Integrierte Maschine zum Reinigen und Wachsen von Keramikscheiben für die Montage und Vorbearbeitung von Halbleiterwafern

Die integrierte Reinigungs- und Wachsmaschine für Keramikscheiben ist ein hocheffizientes automatisiertes System für die Vorverarbeitung von Halbleiterwafern, das die Präzisionsreinigung, das Trocknen und das Wachsen (Montieren) der Wafer in einer einzigen Plattform integriert. Diese Anlage wird häufig bei der Verarbeitung von SiC, Si, GaN, Saphir und Hochleistungskeramik eingesetzt und gewährleistet eine stabile Verbindung der Wafer mit den Trägerscheiben vor dem Schleifen, Dünnen oder Polieren.

Integrierte Maschine zum Reinigen und Wachsen von Keramikscheiben für die Montage und Vorbearbeitung von HalbleiterwafernDie integrierte Reinigungs- und Wachsmaschine für Keramikscheiben ist ein hocheffizientes, automatisiertes System für die Vorverarbeitung von Halbleiterwafern, das Präzisionsreinigung, Trocknung und Wachsen der Wafer (Montage) in einer einzigen Plattform integriert.

Diese Anlage wird häufig in der SiC-, Si-, GaN-, Saphir- und Hochleistungskeramik-Verarbeitung eingesetzt und gewährleistet eine stabile Verbindung der Wafer mit den Trägerscheiben vor dem Schleifen, Ausdünnen oder Polieren. Durch die Kombination von Ultraschallreinigungstechnologie und intelligenter Wachssteuerung erreicht das System hohe Ausbeuteraten von bis zu 99,9% und ist damit ideal für die Massenproduktion und High-End-Halbleiteranwendungen.

Durch den vollautomatischen Betrieb und die MES-Anbindung verbessert diese Maschine die Produktionseffizienz, Prozesskonsistenz und Rückverfolgbarkeit erheblich.


Technische Hauptmerkmale

Integriertes Reinigungs- und Waxing-System

  • Kombiniert Keramikscheibenreinigung + zwei Wachsstationen
  • Verarbeitung in einem Schritt: Reinigen → Trocknen → Wachsen
  • Parallelbetrieb verbessert den Durchsatz

Ultrahochpräzise Ausrichtung

  • CCD-Vision-Positionierungssystem
  • Ausrichtungsgenauigkeit: ±0,02 mm
  • Gewährleistet präzise Waferplatzierung und Bondingqualität

Kontrollierte Wachsabscheidung

  • Wachsmenge: 0,8 g ±0,05 g pro Waffel
  • Gleichmäßige Verteilung sorgt für stabile Montage beim Schleifen

Stabile Druckregelung

  • Pneumatisches System hält einen gleichmäßigen Druck von 5-10 N/cm² aufrecht
  • Verhindert Waferverzug und Bondingfehler

Hohe Ausbeute und Prozessstabilität

  • Ausbeutesatz bis zu 99,9%
  • Echtzeitüberwachung mit automatischer Parametereinstellung (±3% Toleranz)

Technische Daten

Parameter Wert
Abmessungen 7740 × 3390 × 2300 mm
Stromversorgung AC 380V, 50Hz, 90 kW
Pneumatische Versorgung 2 m³/h, 0,4-0,5 MPa (ölfreie trockene Luft)
Wasserversorgung 2 T/h @ 0,3 MPa, ≥12 MΩ-cm DI-Wasser

Arbeitsprinzip

1. Reinigungsstufe mit Keramikscheiben

  • Ultraschallreinigungssystem entfernt Partikel und Verunreinigungen im Mikrometerbereich
  • Verwendet hochreines DI-Wasser (≥12 MΩ-cm)
  • Kombiniert mit Luftmesser und Vakuumtrocknung, um Rückstandsfreiheit zu gewährleisten

2. Automatisierter Waxing-Prozess

  • Bildverarbeitungssystem erkennt die Koordinaten der Scheibe
  • Programmierbarer Dosierkopf trägt gleichmäßige Wachsschicht auf
  • Wafer wird unter kontrollierten Druckbedingungen montiert

3. Intelligente Prozesssteuerung

  • PLC-System synchronisiert Reinigungs- und Wachsmodule
  • Unterstützt die parallele Verarbeitung von bis zu 30 Discs pro Stunde
  • Dickensensoren überwachen die Wachsgleichmäßigkeit in Echtzeit

Produktionskapazität

Wafer Größe Durchmesser der Scheibe Menge Zykluszeit
4 Zoll Φ485 mm 11 Stück 5 min/Scheibe
4 Zoll Φ576 mm 13 Stück 6 min/Scheibe
6 Zoll Φ485 mm 6 Stück 3 min/Scheibe
6 Zoll Φ576 mm 8 Stück 4 min/Scheibe
8 Zoll Φ485 mm 3 Stück 2 min/Scheibe
8 Zoll Φ576 mm 5 Stück 3 min/Scheibe

Anwendungen

Vorverarbeitung von Halbleiterwafern

  • Wafermontage vor dem Schleifen / Ausdünnen / Polieren
  • Geeignet für:
    • Silizium (Si)
    • Siliziumkarbid (SiC)
    • Galliumnitrid (GaN)

Herstellung von Verbindungshalbleitern

  • GaN- und SiC-Leistungsbauelemente
  • Erweiterte Handhabung von Substraten

Optische und kristalline Materialien

  • Saphir-Substrate
  • Präzisionskeramik
  • Optische Komponenten

MEMS und fortgeschrittene Materialien

  • Vorbereitung von Mikrofabrikationswafern
  • Verarbeitung spezieller Materialien

Die wichtigsten Vorteile

  • Hohe Integration: Reinigen + Trocknen + Wachsen in einem System
  • Energie-Effizienz: Wasserrecyclingrate >80%, reduzierter Verbrauch
  • Hoher Durchsatz: Bis zu 30 Discs/Stunde
  • Smart Manufacturing bereit: MES/ERP-Integration unterstützt
  • Flexible Anpassung: Unterstützt Φ300-650 mm Nicht-Standard-Scheiben
  • Schnelle Umrüstung: Werkzeugwechselzeit <3 Minuten

Höhepunkte der Leistung

  • Abweichung der Wachsgleichförmigkeit: ≤±3%
  • Wasserverbrauch: ≤0,5 l/Scheibe
  • Automatisierter Betrieb mit vollständiger Rückverfolgbarkeit
  • Stabile und wiederholbare Prozesskontrolle

FAQ

F1: Wie wird eine hohe Rendite gewährleistet?

Ein spezielles CCD-Vision-Alignment-System bietet eine Positionierungsgenauigkeit von ±0,02 mm und gewährleistet eine gleichbleibende Qualität der Wafer-Montage.

F2: Wie hoch ist der Wasserverbrauch?

Das System erreicht ein Wasserrecycling von >80% bei einem Verbrauch von nur ≤0,5 l pro Scheibe.

F3: Unterstützt es den schnellen Wechsel der Wafergröße?

Ja, die intelligente Vorrichtungsbibliothek ermöglicht einen automatischen Werkzeugwechsel innerhalb von 3 Minuten über die HMI.

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