A 8 hüvelykes SiC epitaxiális ostya a széles sávszélességű félvezető technológia legújabb fejlesztését jelenti. A 200 mm-es SiC szubsztrátra épülő, kiváló minőségű epitaxiális réteggel ellátott terméket úgy tervezték, hogy támogassa a skálázható, nagy hatékonyságú teljesítményű eszközök gyártását.
A kisebb méretű ostyákhoz képest a 8 hüvelykes SiC-ostyák jelentősen növelik a felhasználható területet, ami nagyobb eszközkibocsátást tesz lehetővé ostyánként, és csökkenti a chipenkénti költségeket. Ez kritikus megoldást jelent a szilíciumkarbid teljesítményeszközök nagyüzemi gyártására áttérő iparágak számára.
A SiC epitaxiális ostyák egyesítik a szilícium-karbid belső előnyeit, beleértve a széles sávszélességet, a nagy elektromos átütési mezőt és a kiváló hővezető képességet, az eszközgyártáshoz szabott, pontosan szabályozott epitaxiális rétegekkel. Ezeket az ostyákat széles körben használják a következő generációs MOSFET-ekben, Schottky-diódákban és integrált teljesítménymodulokban.
Főbb specifikációk
| Paraméter | Érték |
|---|---|
| Átmérő | 200 ± 0,5 mm |
| Polytype | 4H-SiC |
| Vezetőképesség típusa | N-típusú |
| Vastagság | 700 ± 50 μm |
| Felületkezelés | Kétoldalas CMP polírozott |
| Orientáció | 4.0° tengelyen kívül ±0.5° |
| Notch | Szabványos rovátkolás orientáció |
| Edge profil | Lefutás / lekerekített él |
| Felületi érdesség | Szub-nanométeres szint |
| Csomagolás | Kazetta vagy egy ostyát tartalmazó tartály |
Tipikus fajlagos ellenállás:
- N-típusú: 0,015-0,028 Ω-cm
- Félszigetelő: ≥1E7 Ω-cm
Elérhető osztályok:
- Nulla MPD fokozat
- Gyártási fokozat
- Kutatási fokozat
- Dummy fokozat
Epitaxiális réteg képességek
Az epitaxiális réteg növesztése fejlett kémiai gőzfázisú leválasztási (CVD) technológiával történik, amely lehetővé teszi a vastagság, az adalékkoncentráció és az egyenletesség pontos szabályozását.
A rendelkezésre álló testreszabási lehetőségek közé tartozik:
- N-típusú vagy P-típusú epitaxiális rétegek
- Állítható epi vastagság a különböző eszközszerkezetekhez
- Egyenletes adalékolási profilok a teljes ostyán
- Alacsony hibasűrűség a magas eszközhozamért
A kiváló minőségű epitaktika elengedhetetlen a stabil elektromos teljesítmény és a hosszú távú megbízhatóság eléréséhez a tápegységekben.
Gyártási folyamat
Szubsztrát előkészítés
A nagy tisztaságú monokristályos SiC szubsztrátokat magas hőmérsékletű növekedési módszerekkel állítják elő, és polírozással érik el az ultraalacsony felületi érdességet.
Epitaxiális növekedés
Az epitaxiaréteget magas hőmérsékleten, CVD-rendszerek segítségével helyezik le, ami biztosítja az egyenletes vastagságot és az egyenletes anyagtulajdonságokat a 200 mm-es ostyán.
Doppingellenőrzés
Az epitaxiális növesztés során pontos adalékolást alkalmaznak a különböző eszközarchitektúrák követelményeinek való megfelelés érdekében.
Méréstechnika és ellenőrzés
Az egyenletes minőség biztosítása érdekében minden egyes ostyát átfogó vizsgálatoknak vetnek alá, beleértve a felületelemzést, a hibák feltérképezését és az elektromos jellemzést.
Előnyök
Skálázható gyártás
A 8 hüvelykes ostyaméret jelentősen növeli az egy ostyára jutó chipkibocsátást, javítja a gyártás hatékonyságát és csökkenti az egy eszközre jutó költségeket.
Nagy hatékonyságú teljesítmény
A SiC anyagtulajdonságai alacsonyabb kapcsolási veszteségeket, nagyobb teljesítménysűrűséget és jobb energiahatékonyságot tesznek lehetővé.
Kiváló hőkezelés
A nagy hővezető képesség támogatja a stabil működést nagy teljesítmény mellett, és csökkenti a hűtési igényeket.
Alacsony hibasűrűség
A fejlett kristálynövesztési és epitaxiális eljárások biztosítják a nagy hozamot és a megbízható eszközteljesítményt.
Jövőre kész platform
A 8 hüvelykes SiC ostyák megfelelnek a félvezetőiparban a nagyobb ostyaformátumok és az automatizált tömeggyártás felé mutató trendnek.
Alkalmazások
Elektromos járművek
Vontatási inverterekben, fedélzeti töltőkben és DC-DC átalakítókban használatos. A nagyobb ostyaméret támogatja az EV-platformok nagy hatékonyságú tápegységeinek tömeggyártását.
Megújuló energiarendszerek
Napelemes inverterekben és szélerőművi átalakítókban alkalmazzák, ahol a hatékonyság és a megbízhatóság kritikus fontosságú a hosszú távú működéshez.
Ipari teljesítményelektronika
Támogatja a stabil és hatékony energiaátalakítást igénylő motorhajtásokat, automatizálási rendszereket és nagy teljesítményű berendezéseket.
5G és RF infrastruktúra
Lehetővé teszi a kommunikációs rendszerekben és bázisállomásokon használt nagyfrekvenciás és nagy teljesítményű RF-összetevőket.
Fogyasztói teljesítményelektronika
Kompakt, nagy hatékonyságú tápegységekben és gyorstöltő rendszerekben használatos.
GYIK
1. kérdés: Mi a 8 hüvelykes SiC ostyák fő előnye?
A nagyobb ostyaméret növeli az egy ostyára jutó chipek számát, ami jelentősen csökkenti az egy eszközre jutó gyártási költségeket és javítja a gyártás hatékonyságát.
2. kérdés: Kiforrott a 8 hüvelykes SiC technológia?
Jelenleg a kísérleti gyártásból a korai szakaszban lévő tömeggyártásba lép át, és egyre nagyobb mértékben alkalmazzák a fejlett félvezetőgyártásban.
3. kérdés: Az epitaxiális rétegek testre szabhatók?
Igen, az adalékolás típusa, a vastagság és az elektromos tulajdonságok testre szabhatók, hogy megfeleljenek az adott eszköz követelményeinek.
4. kérdés: A meglévő gyártósorok kompatibilisek a 8 hüvelykes ostyákkal?
Néhány berendezés korszerűsítésére lehet szükség, de sok modern gyár már készül a 200 mm-es SiC-feldolgozásra.
Request a Quote for 8 Inch 200mm SiC Epitaxial Wafer
Tell us your required specifications, dimensions, quantity, application and technical requirements. You can also provide drawings or additional project information. Our technical team will review your requirements and reply as soon as possible.
Értékelések
Még nincsenek értékelések.