Wafer di quarzo fuso ad alta purezza da 8 pollici (200 mm) per sensori di precisione e applicazioni ottiche

Il wafer di quarzo fuso da 8 pollici è un substrato di quarzo sintetico di elevata purezza (SiO₂ ≥99,99%) progettato per applicazioni di alta precisione nei sistemi a semiconduttore, MEMS, ottici e laser. La sua bassissima espansione termica, l'eccezionale trasmittanza UV-IR e l'eccellente resistenza chimica lo rendono ideale per ambienti difficili come la fotolitografia, l'incisione, la deposizione di film sottili e la fabbricazione di sensori di alta precisione.

Il wafer di quarzo fuso da 8 pollici è un substrato di quarzo sintetico di elevata purezza (SiO₂ ≥99,99%) progettato per applicazioni di alta precisione nei sistemi a semiconduttore, MEMS, ottici e laser. La sua bassissima espansione termica, l'eccezionale trasmittanza UV-IR e l'eccellente resistenza chimica lo rendono ideale per ambienti difficili come la fotolitografia, l'incisione, la deposizione di film sottili e la fabbricazione di sensori di alta precisione.

Ogni wafer è prodotto con cura, sotto un rigoroso controllo di qualità in un ambiente di camera bianca, per assicurare una planarità, una finitura superficiale e una purezza superiori. Questo garantisce prestazioni affidabili per applicazioni industriali, di ricerca e aerospaziali critiche.

Caratteristiche e vantaggi principali

  • Altissima purezza (≥99,99%): Riduce al minimo la contaminazione nei processi di semiconduttori e ottici.

  • Eccezionale stabilità termica: Punto di rammollimento ~1683°C, tolleranza a breve termine fino a 1450°C per processi ad alta temperatura.

  • Espansione termica bassissima (0,55 × 10-⁶/K): Assicura la stabilità dimensionale sotto stress termico.

  • Trasmissione ottica superiore: Gamma UV-IR 185 nm-2,5 µm, ideale per fotolitografia, ottica laser e sensori UV.

  • Alta qualità della superficie: Ra ≤1,0 nm e TTV ≤10 µm per una deposizione uniforme del film sottile e un'integrazione precisa del sensore.

  • Resistenza chimica: Resistente alla maggior parte degli acidi (tranne l'HF) e degli alcali, è adatto per l'incisione a umido e in ambienti difficili.

  • Resistenza alle radiazioni e stabilità dielettrica: Supporta applicazioni aerospaziali e di fisica delle alte energie.

  • Forme e dimensioni personalizzabili: Wafer rotondi, quadrati, anulari o settoriali con possibilità di lucidatura, rivestimenti AR/IR/DLC e microfabbricazione.

Applicazioni

Industria Applicazione Benefici
Semiconduttori Substrati per fotomaschere, supporti per l'incisione, pad di lucidatura CMP Stabilità alle alte temperature, difetti bassissimi, precisione nella produzione dei chip.
Fotovoltaico Wafer per il processo PECVD, substrati per la deposizione di film sottili Resistenza agli shock termici, migliora l'efficienza delle celle solari
Optoelettronica Substrati LED/LD, finestre laser, sensori ottici Alta trasmissione UV-IR, bassa autofluorescenza, migliora le prestazioni del dispositivo
Ottica di precisione Substrati di lenti, prismi, divisori di fascio, finestre IR Bassa espansione termica, elevata omogeneità, garantisce la stabilità ottica
Ricerca e laboratorio Radiazione di sincrotrone, esperimenti VUV, rivelatori ad alta energia Resistente alle radiazioni, sopporta condizioni estreme
Aerospaziale Finestre ottiche satellitari, pannelli di osservazione ad alta temperatura Resistenza agli shock termici, affidabilità di livello spaziale

Specifiche tecniche

Parametro Specifiche
Materiale Quarzo fuso sintetico (SiO₂ ≥99.99%)
Diametro 200 mm (8 pollici)
Gamma di spessore 100 µm - 3000 µm (personalizzabile)
Variazione dello spessore totale (TTV) ≤10 µm
Rugosità superficiale (Ra) ≤1,0 nm
Contenuto totale di impurità ≤2,0 µg/g
Coefficiente di espansione termica 0,55 × 10-⁶/K (20-300°C)
Resistenza alla temperatura Punto di rammollimento 1683°C, a breve termine fino a 1450°C
Trasmittanza UV >90% (200-260 nm)
Planarità della superficie Alta precisione, TTV ≤10 µm
Opzioni di forma Rotondo (standard), forme personalizzate disponibili
Certificazioni RoHS, ISO9001

FAQ

  1. D: Qual è lo spessore standard di un wafer di quarzo da 8 pollici?
    A: Lo spessore standard è di 0,5-1,0 mm, con opzioni personalizzate fino a 10 mm per applicazioni specializzate nei semiconduttori e nell'ottica.

  2. D: Perché scegliere i wafer di quarzo fuso rispetto ai wafer di silicio?
    A: I wafer di quarzo fuso offrono una trasparenza UV superiore, una maggiore stabilità termica (fino a 1730°C), resistenza chimica e stabilità dimensionale, rendendoli ideali per la litografia ad alta precisione e i processi più difficili.

  3. D: FUYAO può fornire forme di wafer e trattamenti superficiali personalizzati?
    A: Sì. Le opzioni includono wafer rotondi, quadrati, anulari e a forma di settore, con trattamenti superficiali quali lucidatura ottica, rivestimenti AR/IR/DLC, foratura e scanalatura.

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