Ti/Cuメタルコーティング・シリコンウェハーは、先端研究および産業用途向けの標準的な導電性基板およびプロセス適合基板として設計されています。シリコンウエハー技術と金属薄膜コーティングを組み合わせることにより、電気、化学、微細加工プロセス用の安定したプラットフォームを提供します。.
Ti/Cuコーティングシステムの構造は、機械的信頼性と機能的導電性の両方を保証します。信頼性の高い金属界面、均一な表面導電性、標準的な半導体加工技術との互換性を必要とする用途に特に適しています。.
この製品は、ウェーハサイズ、基板タイプ、膜厚のカスタマイズに対応しており、小規模な研究実験とパイロット生産環境の両方に適している。.
主な特徴
- 強力な接着性能
チタン接着層は、銅膜とシリコン基板間の接着を大幅に改善し、剥離や層間剥離のリスクを低減します。. - 高い導電性
銅表面層は、デバイステストや導電性アプリケーションに低抵抗と安定した電気性能を提供します。. - 優れたフィルム均一性
マグネトロンスパッタリングは、ウェーハ全体にわたって均一なコーティング厚と滑らかな表面形態を保証します。. - 良好なプロセス適合性
リソグラフィー、エッチング、電気メッキ、蒸着、および標準的な半導体製造プロセスに対応。. - 柔軟なカスタマイズ
複数のウェーハサイズ、基板タイプ、メタル層厚の組み合わせが可能。.
典型的な構造
基板＋チタン接着層＋銅導電層
- 基板シリコン／石英／ガラス（オプション）
- 接着層：チタン（Ti）
- 導電層：銅（Cu）
- 成膜方法マグネトロンスパッタリング
Ti層は基板と銅膜の界面接合層として機能し、構造安定性を確保する。Cu層は、電気およびプロセス用途の機能的導電面を提供します。.
仕様
| 項目 | 説明 |
|---|---|
| ウエハーサイズ | 2″、4″、6″、8″、カスタムサイズ |
| 基板材料 | シリコン、石英、BF33ガラス（オプション） |
| クリスタルの向き | 、など。. |
| 抵抗率 | 低／中／高（カスタマイズ可能） |
| チタンの厚さ | 10-50 nm（典型的な範囲） |
| 銅の厚さ | 50 nm - 1 µm（スパッタリング）、電気めっきによる厚膜化 |
| コーティング方法 | マグネトロンスパッタリング |
| コーティング側 | 片面または両面 |
製造工程
Ti/Cuメタルコーティング・ウェハーは、真空マグネトロン・スパッタリング技術を用いて製造される。まず、洗浄したシリコン表面にチタン層を蒸着し、密着性を向上させる。次に、チタン膜の上に銅層を蒸着し、均一な導電面を形成します。.
より厚い銅膜を必要とする用途では、スパッタされた銅層を電気メッキのシード層として使用することができ、強力な密着性を維持しながらミクロンレベルの厚さを達成するためのさらなる金属成長が可能になります。.
この組み合わせプロセスにより、高いフィルム品質と柔軟な機能拡張の両方が保証される。.
アプリケーション
- 半導体デバイスの研究と試作
- オーミックコンタクトと電極製造
- MEMS微細構造シード層開発
- RDLおよび厚銅構造用電解めっき下地
- 薄膜およびナノ材料の成長研究
- 表面導電率試験と材料分析
- SEM、AFM、表面形状測定用サンプルの前処理
- バイオ電気化学センサーとマイクロアレイプラットフォーム
シングルメタルコーティングと比較した利点
シリコンに直接銅をコーティングするのに比べ、Ti/Cu構造は以下を提供する：
- 熱および化学的ストレス下での優れた接着安定性
- 銅の剥離やひび割れのリスクを低減
- 微細加工工程における歩留まりの向上
- より安定した電気性能
- 多段階半導体プロセスとのより良い互換性
そのため、研究室や産業用R&D環境において、より信頼性の高いソリューションとなっている。.
よくあるご質問
Q1: なぜチタンは銅の皮膜の下に使用されるのですか？
チタンは、銅とシリコン基板間の接着を向上させる接着層として機能し、加工中や使用中の剥離を防ぎます。.
Q2: 銅の厚みを増やすことはできますか？
スパッタリングされた銅は、電気めっきのシード層として使用することができ、用途に応じてより厚い金属層を得ることができます。.
Q3: ウェハーの両面にコーティングできますか？
ご要望に応じて、片面または両面コーティングも可能です。.
Q4: どのような基板オプションがありますか？
標準的なシリコンが最も一般的だが、特殊な光学用途や化学用途には石英やガラス基板も利用できる。.
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