A 12 hüvelykes zafír ostya egy nagy teljesítményű egykristályos alumínium-oxid (Al₂O₃) szubsztrát, amelyet fejlett félvezető, optoelektronikai és magas hőmérsékletű alkalmazásokhoz terveztek. Ultramagas tisztaságú zafírkristályból készül, ≥99,99% tisztasági szinttel, amely kiváló szerkezeti egyenletességet és alacsony hibasűrűséget biztosít.
A zafír széles körben elismert kivételes mechanikai keménységéről, kémiai stabilitásáról és optikai átlátszóságáról, ami az egyik legmegbízhatóbb szubsztrátanyaggá teszi a szélsőséges környezetekben. A 12 hüvelykes formátum egy csúcskategóriás ipari méretű ostyaméretet képvisel, amelyet LED epitaxiális rétegek és fejlett elektronikus eszközök tömeggyártására terveztek.
A szilíciumtól eltérően a zafír elektromos szigetelő, ami különösen alkalmassá teszi a nagyfrekvenciás szigetelést, hőstabilitást és optikai átláthatóságot igénylő alkalmazásokhoz.
Anyagi jellemzők
A zafír (α-Al₂O₃) egykristályos anyag, amely a fizikai tulajdonságok egyedülálló kombinációjával rendelkezik:
- Rendkívül nagy keménység (Mohs 9)
- Kiváló ellenállás a termikus sokkokkal és a magas hőmérsékletű környezetekkel szemben
- Kiváló kémiai inertitás savakkal és lúgokkal szemben
- Széles optikai áteresztési tartomány (polírozás után UV-tól az infravörös közepéig)
- Nagy dielektromos szilárdság és elektromos szigetelés
Ezek a tulajdonságok teszik a zafír ostyákat a LED-gyártás, az RF-eszközök, a lézerrendszerek és a repülési elektronika előnyös választásává.
Polírozás és felületi minőség
Ez a termék támogatja mind a DSP (kétoldalas polírozás), mind az SSP (egyoldalas polírozás) eljárásokat, így rugalmasan alkalmazkodik a különböző gyártási követelményekhez.
- Elülső felület: (Ra < 0,3 nm): Epi-ready polírozás (Ra < 0,3 nm)
- Hátsó felület: Félpucolt vagy polírozott, specifikációtól függően.
- Felület tisztasága: osztályú tisztatérben történő feldolgozás
- Szennyeződés-ellenőrzés: rendkívül alacsony részecske- és fémmaradványszintek
Ezek a felületi tulajdonságok kritikusak az epitaxiális növekedési folyamatok, például a MOCVD, MBE és PECVD esetében, ahol az atomi szintű felületi egyenletesség közvetlenül befolyásolja az eszköz teljesítményét.
Műszaki specifikációk
| Paraméter | Specifikáció |
|---|---|
| Anyag | Egykristályos zafír (Al₂O₃ ≥ 99,99%) |
| Átmérő | 2” - 12” (testreszabható) |
| 12” vastagság | 3000 ± 20 μm |
| Orientáció | C-sík (0001), A-sík, M-sík, R-sík |
| DSP / SSP | Elérhető |
| OF Orientáció | a-sík 0 ± 0,3° |
| TTV | ≤ 15 μm (12 hüvelyk) |
| BOW | -25 ~ 0 μm (12 hüvelyk) |
| Warp | ≤ 30 μm |
| Elülső felület | Epi-ready (Ra < 0,3 nm) |
| Hátsó felület | Lapított (Ra 0,6-1,2 μm) |
| Csomagolás | Tisztaszobai vákuumcsomagolás |
Fő jellemzők
- Ultra-nagyméretű, 12 hüvelykes félvezető minőségű zafír szubsztrátum
- Nagy tisztaságú egykristályos Al₂O₃ (≥99,99%)
- Támogatja a DSP és SSP polírozási lehetőségeket
- Többféle kristallográfiai orientáció áll rendelkezésre
- Kiváló hőstabilitás és mechanikai tartósság
- Rendkívül alacsony szennyezettségű tisztatérben történő feldolgozás
- Alkalmas csúcskategóriás epitaxiális növekedési és kutatási alkalmazásokhoz
Alkalmazások
LED és optoelektronikai gyártás
A C-síkú zafír ostyákat széles körben használják szubsztrátként a GaN-alapú LED-ek gyártásához, beleértve a kék, fehér, UV és mély UV eszközöket.
Félvezető epitaxiális növekedés
Támogatja a fejlett epitaxiális folyamatokat, mint például:
- MOCVD (fémorganikus kémiai gőzfázisú leválasztás)
- MBE (molekuláris sugár epitaxia)
- PECVD (plazmával kiegészített CVD)
RF és nagyfrekvenciás eszközök
Heteroelágazásos bipoláris tranzisztorokban (HBT), lézerdiódákban (LD) és nagyfrekvenciás kommunikációs alkatrészekben használatos.
UV és lézeres alkalmazások
A zafír szubsztrátumok UV-detektorokhoz, lézerablakokhoz és fotonikus integrációs rendszerekhez alkalmasak.
Magas hőmérsékletű elektronika
Nagy teljesítményű és nagyfrekvenciás környezetben hőálló szigetelő szubsztrátként használják.
Testreszabási lehetőségek
Rugalmas testreszabási szolgáltatásokat nyújtunk a kutatási és ipari gyártási igényekhez:
- Átmérő: 1”, 2”, 3”, 4”, 6”, 8”, 12”, 12"
- Kristályorientáció: Sík: C-sík / A-sík / M-sík / R-sík
- Off-angle beállítás elérhető
- DSP / SSP felületkezelési lehetőségek
- Vastagság és TTV optimalizálás
- Élek formázása és lekerekítése
- Egyedi csomagolás (egy ostya / kazetta)
A minőségellenőrzés és a gyártás nyomon követhetősége érdekében minden egyes ostya egyedi sorozatszámmal nyomon követhető.
GYIK
1. kérdés: Mi a zafír ostyák fő előnye a szilícium ostyákkal szemben?
A zafír átlátszó és elektromosan szigetelő, így ideális LED és optikai alkalmazásokhoz, míg a szilíciumot elsősorban elektronikus áramkörökhöz használják.
2. kérdés: Miért fontos a 12 hüvelykes zafír ostya?
Támogatja a nagyipari LED- és félvezetőgyártást, javítja a hatékonyságot és csökkenti az egységenkénti költségeket a tömeggyártásban.
3. kérdés: Mit jelent a DSP és az SSP?
A DSP a kétoldalas polírozásra, míg az SSP az egyoldalas polírozásra utal. Ezek befolyásolják a felület minőségét és az alkalmazási alkalmasságot.
4. kérdés: A zafír ostyák közvetlenül felhasználhatók eszközökhöz?
Ezeket szubsztrátként használják, és a végső eszközgyártás előtt epitaxiális növekedést vagy további feldolgozást igényelnek.
5. kérdés: Miért használják a zafírt a LED-ekben?
Mivel stabil rácsszerkezetet biztosít a GaN növekedéséhez, és kiváló termikus és optikai teljesítményt nyújt.
Értékelések
Még nincsenek értékelések.