De Wafer Bonding Equipment is een hoogwaardig systeem ontworpen voor geavanceerde halfgeleiderverpakking, MEMS-fabricage en halfgeleiderintegratie van de derde generatie. Het ondersteunt 2-inch tot 12-inch wafers en maakt directe verlijming bij kamertemperatuur en hydrofiele verlijming mogelijk, waardoor het bijzonder geschikt is voor Si-Si, SiC-SiC en heterogene materiaalverlijming (Si-SiC, GaN, Sapphire, enz.).

Het systeem is ontworpen voor zowel R&D-omgevingen als massaproductie en integreert ultraprecieze uitlijning, druk- en temperatuurregeling met gesloten lus en ultrahoog vacuüm, waardoor een hoge hechtsterkte, uitstekende interface-uniformiteit en lage defectdichtheid worden gegarandeerd.

Belangrijkste kenmerken

1. Geavanceerde verbindingstechnologie bij kamertemperatuur

• Elimineert thermische stress en vervorming van de wafer
• Maakt lijmen van temperatuurgevoelige en ongelijksoortige materialen mogelijk
• Ondersteunt hydrofiele hechting en plasma-geactiveerde hechting

2. Uitlijning met ultrahoge precisie

• Nauwkeurigheid markeringuitlijning: ≤ ±2 μm
• Nauwkeurigheid randuitlijning: ≤ ±50 μm
• Optionele upgrade naar submicron uitlijnsysteem

3. Hoge hechtsterkte en interfacekwaliteit

• ≥ 2,0 J/m² (directe Si-Si binding bij kamertemperatuur)
• Tot ≥5 J/m² met plasma-oppervlakactivering
• Uitstekende interfacereinheid onder UHV-condities

4. Brede materiaalcompatibiliteit

Ondersteunt verlijming van:

• Halfgeleiders: Si, SiC, GaN, GaAs, InP
• Optische materialen: Saffier, glas
• Functionele materialen: LiNbO₃, Diamant

5. Flexibele procesmogelijkheden

• Wafelformaat: 2″ - 12″
• Compatibel met onregelmatig gevormde monsters
• Optionele modules: voorgloeien/gloeien (RT-500°C)

Technische specificaties

Intelligent besturingssysteem

• Industriële touchscreen HMI
• Ondersteunt opslag van 50+ procesrecepten
• Real-time druk-temperatuur gesloten regelkring
• Stabiele en herhaalbare procesprestaties

Veiligheid en betrouwbaarheid

• Drievoudige vergrendelingsbeveiliging (druk / temperatuur / vacuüm)
• Noodstopsysteem
• Ontworpen voor klasse 100 cleanroom compatibiliteit

Optionele configuraties

• Robotverwerkingssysteem voor wafers
• Communicatie-interface SECS/GEM (klaar voor fab-integratie)
• Inline inspectiemodule
• Plasma-oppervlak activeringseenheid

Typische toepassingen

1. MEMS-verpakking

Hermetische afdichting voor sensoren zoals versnellingsmeters en gyroscopen

2. 3D IC integratie

Waferstapeling voor TSV en geavanceerde verpakking

3. Samengestelde halfgeleiderelementen

GaN / SiC power device bonding en laagoverdracht

4. CMOS-beeldsensoren (CIS)

Lijmen bij lage temperatuur van CMOS-wafers en optische substraten

5. Biochips & Microfluïdica

Betrouwbare hechting voor lab-on-chip apparaten

Voorbeeld proces

LiNbO₃ - SiC waferverbinding (kamertemperatuur)

• Bereikt een sterke en uniforme hechtingsinterface
• Geverifieerd door TEM-beeldvorming van dwarsdoorsnede
• Geschikt voor hoogfrequente en opto-elektronische toepassingen

VRAGEN EN ANTWOORDEN

V1: Waarom wafer bonding bij kamertemperatuur in plaats van thermische bonding?

Lijmen bij kamertemperatuur vermijdt thermische mismatch en spanning, waardoor het ideaal is voor heterogene materialen en de opbrengst in geavanceerde verpakkingen verbetert.

V2: Welke materialen kunnen worden verlijmd?

Het systeem ondersteunt een breed scala aan materialen, waaronder:

• Halfgeleiders: Si, SiC, GaN
• Oxiden: SiO₂, LiNbO₃
• Metalen: Cu, Au

Waarom dit systeem kiezen

• Bewezen prestaties in de productie van SiC-vermogenapparaten
• Geverifieerde hechtsterkte door laboratoriumtests en TEM-analyse
• Ontworpen voor zowel onderzoeksinstituten als industriële fabs
• Modulaire architectuur garandeert schaalbaarheid en upgradebaarheid op lange termijn