Máy phủ SiC là một hệ thống lắng đọng tự động hoàn toàn, có độ chính xác cao, được thiết kế để tạo lớp phủ keo đồng đều trên các tấm wafer, hạt giống SiC, giấy than chì và tấm than chì. Được thiết kế để đáp ứng các yêu cầu khắt khe trong lĩnh vực chế tạo chất bán dẫn và xử lý vật liệu tiên tiến, hệ thống này tích hợp công nghệ phun siêu âm, căn chỉnh bằng laser và điều khiển chất lỏng thông minh nhằm đạt được độ đồng nhất vượt trội của lớp phủ và sự ổn định trong quá trình sản xuất.
Trong các môi trường sản xuất tiên tiến — đặc biệt là trong quá trình nuôi cấy tinh thể SiC và hàn wafer — độ đồng đều của lớp phủ có ảnh hưởng trực tiếp đến năng suất sản phẩm, độ bền của mối hàn và độ tin cậy của các công đoạn tiếp theo. Hệ thống này giải quyết những thách thức đó bằng cách đảm bảo độ dày lớp phủ được kiểm soát, giảm thiểu lãng phí vật liệu và duy trì hiệu suất ổn định giữa các lô sản phẩm.
Với kiến trúc mô-đun và hệ thống điều khiển có thể lập trình, Máy phủ SiC phù hợp cho các hoạt động phát triển quy mô thử nghiệm, xác nhận quy trình và sản xuất theo lô từ trung bình đến lớn, nhờ đó trở thành một giải pháp đa năng cho cả nghiên cứu và phát triển (R&D) lẫn các ứng dụng công nghiệp.
Những lợi thế kỹ thuật cốt lõi
Hiệu suất phủ đồng đều vượt trội
Hệ thống hỗ trợ độ dày lớp phủ dao động từ 20 nanomet đến hàng chục micromet, với độ đồng đều vượt quá 95% trên toàn bộ bề mặt chất nền. Mức độ chính xác này giúp loại bỏ các vấn đề thường gặp như hiện tượng tích tụ ở mép, phân bố không đều và hiện tượng mỏng cục bộ, vốn là những vấn đề quan trọng trong quá trình hàn wafer và các ứng dụng nhiệt độ cao.
Các kỹ thuật xử lý nâng cao đối với chất kết dính dạng hạt
Khác với các hệ thống phủ truyền thống, máy này được thiết kế chuyên biệt để xử lý các loại keo chứa hạt rắn hoặc chất độn chức năng. Hệ thống cấp chất lỏng lưu lượng ổn định tích hợp, kết hợp với công nghệ phân tán thời gian thực, đảm bảo các hạt được phân bố đều trong suốt quá trình phủ, từ đó ngăn ngừa hiện tượng lắng cặn và tắc vòi phun.
Điều khiển chuyển động và quy trình chính xác
Hệ thống này được trang bị một nền tảng chuyển động tọa độ XYZ có thể lập trình hoàn toàn, cho phép kiểm soát chính xác quỹ đạo phủ, tốc độ và mẫu lắng đọng. Cấu hình nhiều vòi phun cho phép xử lý song song, giúp nâng cao đáng kể năng suất đồng thời duy trì chất lượng phủ ổn định.
Được tối ưu hóa cho các quy trình nhiệt ở giai đoạn sau
Lớp phủ được tạo ra bởi hệ thống này mang lại một bề mặt tiếp xúc ổn định và đồng đều cho các công đoạn tiếp theo như:
- Khử khí bằng chân không
- Nung kết ở nhiệt độ cao
- Hình thành màng mỏng bằng phương pháp nhiệt phân phun
Bằng cách đảm bảo tính toàn vẹn của lớp phủ ở giai đoạn tiền xử lý, hệ thống này góp phần nâng cao độ bám dính, độ ổn định nhiệt và hiệu suất tổng thể của thiết bị.
Bảo trì thông minh và độ tin cậy
Để đảm bảo hoạt động công nghiệp lâu dài, hệ thống được trang bị:
- Vòi phun siêu âm tự làm sạch
- Hệ thống tái chế chất lỏng thải
- Thiết kế tích hợp hệ thống xả và lọc
Những tính năng này giúp giảm tần suất bảo trì, giảm thiểu thời gian ngừng hoạt động và đảm bảo môi trường vận hành sạch sẽ và ổn định.
Thông số kỹ thuật
| Tham số | Thông số kỹ thuật |
|---|---|
| Kích thước máy | 920 × 1060 × 1620 mm |
| Diện tích phủ hiệu quả | 500 × 500 mm (có thể tùy chỉnh) |
| Nguồn điện | 120V / 220V ±10%, 50–60Hz |
| Loại vòi phun | Siêu âm, có nhiều cấu hình để lựa chọn |
| Độ dày lớp phủ | 20 nm – vài chục µm |
| Lưu lượng chất lỏng | 0,006 – 3 ml/s |
| Hệ thống định vị | Căn chỉnh bằng laser |
| Điều khiển chuyển động | Các trục có thể lập trình XYZ |
| Hệ thống phân phối chất lỏng | Dòng chảy ổn định với phân tán trực tuyến |
| Quản lý chất thải | Tự làm sạch, tái chế, hệ thống xả |
| Tùy chọn sưởi ấm | Tấm gia nhiệt bằng hấp phụ chân không |
| Tùy chọn nhiệt độ cao | Bề mặt gia nhiệt lên đến 750°C |
Ứng dụng điển hình
Sản xuất chất bán dẫn và nuôi cấy tinh thể SiC
- Chuẩn bị cho quá trình hàn wafer
- Độ bám dính của hạt SiC
- Lớp phủ bề mặt trước khi nung kết
Lớp phủ chức năng và bảo vệ
- Lớp phủ cacbua silic (SiC)
- Lớp phủ dạng dung dịch và bùn
- Chất cản quang và quá trình lắng đọng màng mỏng
Lưu trữ năng lượng và vật liệu linh hoạt
- Lớp phủ màng cách điện pin
- Xử lý chất nền linh hoạt bằng phương pháp gia nhiệt hỗ trợ chân không
Vật liệu thủy tinh và vật liệu quang điện
- Lớp phủ đồng đều trên các bộ phận bằng than chì
- Phương pháp lắng đọng màng mỏng cho các ứng dụng năng lượng mặt trời và quang học
Tại sao nên chọn ZMSH
ZMSH chuyên phát triển thiết bị bán dẫn chính xác và các giải pháp xử lý vật liệu tiên tiến, tập trung chủ yếu vào các ứng dụng trong lĩnh vực bán dẫn và nhiệt độ cao. Mỗi hệ thống đều được thiết kế để đảm bảo độ lặp lại cao, sự ổn định của quy trình và độ tin cậy vận hành lâu dài.
Các ưu điểm chính bao gồm:
- Có kinh nghiệm thực tiễn trong lĩnh vực sơn công nghiệp
- Cấu hình hệ thống có thể tùy chỉnh
- Dịch vụ hỗ trợ kỹ thuật chuyên biệt nhằm tối ưu hóa quy trình
Câu hỏi thường gặp
Hệ thống có thể xử lý các loại keo có chứa hạt rắn không?
Đúng vậy. Máy sử dụng hệ thống phân phối lưu lượng ổn định kết hợp chức năng phân tán, đảm bảo lớp phủ đồng đều mà không bị tắc nghẽn hay lắng cặn.
Độ chính xác của việc kiểm soát độ dày lớp phủ là bao nhiêu?
Hệ thống này cho phép điều khiển với độ chính xác cao trong phạm vi từ 20 nm đến hàng chục micromet, đảm bảo độ lặp lại tuyệt vời giữa các lô sản phẩm.
Hỗ trợ những loại chất nền nào?
Nó hỗ trợ nhiều loại vật liệu khác nhau, bao gồm các tấm wafer, hạt giống SiC, giấy than chì, tấm than chì và các chất nền dẻo.
Nó có phù hợp cho sản xuất hàng loạt không?
Đúng vậy. Hệ thống XYZ có thể lập trình và khả năng sử dụng nhiều vòi phun khiến thiết bị này trở nên lý tưởng cho các môi trường sản xuất quy mô thử nghiệm và sản xuất với khối lượng trung bình.
Làm thế nào để đảm bảo độ đồng đều của lớp phủ?
Sự đồng nhất được đạt được nhờ sự kết hợp của:
- Công nghệ phun siêu âm
- Định vị và căn chỉnh bằng laser
- Điều khiển lưu lượng chất lỏng ổn định
- Đồng bộ hóa nhiều vòi phun
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.