A 2 hüvelykes 6H-N szilíciumkarbid ostya egykristályos szubsztrát, amelyet kutatási és eszközszintű alkalmazásokhoz egyaránt terveztek. A 6H polytípus hatszögletű kristályszerkezettel rendelkezik, amely stabil elektromos vezetőképességet és jó hőteljesítményt biztosít igényes körülmények között.
A 6H-SiC körülbelül 3,02 eV-os sávhézagával olyan környezetben is működőképes, ahol a hagyományos szilícium anyagok nem működnek, különösen nagyfeszültségű, magas hőmérsékletű és nagyfrekvenciás körülmények között. Ez alkalmassá teszi a korai fázisban lévő eszközök prototípusgyártására, anyagtesztelésre és speciális elektronikai alkatrészek gyártására.
A ZMSH SiC ostyákat ellenőrzött kristálynövesztési technikákkal gyártják, hogy biztosítsák az egyenletes ellenállást, az alacsony hibasűrűséget és a magas felületi minőséget. Ezek a paraméterek kritikus fontosságúak a reprodukálható kísérleti eredmények és az eszköz stabil teljesítményének biztosításához.
Fő jellemzők
N-típusú vezető szerkezet
Az ostyát N-típusú adalékolással látják el, ami stabil elektronvezetési utakat biztosít, amelyek alkalmasak félvezető eszközök gyártására és elektromos jellemzési kísérletekre.
Széles sávszélességű félvezető anyag
A ~3,02 eV-os sávhézaggal a SiC a szilíciumhoz képest lényegesen nagyobb elektromos térerősséget támogat, ami lehetővé teszi a nagyfeszültségű működést és az eszköz jobb hatékonyságát.
Magas hővezető képesség
A SiC kiváló hővezető képességgel rendelkezik, ami lehetővé teszi a hatékony hőelvezetést az aktív eszközrészekből. Ez javítja az eszköz megbízhatóságát és meghosszabbítja az élettartamot a nagy teljesítményű alkalmazásokban.
Nagy mechanikai szilárdság
A körülbelül 9,2 Mohs-keménységű SiC-lapkák nagymértékben ellenállnak a mechanikai sérüléseknek, a felületi kopásnak és a gyártás során fellépő stressznek.
Nagy bontási elektromos mező
A nagy áttörési térerősség kompakt eszközszerkezeteket tesz lehetővé, miközben nagy feszültségtűrést biztosít, így a SiC ideális a fejlett teljesítményelektronikában.
Műszaki specifikációk
| Paraméter | Specifikáció |
|---|---|
| Anyag | Egykristályos szilícium-karbid |
| Márka | ZMSH |
| Polytype | 6H-N |
| Átmérő | 2 hüvelyk (50,8 mm) |
| Vastagság | 350 μm / 650 μm |
| Vezetőképesség típusa | N-típusú |
| Felületkezelés | CMP polírozott Si-felület |
| C-arc kezelés | Mechanikus polírozott |
| Felületi érdesség | Ra < 0,2 nm (Si-felület) |
| Ellenállás | 0,015 - 0,028 Ω-cm |
| Színes | Átlátszó / Világoszöld |
| Csomagolás | Egyetlen ostya konténer |
A 6H-SiC anyagi tulajdonságai
| Ingatlan | Érték |
|---|---|
| Rácsparaméterek | a = 3,073 Å, c = 15,117 Å |
| Mohs keménység | ≈ 9.2 |
| Sűrűség | 3,21 g/cm³ |
| Hőtágulási együttható | 4-5 ×10-⁶ /K |
| Törésmutató (750 nm) | n₀ = 2,60, nₑ = 2,65 |
| Dielektromos állandó | ≈ 9.66 |
| Hővezető képesség | ~3,7-3,9 W/cm-K |
| Bandgap | 3,02 eV |
| Bontás elektromos mező | 3-5 ×10⁶ V/cm |
| Telítési sodródás sebessége | 2,0 ×10⁵ m/s |
Ezek a saját fizikai tulajdonságok alkalmassá teszik a 6H-SiC-et olyan alkalmazásokhoz, amelyek szélsőséges elektromos és termikus körülmények között is stabil teljesítményt igényelnek.
Gyártási folyamat
A SiC egykristályos ostyákat jellemzően a Fizikai gőzszállítás (PVT) módszer, a széles sávszélességű félvezető kristályok növesztésének kiforrott ipari eljárása.
Ebben az eljárásban a nagy tisztaságú SiC-alapanyagot 2000 °C feletti hőmérsékleten szublimálják. A gőzfajtákat egy gondosan szabályozott hőgradiensben szállítják, és egy magkristályon átkristályosodva egykristályos ingot (boule) képeznek. A növesztés után a csokrot szeletelés, lappolás, polírozás és tisztítási lépések révén ostyává dolgozzák fel.
Az eszközalkalmazásokhoz az ostyákat további Kémiai gőzfázisú leválasztás (CVD) epitaxiális növesztés, ami lehetővé teszi az adalékkoncentráció és a rétegvastagság pontos szabályozását. Ez a lépés elengedhetetlen a MOSFET és a dióda gyártásához.
Alkalmazások
Teljesítményelektronika
A 2 hüvelykes 6H-N SiC ostyákat a teljesítmény félvezető eszközök, többek között diódák, MOSFET struktúrák és teljesítménymodulok fejlesztéséhez és prototípusgyártásához használják. Ezek az eszközök nélkülözhetetlenek az energiaátalakító rendszerekhez és a teljesítménykezelő áramkörökhöz.
Magas hőmérsékletű elektronika
A SiC anyagok magas hőmérsékleten is stabil elektromos teljesítményt nyújtanak, így alkalmasak a repülőelektronikában, az ipari felügyeleti rendszerekben és az energetikai infrastruktúra alkalmazásaiban.
Félvezető kutatás és fejlesztés
Elérhetőségük és költséghatékonyságuk miatt a 2 hüvelykes ostyákat széles körben használják egyetemi laboratóriumokban, kutatóintézetekben és kísérleti gyártási környezetekben anyagvizsgálatokhoz és eszközkísérletekhez.
Optoelektronikai és speciális alkalmazások
A SiC bizonyos hullámhossztartományokban optikai átlátszóságot is mutat, ami lehetővé teszi a speciális fotonikai és optoelektronikai kutatási alkalmazásokban való felhasználását.
Előnyök
A 2 hüvelykes SiC ostya platform számos előnyt kínál a kutatás és fejlesztés számára:
- Alacsonyabb költség a nagyobb méretű ostyákhoz képest
- Könnyebb kezelés laboratóriumi méretű kísérletekhez
- Alkalmas gyors prototípusok és folyamatok tesztelésére
- Stabil kristályminőség a reprodukálható eredményekért
- Rugalmas testreszabási lehetőségek a kutatási igényekhez
GYIK
1. kérdés: Mi a különbség a 6H-SiC és a 4H-SiC között?
A 6H-SiC és a 4H-SiC különböző kristálypoltípusok. A 4H-SiC általában nagyobb elektronmozgékonyságot biztosít, és széles körben használják a kereskedelmi energiaellátó eszközökben, míg a 6H-SiC stabil elektromos viselkedést biztosít, és általában kutatási és speciális elektronikai alkalmazásokban használják.
2. kérdés: Milyen felületkezelést alkalmaznak az ostyán?
A Si-felületet kémiai mechanikai polírozással (CMP) polírozzák, hogy ultra-sima felületi minőséget érjenek el (Ra < 0,2 nm). A C-felületet mechanikusan polírozzák a különböző feldolgozási követelmények támogatása érdekében.
3. kérdés: Lehet-e testreszabni az ostyaspecifikációkat?
Igen. A ZMSH testreszabási lehetőségeket kínál, beleértve a vastagságot, az adalékkoncentrációt, az ellenállás-tartományt és a felület előkészítését az ügyfél igényei szerint.
Request a Quote for 2-Inch 6H-N Silicon Carbide Wafer
Tell us your required specifications, dimensions, quantity, application and technical requirements. You can also provide drawings or additional project information. Our technical team will review your requirements and reply as soon as possible.
Értékelések
Még nincsenek értékelések.