A WGP-1271C é uma máquina de desbaste de bolachas totalmente automática e de elevada eficiência, concebida especificamente para lidar com os desafios dos substratos de SiC de grande diâmetro e das bolachas para dispositivos. Concebida tendo em mente a precisão e a produtividade, este avançado sistema GGG de três fusos e quatro estações assegura um desbaste de bolachas estável, consistente e de alta qualidade, tanto para bolachas de dispositivos de SiC de 8 polegadas como para substratos de SiC de 12 polegadas.
Equipada com fusos de binário ultra-elevado e um suporte de bolacha de alta carga de quarta geração, a WGP-1271C gere facilmente o complexo e exigente processo de desbaste de SiC, um dos materiais semicondutores mais difíceis. Com a automatização no seu núcleo, a máquina integra a transferência, limpeza e desbaste da bolacha num único fluxo de trabalho simplificado, melhorando significativamente a eficiência da produção e reduzindo a intervenção humana.
Caraterísticas técnicas
- Configuração de três eixos-árvore e quatro estações: Maximiza o rendimento e assegura um processamento consistente das bolachas.
- Fusos de binário ultra-elevado (11 kW): Garante um desempenho de desbaste estável para materiais difíceis de processar, como o SiC.
- Suporte de wafer de alta carga de quarta geração: Fornece suporte e manuseamento precisos da bolacha, minimizando o stress e os defeitos durante o desbaste.
- Função de configuração automática: Completa automaticamente a preparação das rodas após a substituição, eliminando a intervenção manual e reduzindo o tempo de configuração.
- Opções versáteis de consumíveis: Suporta uma variedade de materiais de retificação e objectivos de espessura, optimizando a eficiência do processo e reduzindo os custos operacionais.
- Automação total: O sistema integrado de transferência e limpeza de bolachas garante o mínimo de contaminação e a continuidade do processo sem falhas.
- Ampla compatibilidade: Suporta vários diâmetros de wafer, incluindo φ6 ″, φ8 ″ e φ12 ″, tornando-o ideal para linhas de produção de dispositivos SiC modernos.
Aplicações
O WGP-1271C é ideal para:
- wafers de dispositivos SiC de 8 polegadas: Para aplicações electrónicas de alta potência, automóveis e industriais.
- Substratos de SiC de 12 polegadas: Para dispositivos semicondutores de alta eficiência da próxima geração que exigem bolachas ultrafinas.
- Investigação e desenvolvimento: Universidades e centros de I&D de semicondutores que trabalham na criação de protótipos de dispositivos baseados em SiC.
- Ambientes de produção de alto rendimento: Instalações de fabrico de bolachas em grande escala que procuram soluções de desbaste de bolachas estáveis e automatizadas.
A sua capacidade para manusear tanto wafers de dispositivos como substratos torna-a uma escolha versátil para instalações que pretendem reduzir o tempo de inatividade, aumentar o rendimento e diminuir os custos operacionais globais.
Especificações da máquina
| Item | Especificação |
|---|---|
| Estrutura | Fuso ×3 / Suporte de bolacha ×4 / Mesa de trabalho ×1 / Sistema de transferência e limpeza totalmente automático ×1 |
| Potência do fuso | 11 kW |
| Diâmetro de retificação | φ6″, φ8″, φ12″ |
| Dimensões (L×P×A) | 1900 mm × 3530 mm × 1900 mm |
Porquê escolher o WGP-1271C?
- Elevada eficiência e produtividade: A configuração de três eixos-árvore e quatro estações reduz o tempo de ciclo do processo, mantendo a produção de alta qualidade.
- Precisão de desbaste superior: O suporte de wafer de quarta geração e os fusos de binário ultra-elevado garantem uma espessura e uniformidade precisas do wafer.
- Intervenção humana reduzida: A configuração automática e o sistema de transferência/limpeza totalmente automatizado minimizam os requisitos de mão de obra e os erros de configuração.
- Adaptável a vários processos: A compatibilidade de diversos consumíveis permite a otimização para diferentes tamanhos e materiais de bolacha, satisfazendo as necessidades únicas do fabrico moderno de SiC.
- Baixos custos operacionais: A conceção optimizada do processo e a utilização eficiente dos consumíveis garantem custos de funcionamento mais baixos sem comprometer a produção.
- Produção à prova de futuro: Concebida para acomodar wafers maiores e dispositivos SiC da próxima geração, apoiando a expansão das instalações e as actualizações tecnológicas.
Perguntas frequentes (FAQ)
- P: Quais os tamanhos de bolacha que o WGP-1271C pode suportar?
A: A máquina suporta wafers de φ6″, φ8″ e φ12″, incluindo wafers de dispositivos SiC de 8 polegadas e substratos SiC de 12 polegadas, proporcionando flexibilidade para diferentes necessidades de produção. - P: Como é que a função Autosetup melhora a eficiência da produção?
A: A configuração automática efectua automaticamente a preparação das rodas após a substituição, eliminando a intervenção manual, reduzindo os erros de configuração e poupando tempo de produção valioso. - P: O WGP-1271C pode processar wafers de SiC de espessura difícil a fina sem fissuras?
A: Sim, com fusos de binário ultra-elevado e um suporte de bolacha de alta carga de quarta geração, a máquina assegura um desbaste estável mesmo para bolachas de SiC difíceis de processar, minimizando o stress e os defeitos. - P: A máquina é adequada para ambientes de I&D e de produção em massa?
A: Sem dúvida. O seu sistema de transferência e limpeza totalmente automatizado, combinado com fusos de alta precisão, torna-o ideal tanto para o desenvolvimento da investigação como para o fabrico em grande escala. - P: Como é que o WGP-1271C reduz os custos operacionais?
A: A máquina oferece configurações optimizadas de consumíveis e uma elevada eficiência de processo, reduzindo o desperdício de material e os custos de mão de obra, ao mesmo tempo que mantém um elevado rendimento e uma qualidade consistente das bolachas.




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