Интегрированное оборудование для эпитаксии карбида кремния (SiC) с вертикальным воздушным потоком - это передовая система эпитаксиального роста, разработанная для высокоэффективного производства 6- и 8-дюймовых эпиподложек SiC. Разработанная для удовлетворения растущих потребностей производства силовых полупроводников, эта система объединяет точный тепловой контроль, оптимизированную динамику газового потока и интеллектуальную автоматизацию для обеспечения исключительных характеристик однородности, пропускной способности и контроля дефектов.
В основе системы лежит инновационная конструкция душевой головки с вертикальным потоком воздуха, которая обеспечивает равномерное распределение технологических газов по поверхности пластины. В сочетании с многозонным контролем температурного поля это обеспечивает превосходную равномерность толщины и стабильную концентрацию легирующих элементов, что крайне важно для высокопроизводительных силовых устройств SiC.
Система имеет высокоинтегрированную структуру с автоматизированной обработкой пластин с помощью системы EFEM, а также высокотемпературный механизм переноса пластин. Это позволяет легко интегрировать систему в современные линии по производству полупроводников, сократить количество ручных операций, повысить стабильность процесса и эффективность работы.
Для поддержки промышленного производства оборудование имеет двухкамерную конфигурацию, способную работать в непрерывном режиме с несколькими печами. Производительность оборудования составляет более 1100 пластин в месяц, а при оптимизации процесса - до 1200 пластин, поэтому оно хорошо подходит для крупносерийного производства.
Оборудование совместимо с 6- и 8-дюймовыми пластинами SiC, что обеспечивает гибкость для производителей, переходящих на пластины большего размера. Оно также демонстрирует отличные возможности для выращивания толстых эпитаксиальных слоев и эпитаксии с заполнением траншей, что делает его особенно подходящим для производства современных высоковольтных и мощных устройств.
Кроме того, оптимизированная конструкция реактора обеспечивает низкую плотность дефектов, повышенную производительность и снижение стоимости владения. Прочная конструкция и удобство обслуживания еще больше повышают надежность и стабильность работы в долгосрочной перспективе.
Ключевые технические преимущества
- Душевая лейка с вертикальным потоком воздуха для равномерного распределения газа
- Многозонный контроль температуры для точного терморегулирования
- Двухкамерная конфигурация для высокопроизводительного производства
- Низкая плотность дефектов и высокая производительность
- Автоматизированная обработка пластин с интеграцией EFEM
- Совместимость с 6- и 8-дюймовыми пластинами SiC
- Оптимизированы для толстой эпитаксии и процессов заполнения траншей
- Высокая надежность при упрощенном обслуживании
Производительность процесса
| Параметр | Технические характеристики |
|---|---|
| Пропускная способность | ≥1100 пластин/месяц (в двух камерах), до 1200 пластин/месяц (в оптимизированной камере) |
| Совместимость с размерами пластин | 6” / 8” эпи-вафли из SiC |
| Контроль температуры | Мультизона |
| Система воздушного потока | Вертикально регулируемый многозонный воздушный поток |
| Скорость вращения | 0-1000 об/мин |
| Максимальный темп роста | ≥60 мкм/час |
| Равномерность толщины | ≤2% (оптимизированный ≤1%, σ/avg, EE 5 мм) |
| Равномерность легирования | ≤3% (оптимизированный ≤1,5%, σ/avg, EE 5 мм) |
| Убийственная плотность дефектов | ≤0,2 см-² (оптимизировано до 0,01 см-²) |
Сценарии применения
Это оборудование широко используется в производстве современных полупроводниковых приборов на основе SiC, особенно в отраслях, требующих высокой эффективности, высокого напряжения и высоких тепловых характеристик:
- Электромобили (EV)
Используется в производстве SiC MOSFET и силовых модулей для инверторов, бортовых зарядных устройств и DC-DC преобразователей, повышая энергоэффективность и дальность поездки. - Возобновляемые энергетические системы
Применяются в фотоэлектрических инверторах и системах накопления энергии, обеспечивая более высокую эффективность преобразования и надежность системы. - Промышленная силовая электроника
Подходит для мощных моторных приводов, систем промышленной автоматизации и блоков питания, требующих стабильной и эффективной работы. - Железнодорожный транзит и электросети
Поддерживает высоковольтные и высокочастотные устройства, используемые в интеллектуальных сетях, системах тяги и инфраструктуре передачи электроэнергии. - Высокотехнологичные устройства питания
Идеально подходит для производства современных SiC-приборов, таких как диоды Шоттки, МОП-транзисторы и высоковольтные компоненты нового поколения.
ЧАСТО ЗАДАВАЕМЫЕ ВОПРОСЫ
1. Какие размеры пластин поддерживает данное оборудование для эпитаксии?
Система поддерживает как 6-, так и 8-дюймовые пластины SiC, позволяя производителям удовлетворять текущие производственные потребности и одновременно готовиться к будущему масштабированию.
2. Какие преимущества дает вертикальная конструкция воздушного потока?
Вертикальная система подачи воздуха обеспечивает равномерное распределение газа по пластине, улучшая равномерность толщины, уменьшая количество дефектов и повышая общее качество эпитаксии.
3. Подходит ли это оборудование для крупносерийного производства?
Да, система имеет двухкамерную конфигурацию и непрерывный режим работы, а ее месячная производительность превышает 1100 пластин. Она хорошо подходит для стабильного крупномасштабного промышленного производства, обеспечивая постоянную производительность, высокую стабильность выхода и долгосрочную эффективность работы.
Request a Quote for Integrated Vertical Airflow SiC Epitaxy Equipment for 6”/8” Epi-Wafers
Tell us your required specifications, dimensions, quantity, application and technical requirements. You can also provide drawings or additional project information. Our technical team will review your requirements and reply as soon as possible.
Отзывы
Отзывов пока нет.