Tấm wafer sapphire 12 inch là chất nền oxit nhôm (Al₂O₃) đơn tinh thể hiệu suất cao, được thiết kế dành cho các ứng dụng tiên tiến trong lĩnh vực bán dẫn, quang điện tử và nhiệt độ cao. Sản phẩm được sản xuất từ tinh thể sapphire có độ tinh khiết cực cao (≥99,991%), đảm bảo tính đồng nhất cấu trúc tuyệt vời và mật độ khuyết tật thấp.
Ngọc bích được công nhận rộng rãi nhờ độ cứng cơ học vượt trội, tính ổn định hóa học và độ trong suốt quang học, khiến nó trở thành một trong những vật liệu nền đáng tin cậy nhất cho các môi trường khắc nghiệt. Kích thước 12 inch là kích thước tấm wafer cao cấp ở quy mô công nghiệp, được thiết kế để sản xuất hàng loạt các lớp epitactic LED và các thiết bị điện tử tiên tiến.
Không giống như silicon, sapphire là một chất cách điện, điều này khiến nó đặc biệt phù hợp cho các ứng dụng đòi hỏi khả năng cách ly tần số cao, tính ổn định nhiệt và độ trong suốt quang học.
Đặc tính vật liệu
Sapphire (α-Al₂O₃) là một vật liệu đơn tinh thể có sự kết hợp độc đáo của các tính chất vật lý:
- Độ cứng cực cao (9 theo thang Mohs)
- Khả năng chịu sốc nhiệt và môi trường nhiệt độ cao rất tốt
- Độ trơ hóa học vượt trội đối với axit và kiềm
- Dải truyền dẫn quang học rộng (từ tia cực tím đến hồng ngoại trung sau khi mài bóng)
- Độ bền điện môi cao và khả năng cách điện
Những đặc tính này khiến các tấm wafer sapphire trở thành lựa chọn ưu tiên trong sản xuất đèn LED, thiết bị tần số vô tuyến, hệ thống laser và các thiết bị điện tử dùng trong ngành hàng không vũ trụ.
Đánh bóng & Chất lượng bề mặt
Sản phẩm này hỗ trợ cả quy trình DSP (đánh bóng hai mặt) và SSP (đánh bóng một mặt), đảm bảo tính linh hoạt để đáp ứng các yêu cầu sản xuất khác nhau.
- Mặt trước: Đã được đánh bóng theo tiêu chuẩn Epi (Ra < 0,3 nm)
- Mặt sau: Được mài nhẵn hoặc bán bóng tùy theo yêu cầu kỹ thuật
- Độ sạch bề mặt: Quy trình sản xuất trong phòng sạch cấp 100
- Kiểm soát ô nhiễm: hàm lượng hạt và tạp chất kim loại ở mức cực thấp
Các đặc tính bề mặt này có vai trò quyết định đối với các quy trình tăng trưởng epitactic như MOCVD, MBE và PECVD, trong đó độ đồng nhất bề mặt ở cấp độ nguyên tử ảnh hưởng trực tiếp đến hiệu suất của thiết bị.
Thông số kỹ thuật
| Tham số | Thông số kỹ thuật |
|---|---|
| Chất liệu | Ngọc bích đơn tinh thể (Al₂O₃ ≥ 99,991%) |
| Đường kính | 2” – 12” (có thể tùy chỉnh) |
| Độ dày 12 inch | 3000 ± 20 μm |
| Buổi giới thiệu | Mặt phẳng C (0001), mặt phẳng A, mặt phẳng M, mặt phẳng R |
| DSP / SSP | Còn hàng |
| Hướng dẫn về OF | mặt phẳng a 0 ± 0,3° |
| TTV | ≤ 15 μm (12 inch) |
| BOW | -25 ~ 0 μm (12 inch) |
| Warp | ≤ 30 μm |
| Mặt trước | Sẵn sàng cho quá trình khắc (Ra < 0,3 nm) |
| Mặt sau | Được mài nhẵn (Ra 0,6–1,2 μm) |
| Bao bì | Đóng gói chân không trong phòng sạch |
Các tính năng chính
- Tấm nền sapphire cỡ siêu lớn 12 inch dùng trong ngành bán dẫn
- Al₂O₃ đơn tinh thể có độ tinh khiết cao (≥99,991%)
- Hỗ trợ các tùy chọn đánh bóng DSP và SSP
- Có sẵn nhiều hướng tinh thể khác nhau
- Độ ổn định nhiệt và độ bền cơ học tuyệt vời
- Quy trình sản xuất trong phòng sạch có mức độ ô nhiễm cực thấp
- Phù hợp cho các ứng dụng phát triển lớp phủ epitactic cao cấp và nghiên cứu
Ứng dụng
Sản xuất đèn LED và thiết bị quang điện tử
Các tấm wafer sapphire mặt C được sử dụng rộng rãi làm chất nền trong sản xuất đèn LED dựa trên GaN, bao gồm các thiết bị phát sáng màu xanh, trắng, tia cực tím (UV) và tia cực tím sâu (deep-UV).
Sự phát triển lớp phủ trên chất bán dẫn
Hỗ trợ các quy trình epitaksi tiên tiến như:
- MOCVD (Phương pháp lắng đọng hóa học từ pha hơi kim loại-hữu cơ)
- MBE (Phương pháp mọc tinh thể bằng chùm phân tử)
- PECVD (Phương pháp lắng đọng hóa học trong môi trường plasma)
Thiết bị RF và tần số cao
Được sử dụng trong các bóng bán dẫn lưỡng cực tiếp giáp dị chất (HBT), điốt laser (LD) và các linh kiện truyền thông tần số cao.
Ứng dụng tia UV và laser
Chất nền sapphire thích hợp cho các cảm biến tia cực tím, cửa sổ laser và các hệ thống tích hợp quang tử.
Thiết bị điện tử chịu nhiệt độ cao
Được sử dụng làm vật liệu nền cách nhiệt chịu nhiệt trong các môi trường có công suất cao và tần số cao.
Các tùy chọn tùy chỉnh
Chúng tôi cung cấp các dịch vụ tùy chỉnh linh hoạt nhằm đáp ứng nhu cầu nghiên cứu và sản xuất công nghiệp:
- Đường kính: 1”, 2”, 3”, 4”, 6”, 8”, 12”
- Hướng tinh thể: Mặt C / Mặt A / Mặt M / Mặt R
- Có thể điều chỉnh góc nghiêng
- Các phương án xử lý bề mặt DSP / SSP
- Tối ưu hóa độ dày và thời gian TTV
- Tạo hình mép và vát mép
- Bao bì tùy chỉnh (một miếng wafer / hộp đựng)
Mỗi tấm wafer đều có thể được truy xuất nguồn gốc nhờ một số sê-ri duy nhất nhằm đảm bảo kiểm soát chất lượng và khả năng truy xuất nguồn gốc trong quá trình sản xuất.
Câu hỏi thường gặp
Câu hỏi 1: Ưu điểm chính của tấm wafer sapphire so với tấm wafer silicon là gì?
Ngọc bích có tính trong suốt và cách điện, khiến nó trở thành vật liệu lý tưởng cho các ứng dụng LED và quang học, trong khi silicon chủ yếu được sử dụng trong các mạch điện tử.
Câu hỏi 2: Tại sao tấm wafer sapphire 12 inch lại quan trọng?
Nó hỗ trợ sản xuất LED và bán dẫn công nghiệp quy mô lớn, giúp nâng cao hiệu quả và giảm chi phí trên mỗi đơn vị trong sản xuất hàng loạt.
Câu hỏi 3: DSP và SSP có nghĩa là gì?
DSP là viết tắt của Double-Side Polishing (đánh bóng hai mặt), trong khi SSP là viết tắt của Single-Side Polishing (đánh bóng một mặt). Các yếu tố này ảnh hưởng đến chất lượng bề mặt và tính phù hợp của ứng dụng.
Câu hỏi 4: Có thể sử dụng trực tiếp các tấm wafer sapphire để chế tạo thiết bị không?
Chúng được sử dụng làm chất nền và cần phải trải qua quá trình phát triển lớp phủ hoặc xử lý bổ sung trước khi chế tạo thiết bị hoàn chỉnh.
Câu hỏi 5: Tại sao sapphire lại được sử dụng trong đèn LED?
Bởi vì nó cung cấp một cấu trúc mạng tinh thể ổn định cho quá trình phát triển GaN và mang lại hiệu suất nhiệt và quang học xuất sắc.
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.