El equipo de unión de obleas es un sistema de alto rendimiento diseñado para el envasado avanzado de semiconductores, la fabricación de MEMS y la integración de semiconductores de tercera generación. Admite obleas de 2 a 12 pulgadas y permite la unión directa a temperatura ambiente y la unión hidrofílica, por lo que resulta especialmente adecuado para la unión de Si-Si, SiC-SiC y materiales heterogéneos (Si-SiC, GaN, zafiro, etc.).

Diseñado tanto para entornos de I+D como para producción en serie, el sistema integra alineación de ultraprecisión, control de presión y temperatura en bucle cerrado y condiciones de unión en vacío ultraalto, lo que garantiza una alta resistencia de unión, una excelente uniformidad de la interfaz y una baja densidad de defectos.

Características principales

1. Tecnología avanzada de unión a temperatura ambiente

• Elimina el estrés térmico y el alabeo de la oblea
• Permite unir materiales sensibles a la temperatura y disímiles
• Favorece la adhesión hidrófila y la adhesión activada por plasma

2. Alineación de alta precisión

• Precisión de alineación de la marca: ≤ ±2 μm
• Precisión de alineación de bordes: ≤ ±50 μm
• Actualización opcional al sistema de alineación submicrónica

3. Alta resistencia de adhesión y calidad de la interfaz

• ≥ 2,0 J/m² (unión directa Si-Si a temperatura ambiente)
• Hasta ≥5 J/m² con activación de la superficie del plasma
• Excelente limpieza de la interfaz en condiciones UHV

4. Amplia compatibilidad de materiales

Admite la unión de:

• Semiconductores: Si, SiC, GaN, GaAs, InP
• Materiales ópticos: Zafiro, Cristal
• Materiales funcionales: LiNbO₃, Diamante

5. Capacidad de proceso flexible

• Tamaño de la oblea: 2″ - 12″.
• Compatible con muestras de forma irregular
• Módulos opcionales: precalentamiento / recocido (RT-500°C)

Especificaciones técnicas

Sistema de control inteligente

• Pantalla táctil industrial HMI
• Admite el almacenamiento de más de 50 recetas de procesos
• Control en bucle cerrado de presión-temperatura en tiempo real
• Rendimiento estable y repetible del proceso

Seguridad y fiabilidad

• Triple protección de enclavamiento (presión / temperatura / vacío)
• Sistema de parada de emergencia
• Diseñado para ser compatible con salas blancas de clase 100

Configuraciones opcionales

• Sistema robotizado de manipulación de obleas
• Interfaz de comunicación SECS/GEM (lista para la integración en fábrica)
• Módulo de inspección en línea
• Unidad de activación de la superficie de plasma

Aplicaciones típicas

1. Embalaje de MEMS

Sellado hermético para sensores como acelerómetros y giroscopios

2. Integración de CI en 3D

Apilado de obleas para TSV y envasado avanzado

3. Dispositivos semiconductores compuestos

Unión de dispositivos de potencia GaN / SiC y transferencia de capas

4. Sensores de imagen CMOS (CIS)

Unión a baja temperatura de obleas CMOS y sustratos ópticos

5. Biochips y microfluidos

Unión fiable para dispositivos lab-on-chip

Ejemplo de proceso

Unión de obleas de LiNbO₃ - SiC (temperatura ambiente)

• Consigue una interfaz de unión fuerte y uniforme
• Verificado mediante imágenes TEM transversales
• Adecuado para aplicaciones de alta frecuencia y optoelectrónicas

PREGUNTAS Y RESPUESTAS

P1: ¿Por qué elegir el pegado de obleas a temperatura ambiente en lugar del pegado térmico?

La unión a temperatura ambiente evita desajustes térmicos y tensiones, por lo que es ideal para materiales heterogéneos y mejora el rendimiento en envases avanzados.

P2: ¿Qué materiales pueden adherirse?

El sistema admite una amplia gama de materiales:

• Semiconductores: Si, SiC, GaN
• Óxidos: SiO₂, LiNbO₃
• Metales: Cu, Au

Por qué elegir este sistema

• Rendimiento demostrado en la fabricación de dispositivos de potencia de SiC
• Resistencia de adhesión verificada mediante pruebas de laboratorio y análisis TEM.
• Diseñado tanto para institutos de investigación como para fábricas industriales
• La arquitectura modular garantiza la escalabilidad y capacidad de actualización a largo plazo