Кремниевая пластина с металлическим покрытием Ti/Cu разработана как стандартная проводящая и совместимая с технологическим процессом подложка для передовых исследований и промышленных применений. Сочетая технологию кремниевых пластин с металлическим тонкопленочным покрытием, она обеспечивает стабильную платформу для электрических, химических и микрофабричных процессов.
Структура системы покрытия Ti/Cu обеспечивает как механическую надежность, так и функциональную проводимость. Она особенно подходит для приложений, требующих надежных металлических интерфейсов, равномерной поверхностной проводимости и совместимости со стандартными технологиями обработки полупроводников.
Продукт поддерживает индивидуальную настройку размера пластин, типа подложки и толщины пленки, что делает его подходящим как для небольших исследовательских экспериментов, так и для опытного производства.
Основные характеристики
- Сильная адгезия
Титановый адгезионный слой значительно улучшает сцепление между медной пленкой и кремниевой подложкой, снижая риск отслаивания и расслоения. - Высокая электропроводность
Медный поверхностный слой обеспечивает низкое сопротивление и стабильные электрические характеристики для тестирования устройств и проводящих приложений. - Отличная однородность пленки
Магнетронное распыление обеспечивает равномерную толщину покрытия и гладкую морфологию поверхности по всей пластине. - Хорошая совместимость с технологическими процессами
Совместим с литографией, травлением, гальваникой, осаждением и стандартными процессами производства полупроводников. - Гибкая настройка
Доступны пластины различных размеров, типы подложек и комбинации толщины металлического слоя.
Типовая структура
Подложка + титановый адгезионный слой + медный проводящий слой
- Подложка: Кремний / кварц / стекло (опционально)
- Адгезионный слой: Титан (Ti)
- Проводящий слой: Медь (Cu)
- Метод осаждения: Магнетронное распыление
Слой Ti выступает в качестве межфазного связующего слоя между подложкой и медной пленкой, обеспечивая стабильность структуры. Слой меди обеспечивает функциональную проводящую поверхность для электрических и технологических применений.
Технические характеристики
| Артикул | Описание |
|---|---|
| Размер пластины | 2″, 4″, 6″, 8″, нестандартные размеры |
| Материал подложки | Кремний, кварц, стекло BF33 (опционально) |
| Ориентация кристаллов | , и т.д. |
| Сопротивление | Низкий / Средний / Высокий (настраивается) |
| Толщина титана | 10-50 нм (типичный диапазон) |
| Толщина меди | 50 нм - 1 мкм (напыление), более толстые с помощью гальванического покрытия |
| Метод нанесения покрытия | Магнетронное напыление |
| Сторона покрытия | Односторонняя или двухсторонняя |
Производственный процесс
Пластины с металлическим покрытием Ti/Cu производятся с помощью технологии вакуумного магнетронного напыления. Сначала на очищенную поверхность кремния наносится слой титана для улучшения адгезии. Затем поверх титановой пленки наносится слой меди для формирования однородной проводящей поверхности.
Для приложений, требующих более толстых медных пленок, напыленный слой меди можно использовать в качестве начального слоя для гальванического покрытия, что позволяет в дальнейшем наращивать металл для достижения микронной толщины при сохранении сильной адгезии.
Этот комбинированный процесс обеспечивает как высокое качество пленки, так и гибкое функциональное расширение.
Приложения
- Исследование и создание прототипов полупроводниковых устройств
- Омический контакт и изготовление электродов
- Разработка начального слоя микроструктуры МЭМС
- Гальваническая основа для RDL и толстых медных конструкций
- Исследование роста тонких пленок и наноматериалов
- Испытания на проводимость поверхности и анализ материалов
- Подготовка образцов для СЭМ, АСМ и поверхностной метрологии
- Биоэлектрохимические сенсоры и платформы микрочипов
Преимущества по сравнению с покрытием из одного металла
По сравнению с прямым нанесением меди на кремний, структура Ti/Cu обеспечивает:
- Повышенная адгезионная устойчивость при термическом и химическом воздействии
- Снижение риска отслаивания или растрескивания меди
- Повышение производительности процесса на этапах микрофабрикации
- Более стабильные электрические характеристики с течением времени
- Лучшая совместимость с многоступенчатыми полупроводниковыми процессами
Это делает его более надежным решением как для исследовательских лабораторий, так и для промышленных научно-исследовательских центров.
ЧАСТО ЗАДАВАЕМЫЕ ВОПРОСЫ
Q1: Почему титан используется под медным покрытием?
Титан выступает в качестве адгезионного слоя, который улучшает сцепление между медной и кремниевой подложками, предотвращая расслоение во время обработки и использования.
Вопрос 2: Можно ли увеличить толщину меди?
Да. Напыленная медь может использоваться в качестве начального слоя для гальванического покрытия, чтобы получить более толстые металлические слои в зависимости от требований приложения.
Вопрос 3: Можно ли наносить покрытие на обе стороны пластины?
Да. По запросу возможны варианты одностороннего или двустороннего покрытия.
Q4: Какие варианты подложек доступны?
Чаще всего используется стандартный кремний, но для специальных оптических или химических применений также доступны кварцевые и стеклянные подложки.
Request a Quote for Ti/Cu Metal-Coated Silicon Wafer Titanium Copper Sputtered Wafer for MEMS Microelectronics Conductive Substrate
Tell us your required specifications, dimensions, quantity, application and technical requirements. You can also provide drawings or additional project information. Our technical team will review your requirements and reply as soon as possible.
Отзывы
Отзывов пока нет.