠性，使其成為半導體製造商過渡到先進封裝技術的寶貴資產。.

常見問題

1.整合式薄化與拋光系統的主要優點是什麼？

它減少了晶圓處理步驟，縮短了處理時間，並將晶圓損壞的風險降至最低，從而提高了效率和良率。.

2.WGP-1271 能否處理 50 μm 以下的超薄晶圓？

是的，該系統專為處理和加工薄於 50 μm 的晶圓而設計，具有高穩定性和高精度。.

3.支援哪些類型的晶圓？

本機器支援矽 (Si)、碳化矽 (SiC) 及其他半導體晶圓，最大可達 300 mm。.

4.如何控制厚度均勻性？

透過整合式非接觸式測量系統 (NCG) 結合自動 TTV 調整功能進行即時控制。.

5.機器是否支援全自動化生產？

是的，它包括自動傳輸、清潔和磁帶處理系統，因此適用於高產量的自動化晶圓廠。.