Catégorie: Crystal Growth Furnace
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50kg SiC Raw Material Synthesis Furnace Préparation de cristaux de carbure de silicium de haute pureté
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Four de croissance des cristaux
Four d'oxydation LPCVD 6/8/12 pouces Dépôt de couches minces à haute uniformité pour la fabrication de semi-conducteurs avancés
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Four de croissance de cristaux de saphir pour des cristaux de 80 à 400 kg par la méthode de Kyropoulos (KY)
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Four de croissance des cristaux
Four de croissance SiC (méthode PVT) pour la production de cristaux de carbure de silicium de 6 à 12 pouces
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Four de croissance monocristalline SiC pour cristaux de 6 et 8 pouces utilisant les méthodes PVT, Lely et TSSG
