Ai350HT (Medium Beam) 高溫離子植入系統專為 6 吋和 8 吋矽晶圓半導體製造線以及 SiC 製程應用而設計。它是針對先進半導體製造中的高能量和高溫摻雜製程而開發的中流離子植入器。.
該系統支援的能量範圍從 5 keV 到 350 keV，可進行淺層和深層植入製程。該系統配備了高溫靜電夾頭，工作溫度可高達 500°C，可在植入過程中改善摻質活化並減少晶格損傷。結合穩定的光束效能與高精度控制，本系統適用於矽基與寬帶隙半導體製程。.
特點
高溫植入能力
配備支援高達 500°C 的高溫靜電夾頭，可提高先進製程的植入效率和摻質活化。.
寬能量範圍
5-350 keV 的能量範圍可支援從淺層結點形成到深層植入製程的彈性植入需求。.
高精度光束控制
提供精確的植入性能，角度精確度 ≤ 0.2°、光束平行度 ≤ 0.2°、均勻度 ≤ 0.5%、重複性 ≤ 0.5%。.
穩定的光束效能
光束穩定性控制在每小時 10% 以內，可確保在長生產週期內維持一致的製程品質。.
長效離子源
配備金屬 Al 離子源，使用壽命≥150 小時，可減少維修頻率，提高正常運作時間。.
高產量能力
支援每小時≥ 200 片晶圓的產量，適用於半導體生產環境。.
先進製程相容性
與 SiC 製程及傳統矽基半導體製程相容。.
主要規格
製程參數
| 項目 | 規格 |
|---|---|
| 晶圓尺寸 | 6-8 吋 |
| 能量範圍 | 5-350 keV |
| 植入元件 | C, Al, B, P, N, He, Ar |
| 劑量範圍 | 1E11-1E17 離子/平方厘米 |
光束性能
| 項目 | 規格 |
|---|---|
| 梁的穩定性 | ≤ 10% / 小時 (≤每小時 1 次光束中斷或起弧) |
| 光束平行度 | ≤ 0.2° |
植入精確度
| 項目 | 規格 |
|---|---|
| 植入角度範圍 | 0°-45° |
| 角度精確度 | ≤ 0.2° |
| 均一性 (1σ) | ≤ 0.5% (P+, 1E14, 100 keV) |
| 重複性 (1σ) | ≤ 0.5% |
系統效能
| 項目 | 規格 |
|---|---|
| 吞吐量 | ≥ 每小時 200 片晶圓 |
| 最高夾頭溫度 | 500°C |
| 設備尺寸 | 6270 × 3500 × 3000 公釐 |
| 真空度 | 5E-7 托 |
| X 射線洩漏 | ≤ 0.3 μSv/h |
| 掃描模式 | 水平靜電掃描 + 垂直機械掃描 |
應用領域
SiC 半導體製造
用於需要高溫離子植入製程的碳化矽元件製造。.
矽基半導體製程
適用於 6 吋和 8 吋晶圓上的 CMOS 和積體電路製造。.
高溫植入製程
適用於需要升高溫度以減少晶體損傷及改善摻質活化的製程。.
功率元件製造
用於需要深度植入和高能量製程的功率半導體裝置。.
先進材料工程
支援先進半導體材料和製程開發環境中的離子植入。.
常見問題
1.Ai350HT 支援哪些晶圓尺寸
系統支援 6 吋和 8 吋晶圓，適用於矽基和 SiC 半導體製造生產線。.
2.植入過程中支持的最高溫度是多少？
該系統支援高達 500°C 的高溫植入，使用帶機械夾持的加熱靜電夾頭。.
3.此系統對於 SiC 製程的主要優勢為何？
該系統結合了高溫能力、穩定的光束效能，以及與 SiC 製程的相容性，使其適用於寬帶隙半導體應用。.
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