A SiC bevonógép egy nagy pontosságú, teljesen automatizált lerakórendszer, amelyet a waferek, SiC magok, grafitpapír és grafitlemezek egyenletes ragasztásos bevonására terveztek. A félvezetők és fejlett anyagok feldolgozásának szigorú követelményeihez tervezett rendszer ultrahangos szórási technológiát, lézeres igazítást és intelligens folyadékvezérlést integrál a kivételes bevonatkonzisztencia és folyamatstabilitás elérése érdekében.
A fejlett gyártási környezetekben - különösen a SiC-kristályok növesztése és az ostyák kötése során - a bevonat egyenletessége közvetlenül befolyásolja a termékhozamot, a kötés integritását és a folyamatok megbízhatóságát. Ez a rendszer ezekre a kihívásokra ad választ azáltal, hogy ellenőrzött filmvastagságot, minimális anyagpazarlást és sorozatonként megismételhető teljesítményt biztosít.
Moduláris felépítésével és programozható vezérlőrendszerével a SiC bevonógép alkalmas kísérleti léptékű fejlesztésre, a folyamat validálására és közepes-nagy tételes gyártásra, így sokoldalú megoldást jelent mind a K+F, mind az ipari alkalmazások számára.
![]()
Alapvető műszaki előnyök
Ultra-egyenletes bevonati teljesítmény
A rendszer a 20 nanométertől a több tíz mikrométeres rétegvastagságokig terjedő bevonatvastagságokat támogatja, a hordozó felületén 95% feletti egyenletességgel. Ez a precizitási szint kiküszöböli az olyan gyakori problémákat, mint a peremfelépülés, az egyenetlen eloszlás és a helyi vékonyodás, amelyek kritikus problémát jelentenek az ostyakötés és a magas hőmérsékletű alkalmazások esetében.
A részecske alapú ragasztók korszerű kezelése
A hagyományos bevonórendszerekkel ellentétben ezt a gépet kifejezetten szilárd részecskéket vagy funkcionális töltőanyagokat tartalmazó ragasztók feldolgozására tervezték. Az integrált, állandó áramlású folyadék adagoló rendszer a valós idejű diszperziós technológiával kombinálva biztosítja, hogy a részecskék egyenletesen eloszlanak a bevonási folyamat során, megelőzve az üledékképződést és a fúvóka eltömődését.
Precíziós mozgás- és folyamatszabályozás
A rendszer teljesen programozható XYZ koordinált mozgásplatformmal rendelkezik, amely lehetővé teszi a bevonat útvonalának, sebességének és a lerakódási mintáknak a pontos vezérlését. A többfúvókás konfigurációk lehetővé teszik a párhuzamos feldolgozást, jelentősen javítva az áteresztőképességet az egyenletes bevonatminőség fenntartása mellett.
Optimalizálva a downstream hőkezelési folyamatokhoz
Az ezzel a rendszerrel előállított bevonat stabil és egységes felületet biztosít a későbbi folyamatokhoz, mint például:
- Vákuumos gázmentesítés
- Magas hőmérsékletű szinterezés
- Permetezéses pirolízis vékonyréteg-képzés
Azáltal, hogy a rendszer már az előkezelési szakaszban biztosítja a bevonat integritását, hozzájárul a kötés szilárdságának, hőstabilitásának és az eszköz általános teljesítményének javításához.
Intelligens karbantartás és megbízhatóság
A hosszú távú ipari működés támogatása érdekében a rendszer a következőkkel van felszerelve:
- Automatikusan tisztuló ultrahangos fúvókák
- Folyékony hulladék újrahasznosító rendszer
- Integrált kipufogó és szűrő kialakítás
Ezek a funkciók csökkentik a karbantartási gyakoriságot, minimalizálják az állásidőt, és tiszta, stabil működési környezetet biztosítanak.
Műszaki specifikációk
| Paraméter | Specifikáció |
|---|---|
| A gép méretei | 920 × 1060 × 1620 mm |
| Hatékony bevonatfelület | 500 × 500 mm (testre szabható) |
| Tápegység | 120V / 220V ±10%, 50-60Hz |
| Fúvóka típusa | Ultrahangos, többféle konfigurációban kapható |
| Bevonatvastagság | 20 nm - több tíz µm |
| Folyadék áramlási sebesség | 0,006 - 3 ml/s |
| Helymeghatározó rendszer | Lézeres igazítás |
| Mozgásvezérlés | XYZ programozható tengelyek |
| Folyékony szállítás | Állandó áramlás online diszperzióval |
| Hulladékgazdálkodás | Automatikus tisztítás, újrahasznosítás, kipufogórendszer |
| Fűtési opció | Vákuum-adszorpciós fűtőlemez |
| Magas hőmérsékletű opció | Akár 750°C-os főzőlap |
Tipikus alkalmazások
Félvezető és SiC kristálynövesztés
- Wafer kötés előkészítése
- SiC magvak tapadása
- Szinterezés előtti határfelületi réteg bevonat
Funkcionális és védőbevonatok
- Szilícium-karbid (SiC) bevonatok
- Fluxus és iszapos bevonatok
- Fotoreziszt és vékonyréteg-leválasztás
Energiatárolás és rugalmas anyagok
- Akkumulátor szeparátor bevonat
- Rugalmas szubsztrátfeldolgozás vákuummal segített fűtéssel
Üveg és fotovoltaikus anyagok
- Egységes bevonat a grafitelemek között
- Vékonyréteg-leválasztás napelemes és optikai alkalmazásokhoz
Miért válassza a ZMSH-t
A ZMSH precíziós félvezető berendezések és fejlett anyagfeldolgozási megoldások fejlesztésére specializálódott, nagy hangsúlyt fektetve a félvezető és a magas hőmérsékletű alkalmazásokra. Minden rendszert úgy terveztek, hogy nagyfokú ismételhetőséget, folyamatstabilitást és hosszú távú üzembiztonságot biztosítson.
A legfontosabb előnyök a következők:
- Bizonyított tapasztalat az ipari bevonatok alkalmazásában
- Testreszabható rendszerkonfigurációk
- Dedikált műszaki támogatás a folyamatoptimalizáláshoz
GYIK - Gyakran Ismételt Kérdések
Tudja a rendszer kezelni a szilárd részecskéket tartalmazó ragasztókat?
Igen. A gép állandó áramlású adagolórendszert használ integrált diszpergálással, amely egyenletes bevonatot biztosít eltömődés vagy részecskék leülepedése nélkül.
Mennyire pontos a bevonatvastagság ellenőrzése?
A rendszer 20 nm és több tíz mikrométer közötti tartományban rendkívül pontos ellenőrzést biztosít, ami kiváló ismételhetőséget biztosít a tételek között.
Milyen típusú szubsztrátumok támogatottak?
Anyagok széles skáláját támogatja, beleértve az ostyákat, SiC magokat, grafitpapírt, grafitlemezeket és rugalmas szubsztrátokat.
Alkalmas-e sorozatgyártásra?
Igen. A programozható XYZ rendszer és a többfúvókás képesség ideális kísérleti és közepes volumenű gyártási környezetekhez.
Hogyan biztosítják a bevonat egyenletességét?
Az egyenletesség a következők kombinációjával érhető el:
- Ultrahangos permetezési technológia
- Lézeres igazítás pozicionálás
- Állandó áramlású folyadékszabályozás
- Több fúvóka szinkronizálása




Értékelések
Még nincsenek értékelések.