Ti/Cu Metal Kaplı Silikon Gofret MEMS Mikroelektronik İletken Substrat için Titanyum Bakır Püskürtmeli Gofret

Ti/Cu Metal Kaplı Silikon Gofret, magnetron püskürtme teknolojisi kullanılarak bir silikon substrat üzerine bir titanyum yapışma tabakası ve bir bakır iletken tabaka biriktirilerek hazırlanan yüksek kaliteli bir fonksiyonel gofrettir. Titanyum tabaka film yapışmasını ve stabilitesini artırırken, bakır tabaka mükemmel elektrik iletkenliği sağlar. Bu ürün mikroelektronik, MEMS üretimi, laboratuvar araştırmaları ve ince film proses geliştirmede yaygın olarak kullanılmaktadır.

Ti/Cu Metal Kaplı Silikon Wafer, ileri araştırma ve endüstriyel uygulamalar için standart iletken ve proses uyumlu bir alt tabaka olarak tasarlanmıştır. Silikon gofret teknolojisini metal ince film kaplama ile birleştirerek, elektrik, kimyasal ve mikrofabrikasyon işlemleri için istikrarlı bir platform sağlar.

Ti/Cu kaplama sisteminin yapısı hem mekanik güvenilirlik hem de işlevsel iletkenlik sağlar. Özellikle güvenilir metal arayüzler, düzgün yüzey iletkenliği ve standart yarı iletken işleme teknikleriyle uyumluluk gerektiren uygulamalar için uygundur.

Ürün, gofret boyutu, alt tabaka tipi ve film kalınlığında özelleştirmeyi destekleyerek hem küçük ölçekli araştırma deneyleri hem de pilot üretim ortamları için uygun hale getirir.


Temel Özellikler

  • Güçlü yapışma performansı
    Titanyum yapışma tabakası, bakır film ve silikon alt tabaka arasındaki yapışmayı önemli ölçüde geliştirerek soyulma ve delaminasyon risklerini azaltır.
  • Yüksek elektrik iletkenliği
    Bakır yüzey katmanı, cihaz testi ve iletken uygulamalar için düşük direnç ve istikrarlı elektrik performansı sağlar.
  • Mükemmel film homojenliği
    Magnetron püskürtme, tüm wafer boyunca eşit kaplama kalınlığı ve pürüzsüz yüzey morfolojisi sağlar.
  • İyi süreç uyumluluğu
    Litografi, aşındırma, elektrokaplama, biriktirme ve standart yarı iletken üretim süreçleriyle uyumludur.
  • Esnek özelleştirme
    Birden fazla wafer boyutu, alt tabaka tipi ve metal katman kalınlığı kombinasyonu mevcuttur.

Tipik Yapı

Substrat + Titanyum Yapışma Katmanı + Bakır İletken Katman

  • Alt tabaka: Silikon / Kuvars / Cam (isteğe bağlı)
  • Yapışma Katmanı: Titanyum (Ti)
  • İletken Katman: Bakır (Cu)
  • Biriktirme Yöntemi: Magnetron püskürtme

Ti katmanı, alt tabaka ile bakır film arasında bir arayüz bağlama katmanı görevi görerek yapısal stabilite sağlar. Cu katmanı, elektrik ve proses uygulamaları için fonksiyonel iletken yüzey sağlar.


Teknik Özellikler

Öğe Açıklama
Gofret Boyutu 2″, 4″, 6″, 8″, özel boyutlar
Alt Tabaka Malzemesi Silikon, Kuvars, BF33 cam (isteğe bağlı)
Kristal Yönlendirme , , vb.
Dirençlilik Düşük / Orta / Yüksek (özelleştirilebilir)
Ti Kalınlığı 10-50 nm (tipik aralık)
Cu Kalınlığı 50 nm - 1 µm (püskürtülmüş), elektrokaplama yoluyla daha kalın
Kaplama Yöntemi Magnetron püskürtme
Kaplama Tarafı Tek taraflı veya çift taraflı

Üretim Süreci

Ti/Cu metal kaplı yonga plakası vakumlu magnetron püskürtme teknolojisi kullanılarak üretilmiştir. İlk olarak, yapışmayı iyileştirmek için temizlenmiş silikon yüzey üzerine bir titanyum tabaka biriktirilir. Ardından, düzgün bir iletken yüzey oluşturmak için titanyum filmin üzerine bir bakır tabaka biriktirilir.

Daha kalın bakır filmler gerektiren uygulamalar için, püskürtülen bakır katman elektrokaplama için bir tohum katmanı olarak kullanılabilir ve güçlü yapışmayı korurken mikron düzeyinde kalınlık elde etmek için daha fazla metal büyümesine izin verir.

Bu kombinasyon işlemi hem yüksek film kalitesi hem de esnek fonksiyonel genişleme sağlar.


Uygulamalar

  • Yarı iletken cihaz araştırma ve prototipleme
  • Ohmik temas ve elektrot imalatı
  • MEMS mikroyapı tohum katmanı geliştirme
  • RDL ve kalın bakır yapılar için elektrokaplama tabanı
  • İnce film ve nanomalzeme büyütme araştırmaları
  • Yüzey iletkenlik testi ve malzeme analizi
  • SEM, AFM ve yüzey metrolojisi numune hazırlama
  • Biyo-elektrokimyasal sensörler ve mikroarray platformları

Tek Metal Kaplamaya Kıyasla Avantajları

Silikon üzerine doğrudan bakır kaplama ile karşılaştırıldığında, Ti/Cu yapısı şunları sağlar:

  • Termal ve kimyasal stres altında daha iyi yapışma kararlılığı
  • Bakırın soyulma veya çatlama riskinin azaltılması
  • Mikrofabrikasyon adımlarında iyileştirilmiş proses verimi
  • Zaman içinde daha istikrarlı elektrik performansı
  • Çok aşamalı yarı iletken proseslerle daha iyi uyumluluk

Bu da onu hem araştırma laboratuvarları hem de endüstriyel Ar-Ge ortamları için daha güvenilir bir çözüm haline getirir.


SSS

S1: Bakır kaplama altında neden titanyum kullanılıyor?
Titanyum, bakır ve silikon alt tabakalar arasındaki yapışmayı iyileştiren, işleme ve kullanım sırasında delaminasyonu önleyen bir yapışma tabakası görevi görür.

S2: Bakır kalınlığı artırılabilir mi?
Evet. Püskürtülmüş bakır, uygulama gereksinimlerine bağlı olarak daha kalın metal katmanlar elde etmek için elektrokaplama için bir tohum katmanı olarak kullanılabilir.

S3: Gofretin her iki tarafı da kaplanabilir mi?
Evet. Talep üzerine tek taraflı veya çift taraflı kaplama seçenekleri mevcuttur.

S4: Hangi alt tabaka seçenekleri mevcut?
Standart silikon en yaygın olanıdır, ancak özel optik veya kimyasal uygulamalar için kuvars ve cam alt tabakalar da mevcuttur.

Değerlendirmeler

Henüz değerlendirme yapılmadı.

“Ti/Cu Metal-Coated Silicon Wafer Titanium Copper Sputtered Wafer for MEMS Microelectronics Conductive Substrate” için yorum yapan ilk kişi siz olun

E-posta adresiniz yayınlanmayacak. Gerekli alanlar * ile işaretlenmişlerdir