WDP-1240 系列乾式拋光機是針對半導體製造中晶圓背面應力消除和損傷層去除而開發的先進精密系統。此設備專為 300 mm 晶圓加工而設計，利用乾式拋光製程達到高品質的表面處理，同時將對環境的影響降至最低。.
此系統特別適用於先進的封裝應用，在這些應用中，晶圓減薄和應力控制是至關重要的。WDP-1240 可有效去除研磨製程中造成的次表面損傷層，有助於改善晶圓完整性、減少翹曲並增強機械強度。.
與傳統的濕式拋光系統相比，乾式製程消除了與漿料相關的污染，並降低了廢料處理的要求，使其成為更環保、更具成本效益的解決方案。.
主要功能與技術優勢
低環境衝擊的乾式拋光技術
WDP-1240 採用全乾式拋光製程，不需要使用化學研磨液。這大大降低了環境負荷，簡化了維護工作，並降低了運行成本。.
有效舒緩壓力和消除損傷
此系統專為晶圓研磨後去除背面損傷層而設計，可有效釋放內應力，確保改善晶圓平面度與結構穩定性。.
提高薄型晶圓的良率
藉由將應力集中降至最低，本機器有助於防止應力集中：
- 晶圓開裂
- 邊緣崩裂
- 翹曲
這可帶來更高的良率，特別是對於大尺寸和超薄晶圓。.
與稀釋系統無縫整合
WDP-1240 可與 WG1251 自動晶圓研磨機等上游設備整合，實現全自動化生產線，並在製程間安全穩定地傳送晶圓。.
穩定堅固的機械結構
該設備採用單主軸、單夾頭和修整器裝置配置，可確保一致的拋光性能和長期的操作穩定性。.
技術規格
| 項目 | 規格 |
|---|---|
| 結構 | 主軸 ×1 / 夾頭工作台 ×1 / 修整裝置 ×1 |
| 主軸功率 | 7.5 kW / 11 kW |
| 晶圓尺寸 | 最大 12 吋 (300 公釐) |
| 製程類型 | 乾式拋光 |
| 機器尺寸 | 1450 × 3380 × 1900 公釐 |
工作原理
WDP-1240 使用高速主軸和精密夾頭系統，在晶圓背面進行受控機械拋光。.
晶圓減薄之後，表面下通常會殘留一層損壞層，造成內部應力。乾式拋光製程可去除此層，同時嚴格控制壓力和材料去除率。其結果如下
- 均勻的表面品質
- 降低殘留應力
- 改善晶圓平面度
整合式修整裝置可確保拋光工具在整個製程中保持一致的性能。.
應用範圍
WDP-1240 系列廣泛應用於：
- 半導體晶圓背面處理
- 先進封裝 (WLCSP、扇出式封裝)
- 矽 (Si) 晶圓拋光
- 碳化矽 (SiC) 晶圓加工
- 薄晶圓應力消除應用
它支援 12 吋及以下晶圓，因此適用於主流半導體生產及新興的先進封裝技術。.
核心優勢
- 低環境衝擊
乾式製程可消除淤泥並減少浪費 - 高收益改善
最小化薄晶圓的開裂和翹曲 - 高製程穩定性
堅固的結構確保一致的結果 - 生產線整合
與自動化晶圓薄化系統相容 - 針對先進封裝進行最佳化
專為下一代半導體製程設計
常見問題
Q1: 與濕式拋光相比，乾式拋光的主要優勢是什麼？
答：乾式拋光不需要使用研磨液，可減少對環境的影響、簡化維護工作、降低作業成本，同時維持高表面品質。.
Q2: 支援哪些晶圓尺寸？
答：WDP-1240 支援最大 12 英吋 (300 mm) 的晶圓，包括 Si 和 SiC 材料。.
Q3: 這台機器可以整合到生產線中嗎？
答：是的。它可以與 WG1251 等晶片薄化設備無縫連接，實現自動晶片傳輸和連續加工。.
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