A pastilha de silício revestida de metal Ti/Cu foi concebida como um substrato condutor padrão e compatível com o processo para investigação avançada e aplicações industriais. Ao combinar a tecnologia de pastilha de silício com o revestimento de película fina de metal, proporciona uma plataforma estável para processos eléctricos, químicos e de microfabricação.
A estrutura do sistema de revestimento Ti/Cu assegura tanto a fiabilidade mecânica como a condutividade funcional. É especialmente adequado para aplicações que requerem interfaces metálicas fiáveis, condutividade de superfície uniforme e compatibilidade com técnicas de processamento de semicondutores padrão.
O produto permite a personalização do tamanho da bolacha, do tipo de substrato e da espessura da película, tornando-o adequado tanto para experiências de investigação em pequena escala como para ambientes de produção piloto.
Caraterísticas principais
- Forte desempenho de aderência
A camada de adesão de titânio melhora significativamente a ligação entre a película de cobre e o substrato de silício, reduzindo os riscos de descamação e delaminação. - Elevada condutividade eléctrica
A camada de superfície de cobre proporciona uma baixa resistência e um desempenho elétrico estável para testes de dispositivos e aplicações condutoras. - Excelente uniformidade da película
A pulverização catódica por magnetrão garante uma espessura de revestimento uniforme e uma morfologia de superfície lisa em toda a bolacha. - Boa compatibilidade de processos
Compatível com litografia, gravação, galvanoplastia, deposição e processos normais de fabrico de semicondutores. - Personalização flexível
Disponível em vários tamanhos de bolacha, tipos de substrato e combinações de espessura de camada metálica.
Estrutura típica
Substrato + camada de aderência de titânio + camada condutora de cobre
- Substrato: Silício / Quartzo / Vidro (opcional)
- Camada de aderência: Titânio (Ti)
- Camada condutora: Cobre (Cu)
- Método de deposição: Magnetron sputtering
A camada de Ti actua como uma camada de ligação de interface entre o substrato e a película de cobre, assegurando a estabilidade estrutural. A camada de Cu fornece a superfície condutora funcional para aplicações eléctricas e de processo.
Especificações
| Item | Descrição |
|---|---|
| Tamanho da pastilha | 2″, 4″, 6″, 8″, tamanhos personalizados |
| Material do substrato | Silício, quartzo, vidro BF33 (opcional) |
| Orientação do cristal | , , etc. |
| Resistividade | Baixo / Médio / Alto (personalizável) |
| Espessura de Ti | 10-50 nm (gama típica) |
| Espessura do Cu | 50 nm - 1 µm (pulverizado), mais espesso por galvanoplastia |
| Método de revestimento | Pulverização catódica por magnetrão |
| Lado do revestimento | Face simples ou face dupla |
Processo de fabrico
A bolacha revestida com metal Ti/Cu é produzida utilizando a tecnologia de pulverização catódica por magnetrão no vácuo. Em primeiro lugar, é depositada uma camada de titânio sobre a superfície de silício limpa para melhorar a adesão. De seguida, é depositada uma camada de cobre sobre a película de titânio para formar uma superfície condutora uniforme.
Para aplicações que exijam películas de cobre mais espessas, a camada de cobre pulverizada pode ser utilizada como camada de semente para galvanoplastia, permitindo um maior crescimento do metal para atingir uma espessura ao nível do mícron, mantendo uma forte adesão.
Este processo combinado garante uma elevada qualidade da película e uma expansão funcional flexível.
Aplicações
- Investigação e criação de protótipos de dispositivos semicondutores
- Contacto óhmico e fabrico de eléctrodos
- Desenvolvimento da camada de semente da microestrutura MEMS
- Base de galvanoplastia para RDL e estruturas de cobre espessas
- Investigação sobre o crescimento de películas finas e nanomateriais
- Ensaios de condutividade de superfície e análise de materiais
- SEM, AFM e preparação de amostras para metrologia de superfícies
- Sensores bio-electroquímicos e plataformas de microarray
Vantagens em comparação com o revestimento de metal simples
Em comparação com o revestimento direto de cobre sobre silício, a estrutura Ti/Cu proporciona
- Melhor estabilidade de aderência sob tensão térmica e química
- Redução do risco de descamação ou fissuração do cobre
- Melhoria do rendimento do processo nas etapas de microfabricação
- Desempenho elétrico mais estável ao longo do tempo
- Melhor compatibilidade com processos de semicondutores de várias etapas
Isto torna-o uma solução mais fiável para laboratórios de investigação e ambientes industriais de I&D.
FAQ
Q1: Porque é que o titânio é utilizado sob um revestimento de cobre?
O titânio actua como uma camada de adesão que melhora a ligação entre os substratos de cobre e silício, evitando a delaminação durante o processamento e a utilização.
Q2: A espessura do cobre pode ser aumentada?
Sim. O cobre pulverizado pode ser utilizado como uma camada de semente para galvanoplastia para obter camadas metálicas mais espessas, dependendo dos requisitos da aplicação.
Q3: Podem ser revestidos os dois lados da bolacha?
Sim. As opções de revestimento de uma ou duas faces estão disponíveis mediante pedido.
Q4: Que opções de substrato estão disponíveis?
O silício padrão é o mais comum, mas os substratos de quartzo e vidro também estão disponíveis para aplicações ópticas ou químicas especiais.
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