Il wafer di silicio rivestito di metallo Ti/Cu è stato progettato come substrato standard conduttivo e compatibile con i processi per la ricerca avanzata e le applicazioni industriali. Combinando la tecnologia dei wafer di silicio con il rivestimento in film sottile di metallo, fornisce una piattaforma stabile per i processi elettrici, chimici e di microfabbricazione.
La struttura del sistema di rivestimento Ti/Cu garantisce affidabilità meccanica e conduttività funzionale. È particolarmente adatto per le applicazioni che richiedono interfacce metalliche affidabili, conduttività superficiale uniforme e compatibilità con le tecniche standard di lavorazione dei semiconduttori.
Il prodotto supporta la personalizzazione delle dimensioni del wafer, del tipo di substrato e dello spessore del film, rendendolo adatto sia per esperimenti di ricerca su piccola scala che per ambienti di produzione pilota.
Caratteristiche principali
- Forte capacità di adesione
Lo strato di adesione in titanio migliora significativamente l'adesione tra il film di rame e il substrato di silicio, riducendo i rischi di distacco e delaminazione. - Elevata conducibilità elettrica
Lo strato superficiale di rame offre una bassa resistenza e prestazioni elettriche stabili per il test dei dispositivi e le applicazioni conduttive. - Eccellente uniformità del film
Il magnetron sputtering assicura uno spessore uniforme del rivestimento e una morfologia superficiale omogenea su tutto il wafer. - Buona compatibilità con i processi
Compatibile con la litografia, l'incisione, la galvanotecnica, la deposizione e i processi standard di fabbricazione dei semiconduttori. - Personalizzazione flessibile
Disponibile in diverse dimensioni di wafer, tipi di substrato e combinazioni di spessore dello strato metallico.
Struttura tipica
Substrato + strato di adesione in titanio + strato conduttivo in rame
- Substrato: Silicio / quarzo / vetro (opzionale)
- Strato di adesione: Titanio (Ti)
- Strato conduttivo: Rame (Cu)
- Metodo di deposizione: Magnetron sputtering
Lo strato di Ti funge da strato di legame di interfaccia tra il substrato e il film di rame, garantendo la stabilità strutturale. Lo strato di Cu fornisce la superficie conduttiva funzionale per le applicazioni elettriche e di processo.
Specifiche tecniche
| Articolo | Descrizione |
|---|---|
| Dimensione del wafer | 2″, 4″, 6″, 8″, dimensioni personalizzate |
| Materiale del substrato | Silicio, quarzo, vetro BF33 (opzionale) |
| Orientamento del cristallo | , , ecc. |
| Resistività | Basso / Medio / Alto (personalizzabile) |
| Spessore Ti | 10-50 nm (intervallo tipico) |
| Spessore Cu | 50 nm - 1 µm (sputtering), più spesso per elettrodeposizione |
| Metodo di rivestimento | Sputtering a magnetrone |
| Lato rivestimento | Singolo o doppio lato |
Processo di produzione
Il wafer rivestito di metallo Ti/Cu è prodotto con la tecnologia di sputtering magnetronico sotto vuoto. In primo luogo, uno strato di titanio viene depositato sulla superficie pulita del silicio per migliorare l'adesione. Quindi viene depositato uno strato di rame sopra il film di titanio per formare una superficie conduttiva uniforme.
Per le applicazioni che richiedono film di rame più spessi, lo strato di rame sputtered può essere utilizzato come strato di partenza per l'elettroplaccatura, consentendo un'ulteriore crescita del metallo per raggiungere uno spessore di livello micron, mantenendo una forte adesione.
Questo processo combinato garantisce sia un'elevata qualità del film che un'espansione funzionale flessibile.
Applicazioni
- Ricerca e prototipazione di dispositivi a semiconduttore
- Contatto ohmico e fabbricazione di elettrodi
- Sviluppo dello strato seminale della microstruttura MEMS
- Base galvanica per RDL e strutture in rame ad alto spessore
- Ricerca sulla crescita di film sottili e nanomateriali
- Test di conducibilità superficiale e analisi dei materiali
- Preparazione dei campioni SEM, AFM e metrologia delle superfici
- Sensori bioelettrochimici e piattaforme microarray
Vantaggi rispetto al rivestimento singolo in metallo
Rispetto al rivestimento diretto di rame sul silicio, la struttura Ti/Cu offre:
- Migliore stabilità di adesione sotto stress termico e chimico
- Riduzione del rischio di spellature o crepe del rame
- Miglioramento della resa del processo nelle fasi di microfabbricazione
- Prestazioni elettriche più stabili nel tempo
- Migliore compatibilità con i processi a semiconduttore multi-step
Questo lo rende una soluzione più affidabile sia per i laboratori di ricerca che per gli ambienti di R&S industriale.
FAQ
D1: Perché si usa il titanio sotto il rivestimento di rame?
Il titanio agisce come strato di adesione che migliora il legame tra i substrati di rame e silicio, impedendo la delaminazione durante la lavorazione e l'uso.
D2: Lo spessore del rame può essere aumentato?
Sì. Il rame sputterato può essere utilizzato come strato di partenza per l'elettroplaccatura per ottenere strati metallici più spessi, a seconda dei requisiti dell'applicazione.
D3: È possibile rivestire entrambi i lati del wafer?
Sì. Le opzioni di rivestimento su uno o due lati sono disponibili su richiesta.
D4: Quali sono le opzioni di substrato disponibili?
Il silicio standard è il più comune, ma sono disponibili anche substrati di quarzo e vetro per applicazioni ottiche o chimiche speciali.
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