LED, Yarı İletken ve Epitaksiyel Büyüme için 12 inç Safir Wafer (Al₂O₃)

12 inçlik safir gofret, gelişmiş yarı iletken, optoelektronik ve yüksek sıcaklık uygulamaları için tasarlanmış yüksek performanslı tek kristalli alüminyum oksit (Al₂O₃) alt tabakadır. Saflık seviyesi ≥99,99% olan ultra yüksek saflıkta safir kristalden üretilmiştir ve mükemmel yapısal homojenlik ve düşük kusur yoğunluğu sağlar.

LED, Yarı İletken ve Epitaksiyel Büyüme için 12 inç Safir Wafer (Al₂O₃)12 inçlik safir gofret, gelişmiş yarı iletken, optoelektronik ve yüksek sıcaklık uygulamaları için tasarlanmış yüksek performanslı tek kristalli alüminyum oksit (Al₂O₃) alt tabakadır. Saflık seviyesi ≥99,99% olan ultra yüksek saflıkta safir kristalden üretilmiştir ve mükemmel yapısal homojenlik ve düşük kusur yoğunluğu sağlar.

Safir, olağanüstü mekanik sertliği, kimyasal kararlılığı ve optik şeffaflığı ile tanınmaktadır ve bu da onu zorlu ortamlar için en güvenilir alt tabaka malzemelerinden biri haline getirmektedir. 12 inçlik format, LED epitaksiyel katmanların ve gelişmiş elektronik cihazların seri üretimi için tasarlanmış üst düzey bir endüstriyel ölçekli yonga plakası boyutunu temsil eder.

Silikonun aksine, safir bir elektrik yalıtkanıdır, bu da onu özellikle yüksek frekanslı izolasyon, termal stabilite ve optik şeffaflık gerektiren uygulamalar için uygun hale getirir.


 Malzeme Özellikleri

Safir (α-Al₂O₃), fiziksel özelliklerin benzersiz bir kombinasyonuna sahip tek kristalli bir malzemedir:

  • Son derece yüksek sertlik (Mohs 9)
  • Termal şok ve yüksek sıcaklıklı ortamlara karşı mükemmel direnç
  • Asitlere ve alkalilere karşı üstün kimyasal inertlik
  • Geniş optik iletim aralığı (parlatma sonrası UV'den orta kızılötesine)
  • Yüksek dielektrik dayanımı ve elektrik yalıtımı

Bu özellikler safir gofretleri LED üretiminde, RF cihazlarında, lazer sistemlerinde ve havacılık sınıfı elektroniklerde tercih edilen bir seçenek haline getirmektedir.

Parlatma ve Yüzey Kalitesi

Bu ürün hem DSP (Çift Taraflı Parlatma) hem de SSP (Tek Taraflı Parlatma) işlemlerini destekleyerek farklı üretim gereksinimleri için esneklik sağlar.

  • Ön yüzey: Epi-hazır parlatma (Ra < 0,3 nm)
  • Arka yüzey: Spesifikasyona bağlı olarak alıştırılmış veya yarı cilalı
  • Yüzey temizliği: Sınıf 100 temiz oda işleme
  • Kontaminasyon kontrolü: ultra düşük partikül ve metal kalıntı seviyeleri

Bu yüzey nitelikleri, atomik düzeydeki yüzey homojenliğinin cihaz performansını doğrudan etkilediği MOCVD, MBE ve PECVD gibi epitaksiyel büyüme süreçleri için kritik öneme sahiptir.


Teknik Özellikler

Parametre Şartname
Malzeme Tek kristal safir (Al₂O₃ ≥ 99,99%)
Çap 2” - 12” (özelleştirilebilir)
12” Kalınlık 3000 ± 20 μm
Oryantasyon C-düzlemi (0001), A-düzlemi, M-düzlemi, R-düzlemi
DSP / SSP Mevcut
OF Oryantasyon a-düzlemi 0 ± 0,3°
TTV ≤ 15 μm (12 inç)
BOW -25 ~ 0 μm (12 inç)
Çözgü ≤ 30 μm
Ön Yüzey Epi-hazır (Ra < 0,3 nm)
Arka Yüzey Alıştırılmış (Ra 0,6-1,2 μm)
Paketleme Temiz oda vakumlu paketleme

Temel Özellikler

  • Ultra büyük 12 inç yarı iletken sınıfı safir alt tabaka
  • Yüksek saflıkta tek kristal Al₂O₃ (≥99,99%)
  • DSP ve SSP parlatma seçeneklerini destekler
  • Çoklu kristalografik oryantasyonlar mevcuttur
  • Mükemmel termal stabilite ve mekanik dayanıklılık
  • Ultra düşük kontaminasyonlu temiz oda işleme
  • Üst düzey epitaksiyel büyütme ve araştırma uygulamaları için uygundur

Uygulamalar

LED ve Optoelektronik Üretimi

C-düzlemi safir gofretler, mavi, beyaz, UV ve derin-UV cihazları dahil olmak üzere GaN tabanlı LED üretimi için alt tabaka olarak yaygın şekilde kullanılmaktadır.

Yarı İletken Epitaksiyel Büyüme

Gibi gelişmiş epitaksiyel süreçleri destekler:

  • MOCVD (Metal-Organik Kimyasal Buhar Biriktirme)
  • MBE (Moleküler Işın Epitaksi)
  • PECVD (Plazma Destekli CVD)

RF ve Yüksek Frekans Cihazları

Heterojonksiyon bipolar transistörlerde (HBT'ler), lazer diyotlarda (LD'ler) ve yüksek frekanslı iletişim bileşenlerinde kullanılır.

UV ve Lazer Uygulamaları

Safir alt tabakalar UV dedektörleri, lazer pencereleri ve fotonik entegrasyon sistemleri için uygundur.

Yüksek Sıcaklık Elektroniği

Yüksek güç ve yüksek frekanslı ortamlarda ısıya dayanıklı izolasyon substratları olarak kullanılır.


Özelleştirme Seçenekleri

Araştırma ve endüstriyel üretim ihtiyaçları için esnek özelleştirme hizmetleri sunuyoruz:

  • Çap: 1”, 2”, 3”, 4”, 6”, 8”, 12”
  • Kristal yönelimi: C-düzlemi / A-düzlemi / M-düzlemi / R-düzlemi
  • Açı dışı ayarlama mevcuttur
  • DSP / SSP yüzey işleme seçenekleri
  • Kalınlık ve TTV optimizasyonu
  • Kenar şekillendirme ve pah kırma
  • Özel paketleme (tekli gofret / kaset)

Kalite kontrol ve üretim izlenebilirliğini sağlamak için her bir gofret benzersiz bir seri numarası ile izlenebilir.


SSS

S1: Safir gofretlerin silikon gofretlere göre ana avantajı nedir?
Safir şeffaftır ve elektriksel olarak yalıtkandır, bu da onu LED ve optik uygulamalar için ideal kılarken, silikon esas olarak elektronik devreler için kullanılır.

S2: 12 inç safir wafer neden önemlidir?
Büyük ölçekli endüstriyel LED ve yarı iletken üretimini destekler, verimliliği artırır ve seri üretimde birim başına maliyeti düşürür.

S3: DSP ve SSP ne anlama geliyor?
DSP Çift Taraflı Parlatma anlamına gelirken, SSP Tek Taraflı Parlatma anlamına gelir. Bunlar yüzey kalitesini ve uygulama uygunluğunu etkiler.

S4: Safir gofretler doğrudan cihazlar için kullanılabilir mi?
Substrat olarak kullanılırlar ve nihai cihaz imalatından önce epitaksiyel büyüme veya ek işlem gerektirirler.

S5: LED'lerde neden safir kullanılır?
Çünkü GaN büyümesi için kararlı bir kafes yapısı ve mükemmel termal ve optik performans sağlar.

Değerlendirmeler

Henüz değerlendirme yapılmadı.

“12-inch Sapphire Wafer (Al₂O₃) for LED, Semiconductor & Epitaxial Growth” için yorum yapan ilk kişi siz olun

E-posta adresiniz yayınlanmayacak. Gerekli alanlar * ile işaretlenmişlerdir