WG-1281 全自動晶圓背面研磨機是專為高精度半導體製造而設計的先進晶圓減薄解決方案。此系統專為滿足功率電子和先進封裝對薄化晶圓不斷增加的需求而設計，整合了精密機械、智慧型自動化和污染控制設計。.
WG-1281 支援最大 12 英吋的晶圓，特別適合 IGBT 晶圓減薄製程，因為厚度均勻、低應力和最小破損對於最終裝置性能至關重要。其雙主軸、三卡盤配置可確保高產量，同時維持絕佳的製程穩定性。.
在現代半導體生產中，晶圓薄化是直接影響裝置可靠性、散熱性能和封裝效率的關鍵步驟。WG-1281 專為因應這些挑戰而設計，並著重於精準度、可重複性和良率提升。.
技術特性
1.先進的 X 軸主軸移動
WG-1281 整合了創新的 X 軸主軸移動系統，可靈活控制研磨路徑。此功能增強了製程適應性，特別是對於複雜的晶圓結構，例如 IGBT 裝置，可確保在整個晶圓表面均勻地去除材料。.
2.高精度非接觸式 CCD 對準
配備非接觸式 CCD 基於晶圓的對位系統，可準確檢測晶圓定位並優化研磨路徑。這最大限度地減少了人為干擾，同時顯著提高了對位精度和整體製程一致性。.
3.自動夾頭傾斜補償
系統會自動調整夾頭的傾斜角度，以補償晶圓偏差。這可縮短校正時間、縮短停機時間，並確保在延長的生產週期內保持穩定的研磨品質。.
4.低應力研磨機構
與傳統研磨系統不同，WG-1281 在處理過程中避免對晶圓邊緣施加外部壓力。這種低壓力方式可有效減少晶圓翹曲、防止微裂縫，並增強機械強度，這對於薄而脆的晶圓尤其重要。.
5.防金屬污染設計
為了符合嚴格的半導體清潔度標準，本設備採用污染控制結構，可將金屬微粒的產生量降至最低。這種設計直接有助於提高裝置良率和可靠性。.
6.全自動操作
WG-1281 整合了自動晶圓傳輸與清洗系統，可在自動生產線上進行無縫操作。它與現代晶圓廠環境相容，並支援高產量製造需求。.
應用
WG-1281 廣泛應用於半導體後段處理，尤其適用於：
- IGBT 晶片薄化 (≤ 12 英寸)
- 功率半導體元件製造
- 矽 (Si) 晶圓減薄
- 碳化矽 (SiC) 晶圓加工
- 先進的封裝與 3D 整合製程
其多功能性使其成為傳統矽基元件和新興寬帶隙半導體材料的理想解決方案。.
技術規格
| 參數 | 規格 |
|---|---|
| 結構 | 2 個主軸 / 3 個夾頭 / 1 個工作站 / 自動傳送與清洗系統 |
| 晶圓尺寸 | 8 吋 / 12 吋 |
| 主軸功率 | 5.5 kW / 9 kW (選購) |
| 主軸轉速 | 1000 - 6000 rpm |
| Z 軸行程 | 120 公釐 |
| Z 軸解析度 | 0.1 μm |
| 夾頭類型 | 多孔陶瓷真空吸盤 |
| 夾頭數量 | 3 組 |
| Chuck Speed | 0 - 300 rpm |
| 厚度變化 (TTV) | ≤ 4 μm |
| 表面粗度 (Ra) | ≤ 0.02 μm |
| 尺寸 (寬×深×高) | 1450 × 3800 × 1900 公釐 |
| 重量 | 約 4700 公斤 |
性能優勢
WG-1281 在關鍵半導體製造指標方面提供了可衡量的改進：
- 高厚度均勻性
確保一致的晶圓厚度，改善下游製程穩定性。. - 降低破損率
低應力研磨將邊緣崩裂和晶圓開裂降至最低。. - 提高產量
防污染設計與精確控制有助於提高元件良率。. - 增強製程效率
自動化可減少人工處理並提高產量。. - 優異的表面品質
實現超低表面粗糙度，支援高效能元件製造。.
工程可靠性與產業相關性
隨著電力電子與電動車技術的快速演進，對於高品質的晶圓薄化設備的需求也持續成長。WG-1281 是根據實際產業需求所開發，著重於
- 連續操作下的穩定性
- 與大量生產相容
- 對 SiC 等先進材料的適應性
- 降低總擁有成本 (TCO)
它的設計反映了實際工程經驗與對半導體製程挑戰的深入瞭解，使其成為追求長期效能的製造商的可靠選擇。.
常見問題
1.WG-1281 可以處理哪些類型的晶圓？
WG-1281 支援各種晶圓材料，包括矽 (Si)、碳化矽 (SiC) 及其他半導體基板，最大可達 12 英吋。.
2.本機器是否適合 IGBT 晶圓薄化？
是的，WG-1281 特別針對 IGBT 研磨製程進行最佳化，可確保低應力、高精度和最小的晶圓損傷。.
3.本機器如何減少晶圓破損？
它使用低應力研磨方法，避免對晶圓邊緣施加壓力，並結合精確的校準和穩定的夾頭控制。.
4.設備是否支援自動化生產線？
是的，它包括自動晶圓傳送和清洗系統，使其與現代自動化半導體廠完全相容。.
5.研磨後可達到的表面品質為何？
WG-1281 的表面粗糙度可達到 ≤ 0.02 μm，符合高階半導體製造的要求。.
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