Oblea de zafiro de 12 pulgadas (Al₂O₃) para crecimiento de LED, semiconductores y epitaxial

La oblea de zafiro de 12 pulgadas es un sustrato monocristalino de óxido de aluminio (Al₂O₃) de alto rendimiento diseñado para aplicaciones avanzadas de semiconductores, optoelectrónica y alta temperatura. Se fabrica a partir de cristal de zafiro de pureza ultra alta con un nivel de pureza de ≥99,99%, lo que garantiza una excelente uniformidad estructural y una baja densidad de defectos.

Oblea de zafiro de 12 pulgadas (Al₂O₃) para crecimiento de LED, semiconductores y epitaxialLa oblea de zafiro de 12 pulgadas es un sustrato monocristalino de óxido de aluminio (Al₂O₃) de alto rendimiento diseñado para aplicaciones avanzadas de semiconductores, optoelectrónica y alta temperatura. Se fabrica a partir de cristal de zafiro de pureza ultra alta con un nivel de pureza de ≥99,99%, lo que garantiza una excelente uniformidad estructural y una baja densidad de defectos.

El zafiro es ampliamente reconocido por su excepcional dureza mecánica, estabilidad química y transparencia óptica, lo que lo convierte en uno de los materiales de sustrato más fiables para entornos extremos. El formato de 12 pulgadas representa un tamaño de oblea a escala industrial de gama alta, diseñado para la producción en masa de capas epitaxiales de LED y dispositivos electrónicos avanzados.

A diferencia del silicio, el zafiro es un aislante eléctrico, lo que lo hace especialmente adecuado para aplicaciones que requieren aislamiento de alta frecuencia, estabilidad térmica y transparencia óptica.


 Características de los materiales

El zafiro (α-Al₂O₃) es un material monocristalino con una combinación única de propiedades físicas:

  • Dureza extremadamente alta (Mohs 9)
  • Excelente resistencia al choque térmico y a las altas temperaturas
  • Excelente inercia química frente a ácidos y álcalis
  • Amplia gama de transmisión óptica (de UV a infrarrojo medio tras el pulido)
  • Elevada rigidez dieléctrica y aislamiento eléctrico

Estas propiedades hacen de las obleas de zafiro la opción preferida en la fabricación de LED, dispositivos de RF, sistemas láser y electrónica aeroespacial.

Pulido y calidad de la superficie

Este producto es compatible con los procesos DSP (pulido de doble cara) y SSP (pulido de una cara), lo que garantiza la flexibilidad para diferentes requisitos de fabricación.

  • Superficie frontal: Pulido epi-ready (Ra < 0,3 nm)
  • Superficie posterior: Laminada o semipulida según especificación
  • Limpieza de la superficie: Procesamiento en sala limpia de clase 100
  • Control de la contaminación: niveles ultrabajos de partículas y residuos metálicos

Estas cualidades superficiales son fundamentales para los procesos de crecimiento epitaxial como MOCVD, MBE y PECVD, en los que la uniformidad de la superficie a nivel atómico repercute directamente en el rendimiento del dispositivo.


Especificaciones técnicas

Parámetro Especificación
Material Zafiro monocristalino (Al₂O₃ ≥ 99,99%)
Diámetro 2” - 12” (personalizable)
Espesor de 12 3000 ± 20 μm
Orientación Plano C (0001), Plano A, Plano M, Plano R
DSP / SSP Disponible
OF Orientación plano a 0 ± 0,3
TTV ≤ 15 μm (12 pulgadas)
ARCO -25 ~ 0 μm (12 pulgadas)
Warp ≤ 30 μm
Superficie frontal Epi-ready (Ra < 0,3 nm)
Superficie posterior Lapeado (Ra 0,6-1,2 μm)
Embalaje Envasado al vacío en salas blancas

Características principales

  • Sustrato de zafiro semiconductor ultragrande de 12 pulgadas
  • Al₂O₃ monocristalino de gran pureza (≥99,99%).
  • Admite las opciones de pulido DSP y SSP
  • Múltiples orientaciones cristalográficas disponibles
  • Excelente estabilidad térmica y durabilidad mecánica
  • Procesado en sala blanca con contaminación ultrabaja
  • Adecuado para crecimiento epitaxial de gama alta y aplicaciones de investigación

Aplicaciones

Fabricación de LED y optoelectrónica

Las obleas de zafiro de plano C se utilizan ampliamente como sustratos para la producción de LED basados en GaN, incluidos los dispositivos azules, blancos, UV y UV profundos.

Crecimiento epitaxial de semiconductores

Admite procesos epitaxiales avanzados como:

  • MOCVD (depósito químico orgánico de vapor metálico)
  • MBE (epitaxia de haces moleculares)
  • PECVD (CVD potenciado por plasma)

Dispositivos de RF y alta frecuencia

Se utiliza en transistores bipolares de heterounión (HBT), diodos láser (LD) y componentes de comunicación de alta frecuencia.

Aplicaciones UV y láser

Los sustratos de zafiro son adecuados para detectores UV, ventanas láser y sistemas de integración fotónica.

Electrónica de alta temperatura

Se utilizan como sustratos aislantes resistentes al calor en entornos de alta potencia y alta frecuencia.


Opciones de personalización

Ofrecemos servicios flexibles de personalización para las necesidades de investigación y producción industrial:

  • Diámetro: 1”, 2”, 3”, 4”, 6”, 8”, 12”
  • Orientación del cristal: Plano C / Plano A / Plano M / Plano R
  • Ajuste de ángulo disponible
  • Opciones de tratamiento de superficies DSP / SSP
  • Optimización del espesor y del TTV
  • Perfilado y biselado de cantos
  • Envasado a medida (oblea individual / casete)

Cada oblea es trazable con un número de serie único para garantizar el control de calidad y la trazabilidad de la producción.


PREGUNTAS FRECUENTES

P1: ¿Cuál es la principal ventaja de las obleas de zafiro frente a las de silicio?
El zafiro es transparente y aislante de la electricidad, por lo que es ideal para los LED y las aplicaciones ópticas, mientras que el silicio se utiliza principalmente para los circuitos electrónicos.

P2: ¿Por qué es importante la oblea de zafiro de 12 pulgadas?
Admite la producción industrial de LED y semiconductores a gran escala, mejorando la eficiencia y reduciendo el coste por unidad en la fabricación en masa.

P3: ¿Qué significan DSP y SSP?
DSP hace referencia al pulido de doble cara, mientras que SSP se refiere al pulido de una sola cara. Esto afecta a la calidad de la superficie y a la idoneidad de la aplicación.

P4: ¿Pueden utilizarse las obleas de zafiro directamente para dispositivos?
Se utilizan como sustratos y requieren crecimiento epitaxial o procesamiento adicional antes de la fabricación final del dispositivo.

P5: ¿Por qué se utiliza el zafiro en los LED?
Porque proporciona una estructura reticular estable para el crecimiento del GaN y un excelente rendimiento térmico y óptico.

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