Система высокотемпературной ионной имплантации Ai350HT (Medium Beam) предназначена для линий по производству 6- и 8-дюймовых кремниевых пластин, а также для применения в процессах SiC. Это среднетоковый ионный имплантер, разработанный для высокоэнергетических и высокотемпературных процессов легирования в передовых технологиях производства полупроводников.
Система поддерживает диапазон энергий от 5 кэВ до 350 кэВ, позволяя проводить как поверхностную, так и глубокую имплантацию. Система оснащена высокотемпературным электростатическим патроном, способным работать при температуре до 500°C, что позволяет улучшить активацию легирующих элементов и уменьшить повреждение решетки при имплантации. В сочетании со стабильными характеристиками пучка и высокой точностью управления система подходит для производства полупроводников как на основе кремния, так и с широкой полосой пропускания.
Характеристики
Возможность высокотемпературной имплантации
Оснащен высокотемпературным электростатическим патроном, поддерживающим температуру до 500°C, что позволяет повысить эффективность имплантации и активации легирующих элементов для передовых процессов.
Широкий энергетический диапазон
Диапазон энергий 5-350 кэВ обеспечивает гибкие требования к имплантации - от формирования неглубоких переходов до процессов глубокой имплантации.
Высокоточное управление лучом
Обеспечивает точность имплантации с точностью угла ≤ 0,2°, параллельность луча ≤ 0,2°, равномерность ≤ 0,5% и повторяемость ≤ 0,5%.
Стабильные характеристики балки
Стабильность пучка контролируется в пределах 10% в час, что обеспечивает стабильное качество процесса в течение длительных производственных циклов.
Источник ионов с длительным сроком службы
Оснащен источником ионов металла Al со сроком службы ≥150 часов, что позволяет сократить частоту технического обслуживания и увеличить время безотказной работы.
Высокая пропускная способность
Поддерживает производительность ≥ 200 пластин в час, что подходит для полупроводникового производства.
Расширенная технологическая совместимость
Совместим с процессами SiC и обычным производством полупроводников на основе кремния.
Основные характеристики
Параметры процесса
| Артикул | Технические характеристики |
|---|---|
| Размер пластины | 6-8 дюймов |
| Диапазон энергии | 5-350 кэВ |
| Имплантированные элементы | C, Al, B, P, N, He, Ar |
| Диапазон доз | 1E11-1E17 ионов/см² |
Производительность балки
| Артикул | Технические характеристики |
|---|---|
| Устойчивость балки | ≤ 10% / час (≤1 прерывание луча или дуга в час) |
| Параллельность балок | ≤ 0.2° |
Точность имплантации
| Артикул | Технические характеристики |
|---|---|
| Диапазон угла наклона имплантата | 0°-45° |
| Точность угла | ≤ 0.2° |
| Равномерность (1σ) | ≤ 0.5% (P+, 1E14, 100 кэВ) |
| Повторяемость (1σ) | ≤ 0,5% |
Производительность системы
| Артикул | Технические характеристики |
|---|---|
| Пропускная способность | ≥ 200 пластин в час |
| Максимальная температура патрона | 500°C |
| Размер оборудования | 6270 × 3500 × 3000 мм |
| Уровень вакуума | 5E-7 Торр |
| Утечка рентгеновского излучения | ≤ 0,3 мкЗв/ч |
| Режим сканирования | Горизонтальное электростатическое сканирование + вертикальное механическое сканирование |
Поля приложений
Производство полупроводников SiC
Используется при изготовлении устройств из карбида кремния, требующих высокотемпературных процессов ионной имплантации.
Обработка полупроводников на основе кремния
Применяется для производства КМОП и интегральных схем на 6- и 8-дюймовых пластинах.
Высокотемпературные процессы имплантации
Подходит для процессов, требующих повышенной температуры для уменьшения повреждения кристаллов и улучшения активации легирующих веществ.
Изготовление силовых устройств
Используется в силовых полупроводниковых приборах, требующих глубокой имплантации и высокоэнергетических процессов.
Передовое материаловедение
Поддержка ионной имплантации в передовых полупроводниковых материалах и при разработке технологических процессов.
Часто задаваемые вопросы
1. Какие размеры пластин поддерживает Ai350HT
Система поддерживает 6- и 8-дюймовые пластины и подходит для линий по производству полупроводников на основе кремния и SiC.
2. Какая максимальная температура поддерживается во время имплантации
Система поддерживает высокотемпературную имплантацию до 500°C с использованием нагреваемого электростатического патрона с механическим зажимом.
3. Каковы основные преимущества этой системы для процессов SiC
Система сочетает в себе возможность работы при высоких температурах, стабильные характеристики пучка и совместимость с процессами SiC, что делает ее подходящей для применения в полупроводниковых приборах с широкой полосой пропускания.
Request a Quote for Ai350HT Medium Beam High Temperature Ion Implantation System for 6/8 Inch SiC and Silicon Wafer Processing
Tell us your required specifications, dimensions, quantity, application and technical requirements. You can also provide drawings or additional project information. Our technical team will review your requirements and reply as soon as possible.
Отзывы
Отзывов пока нет.