Az integrált függőleges légáramú szilíciumkarbid (SiC) epitaxiás berendezés egy fejlett epitaxiális növekedési rendszer, amelyet 6 hüvelykes és 8 hüvelykes SiC epi-lapkák nagy hatékonyságú gyártására terveztek. A teljesítmény félvezetőgyártás növekvő igényeinek kielégítésére tervezett rendszer pontos hőszabályozást, optimalizált gázáramlási dinamikát és intelligens automatizálást integrál, hogy kivételes teljesítményt nyújtson az egyenletesség, az áteresztőképesség és a hibák ellenőrzése terén.
A rendszer középpontjában egy innovatív, függőleges légáramú zuhanyfej kialakítása áll, amely lehetővé teszi a technológiai gázok egyenletes eloszlását az ostya felületén. A többzónás hőmérséklet-mezőszabályozással kombinálva kiváló vastagsági egyenletességet és stabil adalékkoncentrációt biztosít - ami kritikus fontosságú a nagy teljesítményű SiC teljesítményű eszközökhöz.
A rendszer magasan integrált szerkezetű, EFEM rendszeren keresztül automatizált ostyakezeléssel és magas hőmérsékletű ostyatovábbító mechanizmussal rendelkezik. Ez lehetővé teszi a modern félvezetőgyártó sorokba való zökkenőmentes integrálást, csökkenti a kézi beavatkozást, és javítja a folyamat konzisztenciáját és a működési hatékonyságot.
Az ipari méretű gyártás támogatása érdekében a berendezés kétkamrás konfigurációval rendelkezik, amely képes a folyamatos többkamrás működésre. A havi 1100 ostyát meghaladó - és a folyamat optimalizálásával akár 1200 ostyát is elérő - teljesítményével jól alkalmazható nagy volumenű gyártási környezetekben.
A berendezés kompatibilis mind a 6 hüvelykes, mind a 8 hüvelykes SiC ostyákkal, így rugalmasságot biztosít a nagyobb ostyaméretekre áttérő gyártók számára. Emellett kiváló képességeket mutat a vastag epitaxiarétegek növesztése és az árkok kitöltésével történő epitaxia terén is, így különösen alkalmas a fejlett nagyfeszültségű és nagy teljesítményű eszközök gyártására.
Az optimalizált reaktorkonstrukció emellett alacsony hibasűrűséget, jobb hozamot és csökkentett üzemeltetési költséget biztosít. A robusztus felépítés és a karbantartásbarát kialakítás tovább növeli a hosszú távú megbízhatóságot és működési stabilitást.
Legfontosabb műszaki előnyök
- Függőleges légáramú zuhanyfej kialakítása az egyenletes gázelosztás érdekében
- Többzónás hőmérséklet-szabályozás a pontos hőkezelésért
- Kétkamrás konfiguráció a nagy áteresztőképességű termeléshez
- Alacsony hibasűrűség és magas hozam
- Automatizált ostyakezelés EFEM integrációval
- Kompatibilitás 6” és 8” SiC ostyákkal
- Optimalizált vastag epitaxiás és árokkitöltő eljárásokhoz
- Nagy megbízhatóság és egyszerűsített karbantartás
Folyamat teljesítménye
| Paraméter | Specifikáció |
|---|---|
| Átviteli teljesítmény | ≥1100 ostya/hó (két kamra), akár 1200 ostya/hó (optimalizált) |
| Wafer méret kompatibilitás | 6” / 8” SiC epi-lapátok |
| Hőmérséklet-szabályozás | Többzónás |
| Légáramlási rendszer | Függőlegesen állítható többzónás légáramlás |
| Forgási sebesség | 0-1000 fordulat/perc |
| Maximális növekedési ráta | ≥60 μm/óra |
| Vastagság egyenletessége | ≤2% (optimalizált ≤1%, σ/avg, EE 5mm) |
| Dopping egyenletesség | ≤3% (optimalizált ≤1,5%, σ/avg, EE 5mm) |
| Gyilkos hiba sűrűsége | ≤0,2 cm-² (0,01 cm-²-re optimalizálva) |
Alkalmazási forgatókönyvek
Ezt a berendezést széles körben használják a fejlett SiC-alapú félvezető eszközök gyártásában, különösen a nagy hatékonyságot, nagy feszültséget és nagy hőteljesítményt igénylő iparágakban:
- Elektromos járművek (EV-k)
SiC MOSFET-ek és teljesítménymodulok gyártásánál használják inverterekhez, fedélzeti töltőkhöz és DC-DC átalakítókhoz, javítva az energiahatékonyságot és a hatótávolságot. - Megújuló energiarendszerek
Fotovoltaikus inverterekben és energiatároló rendszerekben alkalmazzák, lehetővé téve a nagyobb átalakítási hatékonyságot és a rendszer megbízhatóságát. - Ipari teljesítményelektronika
Alkalmas nagy teljesítményű motorhajtásokhoz, ipari automatizálási rendszerekhez és stabil és hatékony működést igénylő tápegységekhez. - Vasúti tranzit és elektromos hálózatok
Támogatja az intelligens hálózatokban, vontatási rendszerekben és az energiaátviteli infrastruktúrában használt nagyfeszültségű és nagyfrekvenciás eszközöket. - High-End tápegységek
Ideális fejlett SiC-eszközök, például Schottky-diódák, MOSFET-ek és új generációs nagyfeszültségű alkatrészek gyártásához.
GYIK
1. Milyen ostyaméreteket támogat ez az epitaxiás berendezés?
A rendszer támogatja mind a 6 hüvelykes, mind a 8 hüvelykes SiC ostyákat, lehetővé téve a gyártók számára, hogy megfeleljenek a jelenlegi termelési igényeknek, miközben felkészülnek a jövőbeli méretezéshez.
2. Milyen előnyökkel jár a függőleges légáramlású kialakítás?
A függőleges légáramlási rendszer biztosítja a gáz egyenletes eloszlását az ostyán, javítva a vastagság konzisztenciáját, csökkentve a hibákat és javítva az epitaxiális minőséget.
3. Alkalmas-e ez a berendezés nagy volumenű gyártásra?
Igen, a rendszer kétkamrás konfigurációval és folyamatos üzemmóddal rendelkezik, havi 1100 ostyát meghaladó átmenettel. Jól alkalmas stabil, nagyüzemi ipari termelésre, biztosítva az egyenletes teljesítményt, a nagy hozamstabilitást és a hosszú távú működési hatékonyságot.
Request a Quote for Integrated Vertical Airflow SiC Epitaxy Equipment for 6”/8” Epi-Wafers
Tell us your required specifications, dimensions, quantity, application and technical requirements. You can also provide drawings or additional project information. Our technical team will review your requirements and reply as soon as possible.
Értékelések
Még nincsenek értékelések.