8 吋 SiC 外延晶圓代表了寬帶隙半導體技術的最新進展。此產品建構在具有高品質外延層的 200 mm SiC 基板上，專為支援可擴充的高效率功率元件製造而設計。.
與較小尺寸的晶圓相比，8 吋碳化矽晶圓大幅增加了可用面積，使每片晶圓的元件輸出量更高，並降低了每片晶片的成本。這使得它們成為產業轉向大規模生產碳化矽功率元件的重要解決方案。.
SiC 磊晶晶圓結合了碳化矽的固有優勢，包括寬帶隙，高擊穿電場和優異的熱傳導性，以及針對元件製造量身訂做的精確控制磊晶層。這些晶圓廣泛應用於新一代 MOSFET、肖特基二極體和整合式功率模組。.
主要規格
| 參數 | 價值 |
|---|---|
| 直徑 | 200 ± 0.5 mm |
| 多重類型 | 4H-SiC |
| 電導類型 | N 型 |
| 厚度 | 700 ± 50 μm |
| 表面處理 | 雙面 CMP 拋光 |
| 導覽 | 4.0° 離軸 ±0.5° |
| 凹槽 | 標準缺口方向 |
| 邊緣簡介 | 倒角/圓邊 |
| 表面粗糙度 | 次奈米級 |
| 包裝 | 盒式或單晶圓容器 |
典型的電阻率：
- N 型：0.015-0.028 Ω-cm
- 半絕緣：≥1E7 Ω-cm
可提供的年級：
- 零 MPD 等級
- 生產等級
- 研究等級
- 模擬等級
磊晶層能力
磊晶層採用先進的化學氣相沉積 (CVD) 技術製成，可精確控制厚度、摻雜濃度和均勻性。.
可用的客製化功能包括
- N 型或 P 型外延層
- 可調整外延片厚度，以適用於不同的裝置結構
- 整個晶圓上均勻的摻雜剖面
- 低缺陷密度實現高裝置良率
高品質的磊晶對於功率元件實現穩定的電氣性能和長期的可靠性至關重要。.
製造過程
基板製備
高純度單晶碳化矽基板採用高溫生長方法製成，並經過拋光處理以達到超低的表面粗糙度。.
磊晶成長
磊晶層使用 CVD 系統在高溫下沉積，確保整個 200 mm 晶圓厚度均勻，材料特性一致。.
藥檢
在磊晶成長過程中應用精確的摻雜，以滿足不同元件架構的需求。.
計量與檢驗
每個晶圓都經過全面的測試，包括表面分析、缺陷映射和電氣特性分析，以確保品質的一致性。.
優勢
可擴充製造
8 吋晶圓尺寸可大幅增加每片晶圓的晶片產量，提高生產效率並降低每個元件的成本。.
高效能表現
SiC 材料的特性可實現更低的開關損耗、更高的功率密度以及更高的能效。.
優異的熱能管理
高導熱性可支援高功率條件下的穩定運作，並降低冷卻需求。.
低缺陷密度
先進的晶體成長與磊晶製程可確保高良率與可靠的元件效能。.
未來就緒平台
8 吋 SiC 晶圓符合半導體產業趨向更大晶圓尺寸和自動化大量生產的趨勢。.
應用
電動汽車
用於牽引變頻器、車載充電器和 DC-DC 轉換器。更大的晶圓尺寸支援 EV 平台高效率電源裝置的量產。.
可再生能源系統
應用於太陽能變流器和風力發電變流器，效率和可靠性是長期運作的關鍵。.
工業電力電子
支援馬達驅動器、自動化系統以及需要穩定且高效率能量轉換的大功率設備。.
5G 與 RF 基礎設施
實現通訊系統和基地台中使用的高頻和高功率 RF 元件。.
消費性電源電子產品
用於小型、高效率電源供應器和快速充電系統。.
常見問題
Q1: 8 吋 SiC 晶圓的主要優勢是什麼？
較大的晶圓尺寸可增加每個晶圓的晶片數量，大幅降低每個元件的製造成本，並提高生產效率。.
Q2: 8 吋 SiC 技術是否成熟？
目前，它正從試產過渡到早期量產，在先進半導體製造領域的採用也越來越多。.
Q3: 外延層可以客製化嗎？
是的，摻雜類型、厚度和電氣特性都可以量身定制，以滿足特定裝置的要求。.
Q4: 現有的生產線是否相容於 8 吋晶圓？
可能需要進行一些設備升級，但許多現代化晶圓廠已經在為 200 mm SiC 加工做準備。.
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