Tấm silicon phủ kim loại Ti/Cu được thiết kế như một chất nền dẫn điện tiêu chuẩn và tương thích với quy trình, phục vụ cho các ứng dụng nghiên cứu tiên tiến và công nghiệp. Bằng cách kết hợp công nghệ tấm silicon với lớp phủ màng mỏng kim loại, sản phẩm này cung cấp một nền tảng ổn định cho các quy trình điện, hóa học và chế tạo vi mô.
Cấu trúc của hệ thống lớp phủ Ti/Cu đảm bảo cả độ tin cậy cơ học lẫn tính dẫn điện chức năng. Hệ thống này đặc biệt phù hợp cho các ứng dụng đòi hỏi các giao diện kim loại đáng tin cậy, tính dẫn điện bề mặt đồng đều và khả năng tương thích với các kỹ thuật chế tạo bán dẫn tiêu chuẩn.
Sản phẩm này cho phép tùy chỉnh kích thước tấm wafer, loại chất nền và độ dày lớp màng, nhờ đó phù hợp cho cả các thí nghiệm nghiên cứu quy mô nhỏ lẫn môi trường sản xuất thử nghiệm.
Các tính năng chính
- Khả năng bám dính cao
Lớp kết dính titan giúp cải thiện đáng kể độ bám dính giữa màng đồng và đế silicon, từ đó giảm thiểu nguy cơ bong tróc và tách lớp. - Độ dẫn điện cao
Lớp bề mặt bằng đồng mang lại điện trở thấp và hiệu suất điện ổn định cho việc kiểm tra thiết bị và các ứng dụng dẫn điện. - Độ đồng đều màu sắc tuyệt vời
Phương pháp phún xạ magnetron đảm bảo độ dày lớp phủ đồng đều và bề mặt nhẵn mịn trên toàn bộ tấm wafer. - Khả năng tương thích quy trình tốt
Tương thích với các quy trình in thạch bản, ăn mòn, mạ điện, lắng đọng và các quy trình sản xuất bán dẫn tiêu chuẩn. - Tùy chỉnh linh hoạt
Có sẵn với nhiều kích thước tấm wafer, loại chất nền và sự kết hợp độ dày lớp kim loại khác nhau.
Cấu trúc điển hình
Chất nền + Lớp kết dính titan + Lớp dẫn điện đồng
- Chất nền: Silicon / Thạch anh / Kính (tùy chọn)
- Lớp bám dính: Titan (Ti)
- Lớp dẫn điện: Đồng (Cu)
- Phương pháp lắng đọng: Phun xạ Magnetron
Lớp Ti đóng vai trò là lớp liên kết giao diện giữa chất nền và màng đồng, đảm bảo tính ổn định về cấu trúc. Lớp Cu cung cấp bề mặt dẫn điện chức năng cho các ứng dụng điện và công nghệ chế tạo.
Thông số kỹ thuật
| Mặt hàng | Mô tả |
|---|---|
| Kích thước tấm wafer | 2″, 4″, 6″, 8″, kích thước theo yêu cầu |
| Vật liệu nền | Silic, Thạch anh, Kính BF33 (tùy chọn) |
| Hướng tinh thể | , , v.v. |
| Điện trở suất | Thấp / Trung bình / Cao (có thể tùy chỉnh) |
| Độ dày | 10–50 nm (khoảng thông thường) |
| Độ dày của cu | 50 nm – 1 µm (phương pháp phún xạ), dày hơn nhờ mạ điện |
| Phương pháp phủ | Phương pháp phún xạ magnetron |
| Mặt phủ | Một mặt hay hai mặt |
Quy trình sản xuất
Tấm wafer phủ kim loại Ti/Cu được sản xuất bằng công nghệ phún xạ magnetron chân không. Đầu tiên, một lớp titan được phủ lên bề mặt silicon đã được làm sạch để tăng cường độ bám dính. Sau đó, một lớp đồng được phủ lên trên lớp màng titan để tạo thành một bề mặt dẫn điện đồng nhất.
Đối với các ứng dụng yêu cầu lớp đồng dày hơn, lớp đồng được tạo bằng phương pháp phún xạ có thể được sử dụng làm lớp nền cho quá trình mạ điện, cho phép tiếp tục hình thành lớp kim loại để đạt được độ dày ở mức micromet đồng thời vẫn duy trì độ bám dính cao.
Quy trình kết hợp này đảm bảo cả chất lượng màng cao lẫn khả năng mở rộng chức năng linh hoạt.
Ứng dụng
- Nghiên cứu và chế tạo mẫu thử thiết bị bán dẫn
- Chế tạo tiếp điểm Ohmic và điện cực
- Phát triển lớp nền cấu trúc vi mô MEMS
- Lớp nền mạ điện cho các cấu trúc RDL và đồng dày
- Nghiên cứu về quá trình hình thành màng mỏng và vật liệu nano
- Thử nghiệm độ dẫn điện bề mặt và phân tích vật liệu
- Chuẩn bị mẫu cho SEM, AFM và đo lường bề mặt
- Cảm biến sinh-điện hóa và nền tảng microarray
Ưu điểm so với lớp phủ kim loại đơn
So với việc phủ đồng trực tiếp lên silicon, cấu trúc Ti/Cu mang lại:
- Độ ổn định bám dính cao hơn khi chịu tác động của nhiệt và hóa chất
- Giảm nguy cơ bong tróc hoặc nứt vỡ đồng
- Nâng cao hiệu suất quy trình trong các công đoạn chế tạo vi mô
- Hiệu suất điện ổn định hơn theo thời gian
- Khả năng tương thích tốt hơn với các quy trình sản xuất bán dẫn nhiều bước
Điều này khiến nó trở thành một giải pháp đáng tin cậy hơn cho cả các phòng thí nghiệm nghiên cứu lẫn các môi trường nghiên cứu và phát triển (R&D) trong ngành công nghiệp.
Câu hỏi thường gặp
Câu hỏi 1: Tại sao lại sử dụng titan dưới lớp phủ đồng?
Titan đóng vai trò như một lớp kết dính giúp tăng cường độ bám dính giữa các chất nền đồng và silicon, từ đó ngăn ngừa hiện tượng bong tróc trong quá trình gia công và sử dụng.
Câu hỏi 2: Có thể tăng độ dày của đồng không?
Đúng vậy. Đồng phún xạ có thể được sử dụng làm lớp nền cho quá trình mạ điện để tạo ra các lớp kim loại dày hơn tùy theo yêu cầu của ứng dụng.
Câu hỏi 3: Có thể phủ lớp lên cả hai mặt của tấm wafer không?
Đúng vậy. Có thể cung cấp các tùy chọn phủ một mặt hoặc hai mặt theo yêu cầu.
Câu hỏi 4: Có những loại chất nền nào?
Silic tiêu chuẩn là loại phổ biến nhất, nhưng cũng có sẵn các chất nền thạch anh và thủy tinh dành cho các ứng dụng quang học hoặc hóa học đặc biệt.
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.