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Forno per la crescita dei cristalli
Forno di sintesi della materia prima SiC da 50 kg Preparazione dei cristalli di carburo di silicio di elevata purezza
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Forno per la crescita dei cristalli
Linea di automazione per la lucidatura quadrupla di wafer di silicio e SiC da 6-8 pollici con ciclo di pulizia e rimontaggio
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