WP-301D 雙面晶圓研磨機是專為半導體晶圓和易碎材料同時進行雙面研磨和拋光而設計的高精度系統。利用先進的行星齒輪驅動運動系統，本機器可在晶圓的上、下表面均勻地去除材料，顯著改善平面度和平行度。.
WP-301D 專為 6 吋 (150 mm) 及以下晶圓所設計，廣泛用於處理 CdZnTe (CZT)、HgCdTe (MCT)、GaAs、InP 和 InSb 等化合物半導體材料。這些材料在包括紅外線偵測、光電和高頻裝置等應用中至為重要。.
WP-301D 具有堅固的機械結構、精密的控制系統以及最佳化的主軸設計，可確保高效率、優良的表面品質以及穩定的批次加工效能。.
主要功能與技術優勢
雙面同時處理
本機器同時處理晶片的兩面，確保：
- 改善厚度均勻性
- 更好的並行性
- 縮短總處理時間
行星齒輪運動系統
整合式太陽齒輪、環狀齒輪系統可同步或獨立運作，可針對不同材料進行彈性製程控制及最佳化研磨路徑。.
高精密主軸系統
WP-301D 配備高精度嵌入式主軸，可確保穩定的旋轉和最小的震動，這對於達到一致的表面品質非常重要。.
即時壓力控制系統
該機器採用先進的閉環壓力控制系統，允許：
- 精確的壓力調整 (0.1 - 50 kg)
- 即時監控與自動修正
這可確保材料去除的一致性，並防止過度拋光。.
浮動上板設計
上板採用浮動連接結構，確保在加工過程中與下板保持平行。這可大幅改善晶圓平面度，並減少厚度變化。.
技術規格
| 項目 | 規格 |
|---|---|
| 工件尺寸 | 最大直徑 150 公釐（6 英吋） |
| 下板速度 | 0 - 30 rpm |
| 研磨方式 | 雙面行星研磨 |
| 載體數量 | 5 |
| 壓力範圍 | 0.1 - 50 公斤 |
| 板材 | 玻璃 / 陶瓷 |
| 機器尺寸 | 1572 × 1053 × 2533 公釐 |
| 重量 | 約 2300 公斤 |
工作原理
WP-301D 使用行星運動機制運作，晶圓被放置在上下板之間的載具內。.
操作期間：
- 下板連續旋轉
- 太陽齒輪驅動托架
- 環狀齒輪控制旋轉運動
這種組合可在晶圓和拋光板之間產生複雜的相對運動，確保兩個表面的材料去除均勻一致。.
同時，壓力控制系統可維持一致的力道，而浮動上板可動態適應以維持平行接觸。這導致
- 高平面度
- 均勻厚度
- 表層下損害最小
應用
WP-301D 雙面研磨機廣泛應用於：
- 化合物半導體晶圓加工
- 紅外線材料 (CZT、MCT)
- III-V 材料（GaAs、InP、InSb）
- 光學基板與精密元件
- 研究實驗室與批量生產
它特別適用於 6 吋及以下的易碎材料，因為精密度和表面完整性是非常重要的。.
核心優勢
- 高效率
雙面加工可縮短總加工時間 - 高精度
確保絕佳的平面度與平行度 - 製程穩定性
閉環壓力控制可改善一致性 - 彈性操作
獨立或同步齒輪控制 - 針對脆弱材料進行最佳化
將應力減至最低並防止開裂
常見問題
Q1: 雙面研磨的主要優勢是什麼？
答：可同時處理兩個晶圓表面，與單面研磨相比，可提高平面度、平行度和效率。.
Q2: 可以加工哪些材料？
答：本機器適用於 CZT、MCT、GaAs、InP、InSb 及其他軟脆半導體材料。.
Q3: WP-301D 支援何種晶圓尺寸？
答：它支援最大 150 mm (6 英寸) 的晶圓。.
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