O equipamento de retificação posterior de precisão do sistema de desbaste de bolachas é uma solução de processamento de bolachas de alta precisão concebida para o fabrico avançado de semicondutores. Suporta bolachas de 4 a 12 polegadas, incluindo silício (Si), carboneto de silício (SiC), arsenieto de gálio (GaAs), safira e outros materiais semicondutores compostos frágeis.
Este sistema foi concebido para um desbaste ultra-preciso da face posterior da bolacha, permitindo a redução da espessura para níveis micrónicos e submicrónicos, mantendo uma excelente integridade da superfície. Desempenha um papel crítico na embalagem avançada, dispositivos de potência, MEMS e fabrico de semicondutores compostos.
Ao integrar um design mecânico de elevada rigidez, controlo preciso do eixo Z e monitorização da espessura em tempo real, o equipamento assegura um desempenho de processamento estável e repetível para a produção à escala industrial.
Principais caraterísticas técnicas
Controlo de espessura de alta precisão
- Precisão da espessura: ±1 μm
- Variação da espessura total (TTV): ≤2 μm
- Os modelos avançados alcançam um controlo submicrónico até ±0,5 μm
Ampla compatibilidade de materiais
Suporta uma vasta gama de semicondutores e materiais frágeis:
- Silício (Si)
- Carboneto de silício (SiC)
- Arsenieto de gálio (GaAs)
- Safira (Al₂O₃)
- Outros wafers de semicondutores compostos
Compatibilidade de tamanho de wafer
- Bolachas de 4 polegadas / 6 polegadas / 8 polegadas / 10 polegadas / 12 polegadas
- Manuseamento flexível para substratos padrão e personalizados
Sistema mecânico de alta estabilidade
- Eixo de rolamento de ar de alta rigidez
- Plataforma de retificação de precisão com baixa vibração
- Fuso de esferas importado + sistema de guia linear
- Controlo de servomotores de alta precisão (resolução de 0,1 μm)
Sistema de arrefecimento avançado
- O sistema de fuso arrefecido a água assegura a estabilidade térmica
- Evita a deformação durante a retificação a alta velocidade
Configuração do sistema
O sistema de desbaste de bolachas integra vários módulos funcionais:
1. Módulo de retificação de precisão
Efectua uma remoção controlada de material com elevada uniformidade de superfície.
2. Sistema de controlo de precisão do eixo Z
Permite um ajuste vertical ultra-fino para uma espessura consistente da bolacha.
3. Sistema de medição da espessura
A medição em tempo real com ou sem contacto garante a estabilidade do processo.
4. Mandril para wafer a vácuo
Fixação segura da bolacha, incluindo soluções personalizadas para bolachas irregulares.
5. Sistema de controlo de automação
- Modos de funcionamento totalmente automático / semi-automático
- Gravação do registo de operações
- Controlo de processos baseado em receitas
Capacidades de processamento
O sistema foi concebido para o processamento de alto desempenho da face posterior da bolacha:
- Retificação posterior de bolachas de silício
- Desbaste de pastilhas de SiC para dispositivos de potência
- Afinamento do substrato de GaN e GaAs
- Desbaste de precisão de bolachas de safira
- Preparação de bolachas ultra-finas para embalagem 3D
Aplicações
1. Dispositivos semicondutores de potência
Utilizado em MOSFETs de SiC, IGBTs e dispositivos de alta tensão que requerem wafers ultra-finos.
2. Embalagem avançada
Suporta o desbaste de bolachas para:
- Embalagem de flip-chips
- Integração de CI 2,5D / 3D
- Processos TSV (Through Silicon Via)
3. Semicondutores compostos
Aplicável ao fabrico de dispositivos GaN, GaAs e InP.
4. LED e optoelectrónica
Desbaste de pastilhas de safira e compostos para pastilhas de LED e dispositivos ópticos.
Vantagens
- Tecnologia de desbaste de bolachas madura e estável
- Sistema de retificação de alimentação de alta precisão
- Excelente controlo da rugosidade da superfície
- UPH elevado (até 30 wafers/hora para processos padrão)
- Forte adaptabilidade para materiais frágeis e duros
- Capacidade de integração de processos totalmente automatizada
Destaques do desempenho
- Resolução mínima: 0,1 μm/s Controlo do eixo Z
- Uniformidade da espessura: ≤1-2 μm TTV
- Fuso de alta velocidade com vibração ultra-baixa
- Monitorização e registo de processos em tempo real
- Compatível com ambientes de I&D e de produção em massa
Opções de personalização
Fornecemos personalização flexível para diferentes necessidades industriais:
- Mandris de wafer personalizados (formas irregulares)
- Gama de medição de espessura alargada (até 40 mm)
- Personalização da receita do processo
- Integração de automação com equipamento a montante/jusante
FAQ
Q1: Este sistema pode processar bolachas de SiC?
Sim, está especificamente optimizado para o desbaste de pastilhas de SiC e para o desbaste do lado posterior, adequado para aplicações em dispositivos de potência.
Q2: Qual é a precisão de espessura que se pode obter?
Os modelos padrão atingem ±1 μm, e as configurações topo de gama podem atingir ±0,5 μm com TTV ≤1 μm.
Q3: É compatível com a automatização total?
Sim, estão disponíveis os modos totalmente automático e semi-automático, dependendo dos requisitos de produção.
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