Ti/Cu Metal-Coated Silicon Wafer está diseñado como sustrato conductor estándar y compatible con procesos para aplicaciones industriales y de investigación avanzada. Al combinar la tecnología de oblea de silicio con el recubrimiento de película fina metálica, proporciona una plataforma estable para procesos eléctricos, químicos y de microfabricación.
La estructura del sistema de revestimiento Ti/Cu garantiza tanto la fiabilidad mecánica como la conductividad funcional. Es especialmente adecuado para aplicaciones que requieren interfaces metálicas fiables, conductividad superficial uniforme y compatibilidad con las técnicas estándar de procesamiento de semiconductores.
El producto permite personalizar el tamaño de la oblea, el tipo de sustrato y el grosor de la película, por lo que resulta adecuado tanto para experimentos de investigación a pequeña escala como para entornos de producción piloto.
Características principales
- Gran adherencia
La capa de adherencia de titanio mejora significativamente la unión entre la película de cobre y el sustrato de silicio, reduciendo los riesgos de desprendimiento y delaminación. - Alta conductividad eléctrica
La capa superficial de cobre proporciona una baja resistencia y un rendimiento eléctrico estable para pruebas de dispositivos y aplicaciones conductoras. - Excelente uniformidad de la película
El sputtering por magnetrón garantiza un grosor de revestimiento uniforme y una morfología superficial lisa en toda la oblea. - Buena compatibilidad de procesos
Compatible con litografía, grabado, galvanoplastia, deposición y procesos estándar de fabricación de semiconductores. - Personalización flexible
Disponible en múltiples tamaños de oblea, tipos de sustrato y combinaciones de grosor de capa metálica.
Estructura típica
Sustrato + Capa de adherencia de titanio + Capa conductora de cobre
- Sustrato: Silicio / Cuarzo / Vidrio (opcional)
- Capa de adherencia: Titanio (Ti)
- Capa conductora: Cobre (Cu)
- Método de deposición: Pulverización por magnetrón
La capa de Ti actúa como capa de unión de interfaz entre el sustrato y la película de cobre, garantizando la estabilidad estructural. La capa de Cu proporciona la superficie conductora funcional para aplicaciones eléctricas y de proceso.
Especificaciones
| Artículo | Descripción |
|---|---|
| Tamaño de la oblea | 2″, 4″, 6″, 8″, tamaños personalizados |
| Material del sustrato | Silicio, cuarzo, vidrio BF33 (opcional) |
| Orientación de los cristales | , , etc. |
| Resistividad | Bajo / Medio / Alto (personalizable) |
| Espesor Ti | 10-50 nm (rango típico) |
| Cu Espesor | 50 nm - 1 µm (pulverizado), más grueso mediante galvanoplastia |
| Método de recubrimiento | Pulverización catódica por magnetrón |
| Lado de revestimiento | Cara simple o doble |
Proceso de fabricación
La oblea recubierta de Ti/Cu se fabrica mediante la tecnología de pulverización catódica por magnetrón al vacío. En primer lugar, se deposita una capa de titanio sobre la superficie de silicio limpia para mejorar la adherencia. A continuación, se deposita una capa de cobre sobre la película de titanio para formar una superficie conductora uniforme.
Para aplicaciones que requieran películas de cobre más gruesas, la capa de cobre pulverizado puede utilizarse como capa semilla para la galvanoplastia, lo que permite un mayor crecimiento del metal para conseguir espesores de micras manteniendo una fuerte adherencia.
Este proceso combinado garantiza tanto una alta calidad de la película como una expansión funcional flexible.
Aplicaciones
- Investigación y creación de prototipos de dispositivos semiconductores
- Fabricación de electrodos y contactos óhmicos
- Desarrollo de la capa semilla de la microestructura MEMS
- Base galvánica para RDL y estructuras gruesas de cobre
- Investigación sobre el crecimiento de películas finas y nanomateriales
- Pruebas de conductividad superficial y análisis de materiales
- Preparación de muestras para SEM, AFM y metrología de superficies
- Sensores bioelectroquímicos y plataformas de microarrays
Ventajas en comparación con el revestimiento metálico simple
En comparación con el recubrimiento directo de cobre sobre silicio, la estructura Ti/Cu proporciona:
- Mejor estabilidad de adherencia bajo estrés térmico y químico
- Menor riesgo de descascarillado o agrietamiento del cobre
- Mejora del rendimiento del proceso en las fases de microfabricación
- Rendimiento eléctrico más estable a lo largo del tiempo
- Mayor compatibilidad con los procesos semiconductores multietapa
Esto la convierte en una solución más fiable tanto para laboratorios de investigación como para entornos industriales de I+D.
PREGUNTAS FRECUENTES
P1: ¿Por qué se utiliza titanio bajo revestimiento de cobre?
El titanio actúa como una capa de adherencia que mejora la unión entre los sustratos de cobre y silicio, evitando la delaminación durante el procesamiento y el uso.
P2: ¿Se puede aumentar el grosor del cobre?
Sí, el cobre bombardeado puede utilizarse como capa inicial para la galvanoplastia con el fin de obtener capas metálicas más gruesas en función de los requisitos de la aplicación.
P3: ¿Se pueden recubrir ambas caras de la oblea?
Sí. Hay disponibles opciones de recubrimiento por una o dos caras bajo pedido.
P4: ¿Qué opciones de sustrato hay disponibles?
El silicio estándar es el más común, pero también hay disponibles sustratos de cuarzo y vidrio para aplicaciones ópticas o químicas especiales.
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