Система ионной имплантации Ai200HC.D (High Beam) предназначена для линий по производству полупроводниковых пластин размером 6 и 8 дюймов из кремния. Это высокотоковый ионный имплантер, разработанный для прецизионного легирования и передовых технологических приложений в производстве интегральных схем.
Система поддерживает диапазон энергий от 5 кэВ до 180 кэВ, обеспечивая стабильную работу пучка и высокую повторяемость процесса. Она подходит для производства полупроводников на основе кремния и передовых процессов, связанных с приклеиванием пластин, включая интеграцию технологии Smart Cut.
Характеристики
Характеристики устойчивости дальнего света
Система поддерживает стабильную мощность ионного пучка с контролируемыми колебаниями, обеспечивая постоянное качество имплантации в процессе непрерывного производства.
Широкая совместимость с технологическими процессами
Совместимость с процессами на основе кремния и приложениями Smart Cut, поддерживающими передовые требования к проектированию пластин.
Высокоточный контроль имплантатов
Обеспечивает точные показатели имплантации:
- Точность угла ≤ 0,2°
- Параллельность балки ≤ 0,3°
- Равномерность ≤ 1%
- Повторяемость ≤ 1%
Высокая пропускная способность
Поддерживает ≥ 220 пластин в час, подходит для среднего и крупносерийного производства полупроводников.
Возможность пакетной обработки целей
Поддерживает пакетную обработку мишеней, повышая гибкость процесса и обеспечивая интеграцию с передовыми технологиями производства кремниевых пластин.
Основные характеристики
Параметры процесса
| Артикул | Технические характеристики |
|---|---|
| Размер пластины | Кремниевые пластины 6-8 дюймов |
| Диапазон энергии | 5-180 кэВ |
| Имплантированные элементы | B+, BF2+, P+, As+, N+, H+ |
| Диапазон доз | 5E11-1E17 ионов/см² |
Производительность балки
| Артикул | Технические характеристики |
|---|---|
| Устойчивость балки | ≤ 10% в час |
| Параллельность балок | ≤ 0.3° |
Точность имплантации
| Артикул | Технические характеристики |
|---|---|
| Диапазон угла наклона имплантата | от -11° до 11° |
| Точность угла | ≤ 0.2° |
| Равномерность (1σ) | ≤ 1% (B+, 2E14, 150 кэВ) |
| Повторяемость (1σ) | ≤ 1% (B+, 2E14, 150 кэВ) |
Производительность системы
| Артикул | Технические характеристики |
|---|---|
| Пропускная способность | ≥ 220 пластин в час |
| Размер оборудования | 5930 × 3000 × 2630 мм |
Приложение
Производство полупроводников на основе кремния
Используется при изготовлении КМОП и современных логических устройств, поддерживая точные процессы имплантации легирующих элементов.
Интеграция процессов Smart Cut
Подходит для процессов склеивания пластин и переноса слоев в соответствии с требованиями технологии Smart Cut.
Передовые технологии производства пластин
Применяется для модификации кремниевых пластин, оптимизации структуры и повышения производительности устройств.
Производство интегральных микросхем
Поддерживает средне- и высокосерийное производство ИС со стабильным контролем процесса и высокой пропускной способностью.
Часто задаваемые вопросы
1. Какие размеры пластин поддерживает Ai200HC.D
Система поддерживает 6- и 8-дюймовые кремниевые пластины и подходит для основных процессов производства полупроводников.
2. Каков энергетический диапазон этой системы
Диапазон энергий составляет от 5 кэВ до 180 кэВ, что обеспечивает широкий спектр применений имплантации в полупроводниковых приборах на основе кремния.
3. Какие специальные технологические возможности поддерживает данная система
Система совместима с процессами на основе кремния и технологией Smart Cut, поддерживая пакетную целевую обработку и передовые приложения для разработки пластин.
Request a Quote for Ai200HC.D High Beam Ion Implantation System for 6/8 Inch Silicon Wafer Processing and Smart Cut Applications
Tell us your required specifications, dimensions, quantity, application and technical requirements. You can also provide drawings or additional project information. Our technical team will review your requirements and reply as soon as possible.
Отзывы
Отзывов пока нет.