WGP-1271C 是一台高效率、全自動的晶圓薄化機器，專為處理大直徑 SiC 基板和元件晶圓的挑戰而設計。這款先進的 GGG 三軸四工位系統以精準度和生產力為設計理念，可確保對 8 吋 SiC 元件晶圓和 12 吋 SiC 基板進行穩定、一致且高品質的晶圓切割。.
WGP-1271C 配備超高扭力主軸和第四代高負荷晶圓載具，可輕鬆處理複雜且要求嚴苛的 SiC 薄化製程，而 SiC 是最具挑戰性的半導體材料之一。本機器以自動化為核心，將晶圓傳送、清洗和研磨整合為單一簡化的工作流程，大幅提高生產效率，同時減少人工干擾。.
技術特性
- 三主轴、四工位配置：最大化產量，同時確保一致的晶圓處理。.
- 超高轉矩主軸（11 kW）：確保難加工材料（如 SiC）的穩定減薄性能。.
- 第四代高負荷晶圓載具：提供精確的晶圓支撐與處理，將薄型化過程中的應力與瑕疵降至最低。.
- 自動設定功能：更換輪圈後自動完成輪圈修整，省去手動介入，減少設定時間。.
- 多種耗材選項：支援各種研磨材料和厚度目標，在降低作業成本的同時優化製程效率。.
- 全自動化：整合式晶圓輸送與清洗系統可確保將污染降至最低，並保持製程的無縫連續性。.
- 廣泛的相容性：支援多種晶圓直徑，包括φ6″、φ8″及φ12″，是現代 SiC 裝置生產線的理想選擇。.
應用
WGP-1271C 非常適合：
- 8 吋 SiC 裝置晶圓：適用於高功率電子、汽車及工業應用。.
- 12 吋 SiC 基板：適用於需要超薄晶圓的下一代高效率半導體裝置。.
- 研發：大學和半導體研發中心致力於以 SiC 為基礎的裝置原型開發。.
- 高產量生產環境：尋求穩定、自動化晶圓薄化解決方案的大型晶圓製造廠。.
它能同時處理裝置晶圓和基板，對於希望減少停機時間、提高產量和降低整體營運成本的設備來說，是一個多功能的選擇。.
機器規格
| 項目 | 規格 |
|---|---|
| 結構 | 主軸 ×3 / 晶圓架 ×4 / 工作台 ×1 / 全自動傳送及清洗系統 ×1 |
| 主軸功率 | 11 千瓦 |
| 研磨直徑 | φ6″、φ8″、φ12″。 |
| 尺寸 (寬×深×高) | 1900 公釐 × 3530 公釐 × 1900 公釐 |
為何選擇 WGP-1271C？
- 高效率與生產力：三軸四工位配置可縮短製程週期時間，同時維持高品質的輸出。.
- 優異的薄化精度：第四代晶片載具與超高扭力主軸可確保精確的晶片厚度與均勻性。.
- 減少人工介入：自動設定與全自動傳輸/清洗系統可將人力需求與設定錯誤降至最低。.
- 適用於各種製程：多樣化的耗材相容性可針對不同的晶圓尺寸和材料進行最佳化，滿足現代 SiC 製造的獨特需求。.
- 低運作成本：最佳化的製程設計與有效率的耗材使用，可確保在不影響產量的情況下降低營運成本。.
- 面向未來的生產：設計可容納更大的晶圓和下一代 SiC 裝置，支援設施擴充和技術升級。.
常見問題 (FAQ)
- 問：WGP-1271C 可以處理哪些晶圓尺寸？
A: 本機器支援φ6″、φ8″及φ12″晶圓，包括8吋SiC元件晶圓及12吋SiC基板，可彈性滿足不同的生產需求。. - 問：自動設定功能如何提高生產效率？
A: 自動設定功能可在更換砂輪後自動執行砂輪修整，省去手動介入，減少設定錯誤，節省寶貴的生產時間。. - 問：WGP-1271C 是否可以處理難度較高的 SiC 薄晶圓而不產生裂縫？
A: 是的，有了超高扭力主軸和第四代高負荷晶圓架，即使是難以加工的 SiC 晶圓，這台機器也能確保穩定的薄化，將應力和瑕疵降至最低。. - 問：本機器是否同時適用於研發和量產的環境？
A: 絕對可以。它的全自動傳送和清洗系統，結合高精度主軸，使其成為研究開發和大規模製造的理想選擇。. - 問：WGP-1271C 如何降低作業成本？
A: 該機器提供最佳化的耗材配置和高效率的製程，可減少材料浪費和人工成本，同時維持高產量和穩定的晶圓品質。.
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