Plaque épitaxiale SiC de 8 pouces et 200 mm

La plaquette épitaxiale SiC de 8 pouces représente la dernière avancée en matière de technologie des semi-conducteurs à large bande interdite. Construit sur un substrat SiC de 200 mm avec une couche épitaxiale de haute qualité, ce produit est conçu pour soutenir la fabrication de dispositifs de puissance évolutifs et à haut rendement.

Par rapport aux plaquettes de taille inférieure, les plaquettes SiC de 8 pouces augmentent considérablement la surface utilisable, ce qui permet d'augmenter le nombre de dispositifs par plaquette et de réduire le coût par puce. Elles constituent donc une solution essentielle pour les industries qui passent à la production à grande échelle de dispositifs de puissance en carbure de silicium.

Les plaquettes épitaxiales SiC combinent les avantages intrinsèques du carbure de silicium, notamment une large bande interdite, un champ électrique de rupture élevé et une excellente conductivité thermique, avec des couches épitaxiales contrôlées avec précision et adaptées à la fabrication de dispositifs. Ces plaquettes sont largement utilisées dans les MOSFET de nouvelle génération, les diodes Schottky et les modules de puissance intégrés.

Principales spécifications

Résistivité typique :

• Type N : 0,015-0,028 Ω-cm
• Semi-isolant : ≥1E7 Ω-cm

Niveaux disponibles :

• Zéro grade MPD
• Niveau de production
• Note de recherche
• Grade fictif

Capacités de la couche épitaxiale

La couche épitaxiale est produite à l'aide d'une technologie avancée de dépôt chimique en phase vapeur (CVD), ce qui permet un contrôle précis de l'épaisseur, de la concentration de dopage et de l'uniformité.

Les personnalisations disponibles sont les suivantes :

• Couches épitaxiales de type N ou de type P
• Epaisseur de l'épi réglable pour différentes structures de dispositifs
• Profils de dopage uniformes sur l'ensemble de la plaquette
• Faible densité de défauts pour un rendement élevé

Une épitaxie de haute qualité est essentielle pour obtenir des performances électriques stables et une fiabilité à long terme dans les dispositifs de puissance.

Processus de fabrication

Préparation du substrat
Les substrats de SiC monocristallin de haute pureté sont produits à l'aide de méthodes de croissance à haute température et polis pour obtenir une rugosité de surface ultra-faible.

Croissance épitaxiale
La couche épitaxiale est déposée à haute température à l'aide de systèmes CVD, ce qui garantit une épaisseur uniforme et des propriétés matérielles constantes sur l'ensemble de la plaquette de 200 mm.

Contrôle du dopage
Un dopage précis est appliqué pendant la croissance épitaxiale pour répondre aux exigences des différentes architectures de dispositifs.

Métrologie et inspection
Chaque plaquette est soumise à des tests complets, notamment l'analyse de la surface, la cartographie des défauts et la caractérisation électrique, afin de garantir une qualité constante.

Avantages

Fabrication évolutive
La taille des plaquettes de 8 pouces augmente considérablement le nombre de puces par plaquette, ce qui améliore l'efficacité de la production et réduit le coût par appareil.

Rendement élevé
Les propriétés du SiC permettent de réduire les pertes de commutation, d'augmenter la densité de puissance et d'améliorer l'efficacité énergétique.

Excellente gestion thermique
La conductivité thermique élevée permet un fonctionnement stable dans des conditions de puissance élevée et réduit les besoins de refroidissement.

Faible densité de défauts
Les processus avancés de croissance cristalline et d'épitaxie garantissent un rendement élevé et des performances fiables.

Une plateforme prête pour l'avenir
Les plaquettes SiC de 8 pouces s'inscrivent dans la tendance de l'industrie des semi-conducteurs vers des formats de plaquettes plus grands et une production de masse automatisée.

Applications

Véhicules électriques
Utilisé dans les onduleurs de traction, les chargeurs embarqués et les convertisseurs DC-DC. La taille plus importante des plaquettes permet la production en masse de dispositifs d'alimentation à haut rendement pour les plates-formes de véhicules électriques.

Systèmes d'énergie renouvelable
Appliqué dans les onduleurs solaires et les convertisseurs d'énergie éolienne, où l'efficacité et la fiabilité sont essentielles pour un fonctionnement à long terme.

Électronique de puissance industrielle
Il prend en charge les commandes de moteurs, les systèmes d'automatisation et les équipements de grande puissance nécessitant une conversion d'énergie stable et efficace.

Infrastructure 5G et RF
Permet de réaliser des composants RF à haute fréquence et à haute puissance utilisés dans les systèmes de communication et les stations de base.

Électronique de puissance grand public
Utilisé dans les alimentations compactes à haut rendement et les systèmes de charge rapide.

FAQ

Q1 : Quel est le principal avantage des plaquettes SiC de 8 pouces ?
La taille plus importante des plaquettes permet d'augmenter le nombre de puces par plaquette, ce qui réduit considérablement le coût de fabrication par dispositif et améliore l'efficacité de la production.

Q2 : La technologie SiC 8 pouces est-elle mature ?
Elle passe actuellement de la production pilote à la production de masse à un stade précoce, et est de plus en plus adoptée dans la fabrication de semi-conducteurs avancés.

Q3 : Les couches épitaxiales peuvent-elles être personnalisées ?
Oui, le type de dopage, l'épaisseur et les propriétés électriques peuvent être adaptés pour répondre aux exigences spécifiques des dispositifs.

Q4 : Les lignes de production existantes sont-elles compatibles avec les plaquettes de 8 pouces ?
Certaines mises à niveau de l'équipement peuvent être nécessaires, mais de nombreuses usines modernes se préparent déjà au traitement du SiC de 200 mm.