A 8 hüvelykes SiC epitaxiális ostya a széles sávszélességű félvezető technológia legújabb fejlesztését jelenti. A 200 mm-es SiC szubsztrátra épülő, kiváló minőségű epitaxiális réteggel ellátott terméket úgy tervezték, hogy támogassa a skálázható, nagy hatékonyságú teljesítményű eszközök gyártását.
A kisebb méretű ostyákhoz képest a 8 hüvelykes SiC-ostyák jelentősen növelik a felhasználható területet, ami nagyobb eszközkibocsátást tesz lehetővé ostyánként, és csökkenti a chipenkénti költségeket. Ez kritikus megoldást jelent a szilíciumkarbid teljesítményeszközök nagyüzemi gyártására áttérő iparágak számára.
A SiC epitaxiális ostyák egyesítik a szilícium-karbid belső előnyeit, beleértve a széles sávszélességet, a nagy elektromos átütési mezőt és a kiváló hővezető képességet, az eszközgyártáshoz szabott, pontosan szabályozott epitaxiális rétegekkel. Ezeket az ostyákat széles körben használják a következő generációs MOSFET-ekben, Schottky-diódákban és integrált teljesítménymodulokban.
Főbb specifikációk
| Paraméter | Érték |
|---|---|
| Átmérő | 200 ± 0,5 mm |
| Polytype | 4H-SiC |
| Vezetőképesség típusa | N-típusú |
| Vastagság | 700 ± 50 μm |
| Felületkezelés | Kétoldalas CMP polírozott |
| Orientáció | 4.0° tengelyen kívül ±0.5° |
| Notch | Szabványos rovátkolás orientáció |
| Edge profil | Lefutás / lekerekített él |
| Felületi érdesség | Szub-nanométeres szint |
| Csomagolás | Kazetta vagy egy ostyát tartalmazó tartály |
Tipikus fajlagos ellenállás:
- N-típusú: 0,015-0,028 Ω-cm
- Félszigetelő: ≥1E7 Ω-cm
Elérhető osztályok:
- Nulla MPD fokozat
- Gyártási fokozat
- Kutatási fokozat
- Dummy fokozat
Epitaxiális réteg képességek
Az epitaxiális réteg növesztése fejlett kémiai gőzfázisú leválasztási (CVD) technológiával történik, amely lehetővé teszi a vastagság, az adalékkoncentráció és az egyenletesség pontos szabályozását.
A rendelkezésre álló testreszabási lehetőségek közé tartozik:
- N-típusú vagy P-típusú epitaxiális rétegek
- Állítható epi vastagság a különböző eszközszerkezetekhez
- Egyenletes adalékolási profilok a teljes ostyán
- Alacsony hibasűrűség a magas eszközhozamért
A kiváló minőségű epitaktika elengedhetetlen a stabil elektromos teljesítmény és a hosszú távú megbízhatóság eléréséhez a tápegységekben.
Gyártási folyamat
Szubsztrát előkészítés
A nagy tisztaságú monokristályos SiC szubsztrátokat magas hőmérsékletű növekedési módszerekkel állítják elő, és polírozással érik el az ultraalacsony felületi érdességet.
Epitaxiális növekedés
Az epitaxiaréteget magas hőmérsékleten, CVD-rendszerek segítségével helyezik le, ami biztosítja az egyenletes vastagságot és az egyenletes anyagtulajdonságokat a 200 mm-es ostyán.
Doppingellenőrzés
Az epitaxiális növesztés során pontos adalékolást alkalmaznak a különböző eszközarchitektúrák követelményeinek való megfelelés érdekében.
Méréstechnika és ellenőrzés
Az egyenletes minőség biztosítása érdekében minden egyes ostyát átfogó vizsgálatoknak vetnek alá, beleértve a felületelemzést, a hibák feltérképezését és az elektromos jellemzést.
Előnyök
Skálázható gyártás
A 8 hüvelykes ostyaméret jelentősen növeli az egy ostyára jutó chipkibocsátást, javítja a gyártás hatékonyságát és csökkenti az egy eszközre jutó költségeket.
Nagy hatékonyságú teljesítmény
A SiC anyagtulajdonságai alacsonyabb kapcsolási veszteségeket, nagyobb teljesítménysűrűséget és jobb energiahatékonyságot tesznek lehetővé.
Kiváló hőkezelés
A nagy hővezető képesség támogatja a stabil működést nagy teljesítmény mellett, és csökkenti a hűtési igényeket.
Alacsony hibasűrűség
A fejlett kristálynövesztési és epitaxiális eljárások biztosítják a nagy hozamot és a megbízható eszközteljesítményt.
Jövőre kész platform
A 8 hüvelykes SiC ostyák megfelelnek a félvezetőiparban a nagyobb ostyaformátumok és az automatizált tömeggyártás felé mutató trendnek.
Alkalmazások
Elektromos járművek
Vontatási inverterekben, fedélzeti töltőkben és DC-DC átalakítókban használatos. A nagyobb ostyaméret támogatja az EV-platformok nagy hatékonyságú tápegységeinek tömeggyártását.
Megújuló energiarendszerek
Napelemes inverterekben és szélerőművi átalakítókban alkalmazzák, ahol a hatékonyság és a megbízhatóság kritikus fontosságú a hosszú távú működéshez.
Ipari teljesítményelektronika
Támogatja a stabil és hatékony energiaátalakítást igénylő motorhajtásokat, automatizálási rendszereket és nagy teljesítményű berendezéseket.
5G és RF infrastruktúra
Lehetővé teszi a kommunikációs rendszerekben és bázisállomásokon használt nagyfrekvenciás és nagy teljesítményű RF-összetevőket.
Fogyasztói teljesítményelektronika
Kompakt, nagy hatékonyságú tápegységekben és gyorstöltő rendszerekben használatos.
GYIK
1. kérdés: Mi a 8 hüvelykes SiC ostyák fő előnye?
A nagyobb ostyaméret növeli az egy ostyára jutó chipek számát, ami jelentősen csökkenti az egy eszközre jutó gyártási költségeket és javítja a gyártás hatékonyságát.
2. kérdés: Kiforrott a 8 hüvelykes SiC technológia?
Jelenleg a kísérleti gyártásból a korai szakaszban lévő tömeggyártásba lép át, és egyre nagyobb mértékben alkalmazzák a fejlett félvezetőgyártásban.
3. kérdés: Az epitaxiális rétegek testre szabhatók?
Igen, az adalékolás típusa, a vastagság és az elektromos tulajdonságok testre szabhatók, hogy megfeleljenek az adott eszköz követelményeinek.
4. kérdés: A meglévő gyártósorok kompatibilisek a 8 hüvelykes ostyákkal?
Néhány berendezés korszerűsítésére lehet szükség, de sok modern gyár már készül a 200 mm-es SiC-feldolgozásra.
Értékelések
Még nincsenek értékelések.