Ai200HC.D (High Beam) 離子植入系統專為 6 吋和 8 吋矽晶圓半導體生產線所設計。它是專為積體電路製造中的精密摻雜和先進製程應用而開發的高電流離子植入器。.
該系統支援的能量範圍從 5 keV 到 180 keV，提供穩定的光束效能和高的製程重複性。它適用於矽基半導體製造及先進晶圓接合相關製程，包括 Smart Cut 技術整合。.
特點
高光束穩定性表現
此系統可維持穩定的離子束輸出並控制波動，確保在連續生產過程中保持一致的植入品質。.
廣泛的製程相容性
與矽基製程及 Smart Cut 相關應用相容，支援先進的晶圓工程需求。.
高精度植入控制
提供精確的植入性能，包括
- 角度精確度 ≤ 0.2°
- 光束平行度 ≤ 0.3°
- 均一性 ≤ 1%
- 重複性 ≤ 1%
高產量能力
每小時支援 ≥ 220 片晶圓，適用於中高產量的半導體生產環境。.
批次目標處理能力
支援批次目標處理，提高製程彈性，並能與先進的矽晶圓製造技術整合。.
主要規格
製程參數
| 項目 | 規格 |
|---|---|
| 晶圓尺寸 | 6-8 吋矽晶圓 |
| 能量範圍 | 5-180 keV |
| 植入元件 | B+、BF2+、P+、As+、N+、H+ |
| 劑量範圍 | 5E11-1E17 離子/平方厘米 |
光束性能
| 項目 | 規格 |
|---|---|
| 梁的穩定性 | ≤ 每小時 10% |
| 光束平行度 | ≤ 0.3° |
植入精確度
| 項目 | 規格 |
|---|---|
| 植入角度範圍 | -11° 至 11° |
| 角度精確度 | ≤ 0.2° |
| 均一性 (1σ) | ≤ 1% (B+, 2E14, 150 keV) |
| 重複性 (1σ) | ≤ 1% (B+, 2E14, 150 keV) |
系統效能
| 項目 | 規格 |
|---|---|
| 吞吐量 | ≥ 每小時 220 片晶圓 |
| 設備尺寸 | 5930 × 3000 × 2630 公釐 |
應用
矽基半導體製造
用於 CMOS 和先進邏輯裝置製造，支援精確的摻雜植入製程。.
智慧切割製程整合
適用於基於 Smart Cut 技術要求的晶圓接合和層轉移製程。.
先進的晶圓工程
應用於矽晶圓改質、結構最佳化及裝置效能提升。.
積體電路生產
支援中高產量 IC 製造，具備穩定的製程控制及高產量能力。.
常見問題
1.Ai200HC.D 支援哪些晶圓尺寸
系統支援 6 吋和 8 吋矽晶圓，適用於主流半導體製程。.
2.此系統的能量範圍為何
能量範圍從 5 keV 到 180 keV，可支援矽基半導體裝置的廣泛植入應用。.
3.本系統支援哪些特殊製程功能
該系統與矽基製程和 Smart Cut 技術相容，支援批次目標處理和先進晶圓工程應用。.
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