De 12-inch saffierwafer is een hoogwaardig enkelkristalsubstraat van aluminiumoxide (Al₂O₃), ontworpen voor geavanceerde halfgeleider-, opto-elektronische en hoge temperatuurtoepassingen. Het is vervaardigd uit ultrazuiver saffierkristal met een zuiverheidsgraad van ≥99,99%, wat zorgt voor een uitstekende structurele uniformiteit en een lage defectdichtheid.
Saffier wordt algemeen erkend om zijn uitzonderlijke mechanische hardheid, chemische stabiliteit en optische transparantie, waardoor het een van de meest betrouwbare substraatmaterialen is voor extreme omgevingen. Het 12-inch formaat vertegenwoordigt een high-end wafermaat op industriële schaal, ontworpen voor massaproductie van LED epitaxiale lagen en geavanceerde elektronische apparaten.
In tegenstelling tot silicium is saffier een elektrische isolator, waardoor het bijzonder geschikt is voor toepassingen die een hoge frequentie isolatie, thermische stabiliteit en optische transparantie vereisen.
Materiaalkenmerken
Saffier (α-Al₂O₃) is een eenkristalmateriaal met een unieke combinatie van fysische eigenschappen:
- Extreem hoge hardheid (Mohs 9)
- Uitstekende weerstand tegen thermische schokken en omgevingen met hoge temperaturen
- Uitstekende chemische inertie tegen zuren en logen
- Breed optisch transmissiebereik (UV tot midden-infrarood na polijsten)
- Hoge diëlektrische sterkte en elektrische isolatie
Deze eigenschappen maken saffierwafers tot de keuze bij uitstek voor de productie van LED's, RF-apparaten, lasersystemen en elektronica voor de ruimtevaart.
Polijsten en oppervlaktekwaliteit
Dit product ondersteunt zowel DSP (Double-Side Polishing) als SSP (Single-Side Polishing) processen, waardoor flexibiliteit voor verschillende productievereisten verzekerd is.
- Voorkant: Epi-klaar polijsten (Ra < 0,3 nm)
- Achterzijde: Gelept of halfgepolijst, afhankelijk van de specificatie
- Oppervlakte reinheid: Klasse 100 cleanroom verwerking
- Controle op vervuiling: ultralage gehaltes aan deeltjes en metaalresten
Deze oppervlaktekwaliteiten zijn kritisch voor epitaxiale groeiprocessen zoals MOCVD, MBE en PECVD, waarbij de uniformiteit van het atomaire oppervlak een directe invloed heeft op de prestaties van het apparaat.
Technische specificaties
| Parameter | Specificatie |
|---|---|
| Materiaal | Enkelkristalsaffier (Al₂O₃ ≥ 99,99%) |
| Diameter | 2” - 12” (aanpasbaar) |
| 12” dikte | 3000 ± 20 μm |
| Oriëntatie | C-vlak (0001), A-vlak, M-vlak, R-vlak |
| DSP / SSP | Beschikbaar |
| OF Oriëntatie | a-vlak 0 ± 0,3° |
| TTV | ≤ 15 μm (12 inch) |
| BOW | -25 ~ 0 μm (12 inch) |
| Warp | ≤ 30 μm |
| Voorkant | Epi-klaar (Ra < 0,3 nm) |
| Achterkant | Afgewerkt (Ra 0,6-1,2 μm) |
| Verpakking | Cleanroom vacuüm verpakken |
Belangrijkste kenmerken
- Ultragroot 12-inch saffiersubstraat van halfgeleiderkwaliteit
- Zeer zuiver enkel kristal Al₂O₃ (≥99,99%)
- Ondersteunt DSP en SSP polijstopties
- Meerdere kristallografische oriëntaties beschikbaar
- Uitstekende thermische stabiliteit en mechanische duurzaamheid
- Verwerking in cleanrooms met ultralage verontreiniging
- Geschikt voor hoogwaardige epitaxiale groei en onderzoekstoepassingen
Toepassingen
Productie van LED's en opto-elektronica
C-plane saffierwafers worden veel gebruikt als substraten voor de productie van GaN-gebaseerde LED's, waaronder blauwe, witte, UV- en deep-UV-apparaten.
Epitaxiale groei van halfgeleiders
Ondersteunt geavanceerde epitaxiale processen zoals:
- MOCVD (metaal-organische chemische dampdepositie)
- MBE (Moleculaire Beam Epitaxy)
- PECVD (Plasma-Enhanced CVD)
RF en hoogfrequente apparaten
Gebruikt in heterojunctie bipolaire transistors (HBT's), laserdiodes (LD's) en hoogfrequente communicatiecomponenten.
UV- en lasertoepassingen
Saffiersubstraten zijn geschikt voor UV-detectoren, laservensters en fotonische integratiesystemen.
Elektronica voor hoge temperaturen
Gebruikt als hittebestendige isolatiesubstraten in omgevingen met hoog vermogen en hoge frequenties.
Aanpassingsopties
We bieden flexibele maatwerkservices voor onderzoek en industriële productiebehoeften:
- Diameter: 1”, 2”, 3”, 4”, 6”, 8”, 12”
- Kristaloriëntatie: C-vlak / A-vlak / M-vlak / R-vlak
- Aanpassing aan uitwendige hoek beschikbaar
- DSP / SSP oppervlaktebehandelingsopties
- Optimalisatie van dikte en TTV
- Kantafwerking en afschuinen
- Verpakking op maat (enkele wafer/cassette)
Elke wafer is traceerbaar met een uniek serienummer voor kwaliteitscontrole en traceerbaarheid van de productie.
FAQ
V1: Wat is het belangrijkste voordeel van saffieren wafers ten opzichte van silicium wafers?
Saffier is transparant en elektrisch isolerend, waardoor het ideaal is voor LED's en optische toepassingen, terwijl silicium vooral wordt gebruikt voor elektronische schakelingen.
V2: Waarom is een 12-inch saffierwafer belangrijk?
Het ondersteunt grootschalige industriële LED- en halfgeleiderproductie, verbetert de efficiëntie en verlaagt de kosten per eenheid bij massaproductie.
V3: Wat betekenen DSP en SSP?
DSP staat voor Double-Side Polishing, terwijl SSP staat voor Single-Side Polishing. Deze beïnvloeden de oppervlaktekwaliteit en de geschiktheid voor de toepassing.
V4: Kunnen saffierplakken rechtstreeks worden gebruikt voor apparaten?
Ze worden gebruikt als substraten en vereisen epitaxiale groei of extra verwerking voor de uiteindelijke fabricage van het apparaat.
V5: Waarom wordt saffier gebruikt in LED's?
Omdat het een stabiele roosterstructuur biedt voor GaN-groei en uitstekende thermische en optische prestaties.
Beoordelingen
Er zijn nog geen beoordelingen.