La rettificatrice per wafer a doppio lato WP-301D è un sistema ad alta precisione progettato per la rettifica e la lucidatura simultanea su due lati di wafer di semiconduttori e materiali fragili. Utilizzando un avanzato sistema di movimento a ingranaggi planetari, la macchina consente la rimozione uniforme del materiale su entrambe le superfici superiore e inferiore del wafer, migliorando significativamente la planarità e il parallelismo.
Progettato per wafer da 150 mm e inferiori, il WP-301D è ampiamente utilizzato nella lavorazione di materiali semiconduttori composti come CdZnTe (CZT), HgCdTe (MCT), GaAs, InP e InSb. Questi materiali sono fondamentali in applicazioni quali il rilevamento a infrarossi, l'optoelettronica e i dispositivi ad alta frequenza.
Grazie alla robusta struttura meccanica, al sistema di controllo di precisione e al design ottimizzato del mandrino, la WP-301D garantisce un'elevata efficienza, un'eccellente qualità superficiale e prestazioni stabili nella lavorazione dei lotti.
Caratteristiche principali e vantaggi tecnici
Elaborazione simultanea su due lati
La macchina elabora contemporaneamente entrambi i lati del wafer, assicurando così un'ottima qualità di lavorazione:
- Migliore uniformità dello spessore
- Migliore parallelismo
- Riduzione del tempo totale di elaborazione
Sistema di movimento a ingranaggi planetari
Il sistema integrato di ingranaggi solari e anulari può funzionare in modo sincrono o indipendente, consentendo un controllo flessibile del processo e percorsi di rettifica ottimizzati per diversi materiali.
Sistema di mandrini ad alta precisione
Dotata di un mandrino incorporato ad alta precisione, la WP-301D garantisce una rotazione stabile e vibrazioni minime, essenziali per ottenere una qualità costante della superficie.
Sistema di controllo della pressione in tempo reale
La macchina è dotata di un avanzato sistema di controllo della pressione ad anello chiuso, che consente:
- Regolazione accurata della pressione (0,1 - 50 kg)
- Monitoraggio in tempo reale e correzione automatica
Ciò garantisce un'asportazione costante del materiale ed evita una lucidatura eccessiva.
Design della piastra superiore flottante
La piastra superiore adotta una struttura di connessione flottante, che garantisce che rimanga parallela alla piastra inferiore durante la lavorazione. Ciò migliora significativamente la planarità del wafer e riduce la variazione di spessore.
Specifiche tecniche
| Articolo | Specifiche |
|---|---|
| Dimensioni del pezzo | Fino a Ø150 mm (6 pollici) |
| Velocità della piastra inferiore | 0 - 30 giri/minuto |
| Metodo di macinazione | Macinazione planetaria a doppio lato |
| Quantità del vettore | 5 |
| Intervallo di pressione | 0,1 - 50 kg |
| Materiale della piastra | Vetro / Ceramica |
| Dimensioni della macchina | 1572 × 1053 × 2533 mm |
| Peso | Circa 2300 kg |
Principio di funzionamento
Il WP-301D funziona con un meccanismo di movimento planetario, in cui i wafer sono collocati all'interno di supporti posizionati tra la piastra superiore e quella inferiore.
Durante il funzionamento:
- La piastra inferiore ruota continuamente
- L'ingranaggio solare aziona i supporti
- La corona dentata controlla il movimento rotatorio
Questa combinazione crea un complesso movimento relativo tra il wafer e le piastre di lucidatura, garantendo una rimozione uniforme del materiale su entrambe le superfici.
Contemporaneamente, il sistema di controllo della pressione mantiene una forza costante, mentre la piastra superiore flottante si adatta dinamicamente per mantenere un contatto parallelo. Ciò si traduce in:
- Elevata planarità
- Spessore uniforme
- Danno minimo al sottosuolo
Applicazioni
La rettificatrice a doppia faccia WP-301D è ampiamente utilizzata in:
- Lavorazione dei wafer di semiconduttori composti
- Materiali a infrarossi (CZT, MCT)
- Materiali III-V (GaAs, InP, InSb)
- Substrati ottici e componenti di precisione
- Laboratori di ricerca e produzione di lotti
È particolarmente adatto per materiali fragili da 6 pollici in giù, dove la precisione e l'integrità della superficie sono fondamentali.
Vantaggi principali
- Alta efficienza
La lavorazione su due lati riduce il tempo totale di lavorazione - Alta precisione
Assicura un'eccellente planarità e parallelismo - Stabilità del processo
Il controllo della pressione ad anello chiuso migliora l'uniformità - Funzionamento flessibile
Controllo indipendente o sincronizzato degli ingranaggi - Ottimizzato per materiali fragili
Riduce al minimo le sollecitazioni e previene le fessurazioni
FAQ
D1: Qual è il principale vantaggio della rettifica su due lati?
R: Consente la lavorazione simultanea di entrambe le superfici del wafer, migliorando la planarità, il parallelismo e l'efficienza rispetto alla rettifica su un solo lato.
D2: Quali materiali possono essere lavorati?
R: La macchina è adatta per CZT, MCT, GaAs, InP, InSb e altri materiali semiconduttori morbidi e fragili.
D3: Quali dimensioni di wafer supporta il WP-301D?
R: Supporta wafer fino a 150 mm (6 pollici).
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