Szigetelő LNOI-szeleteken elhelyezett vékonyrétegű lítium-niobát integrált fotonikai alkalmazásokhoz

A szigetelőn elhelyezett vékonyrétegű lítium-niobát (LNOI) szeletek fejlett fotonikus hordozók, amelyeket integrált optikai, mikrohullámú fotonikus és kvantumrendszerekben használnak.

A szerkezet egy SiO₂ szigetelőrétegre rögzített, szilícium-aljzaton nyugvó, egykristályos lítium-niobát vékonyrétegből áll.

Ez a konfiguráció erős optikai bezárást, rendkívül alacsony terjedési veszteséget és magas elektro-optikai hatékonyságot biztosít, ami az integrált fotonika egyik legfontosabb platformjává teszi.

Szigetelő LNOI-szeleteken elhelyezett vékonyrétegű lítium-niobát integrált fotonikai alkalmazásokhozA szigetelőn elhelyezett vékonyrétegű lítium-niobát (LNOI) szeletek fejlett fotonikus hordozók, amelyeket integrált optikai, mikrohullámú fotonikus és kvantumrendszerekben használnak.

A szerkezet egy SiO₂ szigetelőrétegre rögzített, szilícium-aljzaton nyugvó, egykristályos lítium-niobát vékonyrétegből áll.

Ez a konfiguráció erős optikai bezárást, rendkívül alacsony terjedési veszteséget és magas elektro-optikai hatékonyságot biztosít, ami az integrált fotonika egyik legfontosabb platformjává teszi.


Mi az a vékonyrétegű lítium-niobát (TFLN)?

A vékonyrétegű lítium-niobát (TFLN) egy mikrométernél kisebb kristályos LiNbO₃ réteget jelöl, amelyet optikai hullámvezető és elektrooptikai alkalmazásokhoz fejlesztettek ki.

A hagyományos lítium-niobáttal összehasonlítva a TFLN szűkebb optikai korlátozást, kisebb eszközméretet és nagyobb integrációs sűrűséget tesz lehetővé.

A TFLN-t általában LNOI-szilíciumlapkákra építik fel, hogy egy teljes integrált fotonikus platformot hozzanak létre.


Szigetelő LNOI-szeleteken elhelyezett vékonyrétegű lítium-niobát integrált fotonikai alkalmazásokhozFő jellemzők

  • Rendkívül alacsony optikai veszteség < 0,05 dB/cm 1550 nm-en
  • Magas elektro-optikai együttható (r₃₃ akár 90 pm/V)
  • Kompatibilitás szubmikronos hullámvezetőkkel (<1 μm)
  • CMOS-kompatibilis integráció Si/SiN platformokkal
  • Kiváló hőstabilitás (kb. 1140 °C-os Curie-hőmérséklet)
  • Többféle kristálycsiszolás: X-csiszolás / Y-csiszolás / Z-csiszolás
  • Szilíciumlapka-méretek: 3 hüvelyk / 4 hüvelyk / 6 hüvelyk / 8 hüvelyk

Oszlop szerkezete

Réteg Anyag Funkció
Felső réteg LiNbO₃ vékonyréteg (TFLN) Elektro-optikai és nemlineáris optikai funkciók
Középső réteg SiO₂ (beágyazott oxid) Optikai szigetelés és korlátozás
Alsó réteg Cínium / Kvarc / Zafír Mechanikai támogatás és CMOS-kompatibilitás

Műszaki specifikációk

A szelet műszaki adatai

Paraméter Érték
A szelet átmérője 3″, 4″, 6″, 8″
Teljes vastagság 525 ± 25 μm
Íj ±50 μm
Warp <50 μm
LTV <1,5 μm (5×5 mm², 95%)

Vékonyrétegű lítium-niobát réteg

Paraméter Érték
Anyag Egykristályos LiNbO₃
Vastagság 300 nm – 1000 nm
Iránymeghatározás pontossága ±0,5°
Felületi érdesség Ra < 1 nm
Kötési hibák 1 mm-nél nagyobb hibák nincsenek

Beágyazott oxidréteg (SiO₂)

Paraméter Érték
Anyag SiO₂
Vastagság 100 nm – 2 μm (testreszabható)
Egyenletesség ±5%

Szigetelő LNOI-szeleteken elhelyezett vékonyrétegű lítium-niobát integrált fotonikai alkalmazásokhozGyártási folyamat

Az LNOI-szeleteket félvezetőipari minőségű eljárásokkal gyártják:

  • Ionbeültetés a rétegek szabályozott elválasztásához
  • Oszlopok rögzítése szigetelő hordozókra
  • Magas hőmérsékletű hőkezelés a kristályok stabilizálása érdekében
  • Kémiai-mechanikus polírozás (CMP) a felület kiegyenlítéséhez
  • Végső optikai és szerkezeti minőség-ellenőrzés

Főbb alkalmazási területek

  • Nagy sebességű optikai adatátvitel (100G–800G modulátorok)
  • Kvantumfotonika (összefonódott fotonok előállítása, QKD-rendszerek)
  • Mikrohullámú fotonika (rádiófrekvenciás jelfeldolgozás, milliméteres hullámhosszú rendszerek)
  • Nemlineáris optika (frekvenciakonverzió, optikai fésűk)
  • Integrált érzékelőrendszerek (biokémiai és optikai rezonátorok)

Teljesítménybeli előny a tömeges LiNbO₃-hoz képest

Ingatlan LiNbO₃ ömlesztett formában LNOI vékonyréteg
Optikai veszteség Magasabb <0,05 dB/cm
Integráció Alacsony Nagy sűrűségű fotonika
A készülék mérete Nagy mikron alatti méret
CMOS-kompatibilitás Nem Igen
Modulációs hatékonyság Mérsékelt Magas (Vπ ~1 V elérhető)

Testreszabási lehetőségek

Opció Leírás
Kristályvágás X-vágás / Y-vágás / Z-vágás
Filmvastagság 300 nm – 1000 nm
Hordozóanyag Cínium / Kvarc / Zafír
Oxidréteg 100 nm – 2 μm (egyedi)
Dopping MgO-val adalékolt LiNbO₃ kapható

Minőségellenőrzés

Tesztfeladat Módszer
Optikai veszteség Hullámvezető terjedési vizsgálat
Felületi érdesség AFM-mérés
Vastagság egyenletessége Térképrendszer
A kötés minősége IR-vizsgálat
Laposság Oszlopmérnöki mérés

Mérnöki szakértelem

ZMSH teljes körű támogatást nyújt az LNOI-szilíciumlapok fejlesztéséhez:

  • Vékonyréteg-tervezés optimalizálása
  • A szilíciumlapok összekapcsolásának technológiai tervezése
  • Fotonikus eszközök gyártásának támogatása
  • Nanofabrikáció (EBL / IBE)
  • Optikai teljesítmény vizsgálata és validálása

Alkalmas mind a kutatás-fejlesztési prototípusok gyártására, mind pedig a legfeljebb 8 hüvelykes szilíciumlapkák kis sorozatú gyártására.


GYIK

Mire szolgál az LNOI?
Az LNOI-lemezeket széles körben használják az optikai kommunikációban, a kvantumfotonikában, a nemlineáris optikában és az integrált fotonikus áramkörökben.

Mekkora a vékonyréteg jellemző vastagsága?
A lítium-niobát vékonyrétegek vastagsága általában 300 nm és 1000 nm között mozog.

Miért érdemes az LNOI-t használni a tömeges lítium-niobát helyett?
Az LNOI alacsonyabb optikai veszteséget, nagyobb integrációs sűrűséget és CMOS-kompatibilis fotonikus integrációt kínál.

Az LNOI integrálható-e a szilícium-fotonikával?
Igen, az LNOI teljes mértékben kompatibilis a szilícium- és szilícium-nitrid fotonikus platformokkal.

Értékelések

Még nincsenek értékelések.

„Thin-Film Lithium Niobate on Insulator LNOI Wafers for Integrated Photonic Applications” értékelése elsőként

Az e-mail címet nem tesszük közzé. A kötelező mezőket * karakterrel jelöltük